1樓：li天_下
其實你不用把課本扣的太緊，這樣反而使你讀書的效率變慢，有很多東西都是長時間在閱歷中慢慢體會到的。
二極體的死區電壓，就是說低於驅動二極體的電壓，各種二極體的閾值是不一樣的，而管壓降，說白了，就是指加在二極體中上的電壓。這時你就把二極體看作一個特殊的電阻就是了，這裡的特殊，是指加在它身上的電壓不會超過0.7v。
二極體反向擊穿，這裡二極體加反向電壓，就類似於電容的特性，在不加電時，電子有向一端流動的趨勢，而加了反向電壓，就使電子「被迫」反向移動，既然是被迫，當然電子會與外界壓降抗衡，直到二極體內部電場小於外界電壓時，電子就反向移動（當然還有原來的仍在反抗），此時就是擊穿。
穩流這個我不知道，整流我倒是知道，就是橋式電路，把不穩定的電源整理穩定。
2樓：三獅軍團英格蘭
正向偏置時，多數載流子發生擴散運動，形成電流，而反向偏置時少數載流子發生漂移運動，形成反響飽和電流。當電壓超過一定值時發生擊穿！
穩壓降是指導通後二極體倆端的電壓，而死區電壓是達到導通時的最低電壓!
3樓：匿名使用者
擊穿是看二極體的阻擋層或說是耗盡層的寬窄，正向偏置時，耗盡層只會越來越窄，最後幾乎可以是導線；反向偏置時，外加電壓越大，耗盡層越寬，直到某個電壓就是擊穿電壓時，二極體承受不了外加電壓被擊穿。不能光看曲線上規律想。
4樓：衝鋒陷陣
死驅電壓是能導通的最小電壓，電壓小於死驅電壓時就不能導通。
管壓降是導通時二極體兩端的電壓降，如當二極體和電阻串聯後接在5v電壓上，導通後電阻上的電壓不是5v而是4.3v（矽管壓降是0.7v），就是二極體導通後自身會有個電壓降。
兩者一個是研究什麼時候導通，一個是研究導通後自身壓降（在二極體上的電壓損耗）是多少
什麼是二極體死區電壓和反向擊穿區電壓
5樓：匿名使用者
死區電壓也叫開啟電壓，是應用在不同場合的兩個名稱。
在二極體正負極間加電壓，當電壓大於一定的範圍時二極體開始導通，這個電壓叫開啟電壓。鍺管0.1左右，矽管0.
5左右。死區電壓是指在二極體應用在具體的電路中時，由於本身的壓降，也就是供電電壓小於一定的範圍時不導通，造成輸出波形有殘缺，從供電電壓經過零點直到輸出波形殘缺消失的時候，這一段電壓就是死區電壓，本質上就是二極體的開啟電壓。
當二極體加上正向電壓時，便有正向電流通過。但正向電壓很低時，外電場還不能克服pn結內電場對多數載流子擴散運動所形成的阻力，此時正向電流很小，二極體呈現很大的電阻。當正向電壓超過一定數值（矽管約0.
5v，鍺管約0.1v）後，二極體電阻變得很小，電流增長很快。這個電壓往往稱死區電壓。
理想二極體：死區電壓=0 ，正向壓降=0
實際二極體：矽二極體的死區電壓為0.5v，正向壓降為0.
6~0.7v鍺二極體的死區電壓約0.1v，正向壓降為0.
2~0.3v反向擊穿電壓，二極體反向擊穿時的電壓值。二極體反向擊穿時的電壓值。
擊穿時反向電流劇增，二極體的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓vbwm一般是vbr的一半。
什麼是二極體的壓降和導通壓降
6樓：暮不語
導通壓降：二極體開始導通時對應的電壓。
正向特性：在二極體外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服pn結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零。當正向電壓大到足以克服pn結電場時，二極體正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。
反向特性：外加反向電壓不超過一定範圍時，通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由於反向電流很小，二極體處於截止狀態。反向電壓增大到一定程度後，二極體反向擊穿。
擴充套件資料紅色發光二極體的壓降為2.0--2.2v，黃色發光二極體的壓降為1.
8—2.0v，綠色發光二極體的壓降為3.0—3.
