1樓：w別y雲j間
因為pn結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。勢壘電容pn結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變，從而顯現電容效應。
當所加的正向電壓升高時，pn結變窄，空間電荷區變窄，結中空間電荷量減少，相當於電容放電。同理，當正向電壓減小時，pn結變寬，空間電荷區變寬，結中空間電荷量增加，相當於電容充電。加反向電壓升高時，一方面會使耗盡區變寬，也相當於對電容的充電。
加反向電壓減少時，就是p區的空穴、n區的電子向耗盡區流，使耗盡區變窄，相當於放電。
二極體，（英語：diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（varicap diode）則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（rectifying）”功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
2樓：匿名使用者
pn結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。勢壘電容pn結交界處存在勢壘區。結兩端電壓變化引起積累在此區域的電荷數量的改變，從而顯現電容效應。
當所加的正向電壓升高時，pn結變窄，空間電荷區變窄，結中空間電荷量減少，相當於電容放電。同理，當正向電壓減小時，pn結變寬，空間電荷區變寬，結中空間電荷量增加，相當於電容充電。加反向電壓升高時，一方面會使耗盡區變寬，也相當於對電容的充電。
加反向電壓減少時，就是p區的空穴、n區的電子向耗盡區流，使耗盡區變窄，相當於放電。pn結電容演算法與平板電容相似，只是寬度會隨電壓變化。擴散電容pn結勢壘電容主要研究的是多子，是由多子數量的變化引起電容的變化。
而擴散電容研究的是少子。在pn結反向偏置時，少子數量很少，電容效應很少，也就可以不考慮了。在正向偏置時，p區中的電子，n區中的空穴，會伴著遠離勢壘區，數量逐漸減少。
即離結近處，少子數量多，離結遠處，少子的數量少，有一定的濃度梯度。正向電壓增加時，n區將有更多的電子擴散到p區，也就是p區中的少子----電子濃度、濃度梯度增加。同理，正向電壓增加時，n區中的少子---空穴的濃度、濃度梯度也要增加。
相反，正向電壓降低時，少子濃度就要減少。從而表現了電容的特性。
什麼是二極體的結電容
3樓：du知道君
兩個靠近的金屬板就會形成一個電容，二極體的pn結的兩個極板也會形成電容，叫結電容。雖然二極體的金屬板的面積極小，似乎電容極小，但由於pn結的勢壘層極薄，所以兩個極板的距離極小，所以實際電容也有幾p到幾十p。此電容還與二極體上的電壓有關，當反向電壓越高，勢壘層越厚，結電容就越小。
利用這個特點，生產出的 “變容二極體”廣泛用在高頻電路比如無線通訊系統中。
二極體的結電容 5
4樓：匿名使用者
請耐心看下去
當二極體正向偏置時，就是p接正極,n接負極，積累在p區的電子和n區的空穴會隨著電場的作用而逐漸增加。這時的擴散電容很大的，要是反向偏置的時候，載流子的數目很少，擴散電容值也就很小，忽略就可以啦。
當二極體反向偏置的時候，整個過程我就不囉嗦啦，反正就是擴散電容值很小，此時電容值主要取決與勢壘電容，而且它是非線性的。
pn結電容是擴散電容和勢壘電容的綜合反映，在高頻時，必須要考慮結電容。當pn結正偏時，結電容主要取決於擴散電容，值很大。反偏時，結電容取決與勢壘電容，且很小。
5樓：三笠灬
去讀一下華科的模電教材把，第六版，康華光，陳大欽，張林他們寫的，第三章去看兩遍，給你整的明明白白的
6樓：雪狼一路向北
結電容你應該知道吧，它有個類似於電容的特性，可以充放電（你可以把它當做一個很小的電容）。第二個問題，同上訴，電容越大貯蓄的電荷就越大，放電時間也就越長，所以工作的頻率也就越低。個人總結，希望能幫到你。
7樓：
二極體反向時會有耗盡區，可以想象類比為平行板電容器，這就是節電容。另外非平衡載流子有擴散效應，正向時充放電現象明顯，這叫擴散電容
二極體的結電容，二極體的結電容 5
請耐心看下去 當二極體正向偏置時，就是p接正極,n接負極，積累在p區的電子和n區的空穴會隨著電場的作用而逐漸增加。這時的擴散電容很大的，要是反向偏置的時候，載流子的數目很少，擴散電容值也就很小，忽略就可以啦。當二極體反向偏置的時候，整個過程我就不囉嗦啦，反正就是擴散電容值很小，此時電容值主要取決與勢...
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