2v，正常發光時的額定電流約為20ma。
7樓：假面
二極體正向導通後，它的正向壓降基本保持不變（矽管為0.7v，鍺管為0.3v）。
正向特性
在電子電路中，將二極體的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極體就會導通，這種連線方式，稱為正向偏置。
必須說明，當加在二極體兩端的正向電壓很小時，二極體仍然不能導通，流過二極體的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為「門檻電壓」，鍺管約為0.2v，矽管約為0.
6v）以後，二極體才能直正導通。
導通後二極體兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3v，矽管約為0.7v），稱為二極體的「正向壓降」。
反向特性
在電子電路中，二極體的正極接在低電位端，負極接在高電位端，此時二極體中幾乎沒有電流流過，此時二極體處於截止狀態，這種連線方式，稱為反向偏置。
二極體處於反向偏置時，仍然會有微弱的反向電流流過二極體，稱為漏電流。當二極體兩端的反向電壓增大到某一數值，反向電流會急劇增大，二極體將失去單方向導電特性，這種狀態稱為二極體的擊穿。
一般矽、鍺二極體的死區電壓為多少？導通電壓後又是多少
8樓：
一般大略估算是按照鍺管0.12~0.2v，矽管0.
5~0.7v。但是實際二極體並不理想，不是按照某一個電壓分解導通與否，而是一個隨著電壓增加逐漸導通的指數曲線。
下面是1n4007矽二極體實際電壓和正向電流關係，差不多電流每增加10倍，電壓增加0.1v：
ua量級——0.4v；
ma量級——0.7v；
a量級——1v以上。
9樓：匿名使用者
矽死區電壓0.5伏，導通壓降0.7鍺的死區電壓0.1伏，導通壓降0.3伏。
10樓：匿名使用者
矽管死區電壓0.5，鍺管0.2；導通後，矽管0.7鍺管0.3
請詳細說明二極體的管壓降和門坎電壓的區別!
11樓：諾諾百科
一、概念不同：
二極體道統之前相當於一個電容，這時有門檻電壓這個概念。
二極體導通之後相當於一個小電阻，這時有管壓降這個概念。
二、定義不同：
門檻電壓：是二極體正向導通的起始電壓；
導通壓降和管壓降：二極體正向導通時自身壓降；
三、意義不同：
管壓降是指二極體導通之後，二極體兩端的電壓差。
門檻電壓是指二極體剛好導通時兩端的電壓差。
12樓：
二極體道統之前相當於一個電容，這時有門檻電壓這個概念。門檻電壓是指二極體剛好導通時兩端的電壓差。
二極體導通之後相當於一個小電阻，這時有管壓降這個概念。管壓降是指二極體導通之後，二極體兩端的電壓差。
對於你的新問題：恆壓降就是導通時在管上的壓降
13樓：匿名使用者
管壓降是指二極體導通之後，二極體兩端的電壓差。
門檻電壓是指二極體剛好導通時兩端的電壓差。
管壓降會隨電流大小有一定變化，具體要看該二極體的伏安特性曲線。
門檻電壓和二極體的型別有關，矽管的門坎電壓約為0.5v,鍺管的約為0.1v.
什麼叫二極體的管壓降，什麼叫二極體的正向壓降？
子不語望長安 二極體的管壓降就其本質而言還是一個電阻，只是導通的時候電阻很小，不導通的時候接近無窮大，而導通時候的電阻會分擔一定的電壓，所以叫管壓降。二極體的壓降是0.7v，低於這個電壓二極體是不會導通的，高於這個電壓，則會導通。在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降。使二極體能夠導通的正向最低電壓...
二極體的壓降
如果不被燒燬的話，仍然是0.7伏。電路中應串一個燈泡，二極體單向導通，燈比較暗，兩端電壓約110伏。因為二極體使波形變為正半波，負半波被削掉。只要矽二極體導通，其壓降就等於0.7v，二極體導通指得是有較為顯著的電流通過，電流太小的話照樣達不到0.7v，若二極體直接接到電壓源上，電流達到短路級，雖然電...
什麼是二極體的死區電壓？為什麼會出現死區電壓
死區電壓，指的是即使加正向電壓，也必須達到一定大小才開始導通，這個閾值叫死區電壓。當外加正向電壓uk很低時，由於外電場還不能克服pn結內電場對多數載流子擴散運動的阻力，故正向電流很小，幾乎為零 當正向電壓超過一定數值後，內電場被大大削弱，電流增長很快。這個一定數值的正向電壓稱為死區電壓 其大小與材料...