DDR4與DDR3有什麼區別

時間 2022-02-19 23:40:23

1樓:匿名使用者

1、規格方面,ddr3記憶體起始頻率為800,最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133,量產產品最高頻率達到了3000。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,因此要比ddr3高出相當多的幅度。

相對於主流的ddr3-1866記憶體,ddr4-3200記憶體憑藉高達51.2gb/s的頻寬而擁有70%以上的效能增幅。

2、在記憶體效能方面,實際上ddr4記憶體擁有的效能提升幅度相當明顯,尤其是與主流的ddr3記憶體組合進行對比。以ddr3-1600記憶體作為參考基準,ddr4記憶體擁有最少147%的效能提升

3、ddr4比ddr3效能提升很多,是對於追求效能的使用者的絕對選擇。

2樓:兆依國餘馥

由於等效頻率的差別ddr4在很多場合的表現確實是好於ddr3的。但是等效頻率的提升是以犧牲cl為代價的。因此提升並沒有頻率差別看上去那麼大。

由於intel記憶體效率已經很高了,在部分場合可能看不出提升。

ddr4與ddr3有什麼區別

3樓:atm半夏熒光

ddr3和ddr4的區別如下:

一、外觀不一樣

一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個,而且每一個觸點間距只有0.85mm,ddr3記憶體金手指觸點是240個,因為這一改變,ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出,邊緣收矮的形狀,在**的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。

二、記憶體頻率不一樣

ddr3記憶體的最高頻率只能達到了2133;而ddr4記憶體的起始頻率就已經達到了2133,產品的最高頻率達到了3000,從記憶體頻率來看,ddr4對比ddr3提升空間很大。

三、功耗不一樣

ddr4功耗明顯很低,一般電壓達到1.2v,上一代ddr3記憶體,採用1.5v標準電壓,而ddr4記憶體則降低為1.2v,甚至可以做到更低,功耗下降了,並且可以減少記憶體的發熱。

4樓:匿名使用者

ddr4是什麼意思?

ddr,英文全稱為:dual data rate,是一種雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說,ddr應該叫ddr sdram,人們習慣稱為ddr,其中,sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫,即同步動態隨機存取儲存器,而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫,是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。

簡單來說,ddr4就是第二代記憶體的意思,目前不少智慧手機與電腦都用上了新一代ddr4記憶體,它屬於我們熟知的ddr3記憶體的下一代版本,帶來了更低的功耗與更出色的效能。

經歷了ddr1、ddr2、ddr3記憶體,新一代ddr4記憶體也逐漸開始變得流行,無論是pc還是智慧手機,如今ddr4記憶體可以說早已悄然流行。

ddr4和ddr3記憶體區別

雖然新一代電腦/智慧手機用上了ddr4記憶體,但以往的產品大多還是用的ddr3記憶體,因此ddr3依舊是主流,ddr4今後將逐漸取代ddr3,成為新的主流,下面我們再來看看ddr4和ddr3記憶體都有哪些區別。

相比上一代ddr3,新一代ddr4記憶體主要有以下幾項核心改變:

1.外觀改變

ddr4記憶體條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,這意味著,ddr4記憶體不再相容ddr3,老平臺電腦無法升級ddr4記憶體,除非將cpu和主機板都更換為新平臺。

2.ddr4記憶體頻率與頻寬提升明顯

頻率方面,ddr3記憶體起始頻率為800,最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133,量產產品最高頻率達到了3000,從記憶體頻率來看,ddr4相比ddr3提升很大。

頻寬方面,ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

綜合來看,ddr4記憶體效能最大幅度可比ddr3提升高達70%,甚至更高。

3.ddr4記憶體容量提升明顯,可達128gb

上一代ddr3記憶體,最大單挑容量為64gb,實際能買到的基本是16gb/32gb,而新一代ddr4記憶體,單條容量最大可以達到128gb,媲美ssd了。

4.ddr4功耗明顯降低,電壓達到1.2v、甚至更低

上一代ddr3記憶體,採用1.5v標準電壓,而ddr4記憶體則降低為1.2v,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省電,並且可以減少記憶體的發熱。

5樓:匿名使用者

ddr4與ddr3記憶體差異一:處理器

每次記憶體升級換代時,必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計,ddr4記憶體頻率原生支援

2133mhz,這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz,起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8

核,另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高,並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體,所以增加了ddr4普及的門檻。

ddr4與ddr3記憶體差異二:外型

一直一來,平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後,受到的摩擦力較大,因此記憶體存在難以拔出和難

以插入的情況,為了解決這個問題,ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證

ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。

介面位置同時也發生了改變,金手指中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

ddr4與ddr3記憶體差異三:引數

ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

另外就是其它引數的改變,比如容量和電壓。

ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之

多。舉例來說,目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb(單顆晶片512mb,共16顆),而ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方

面,ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造,電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v,移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更

6樓:

代數劃分的依據就是倍速率:ddr3是8bit預取,ddr4是16bit預取。

倍速的意思就是記憶體把資料重新排列以後成bit倍傳送。

理論上相同頻率下,頻寬提升70%。不過目前ddr4的實用性不高,是因為記憶體的吞吐效能已經凌駕計算單元的效能之上了;簡單的說,就是記憶體效能過剩,cpu硬碟等等有瓶頸了。所以實際用起來。

感覺ddr4和3差別不大,等cpu硬碟等等的效能提高了,ddr4的優勢才會發揮出來。

個人認為,在當前時期的電腦硬體下,實際使用過程中,估計會有5%左右的效能差異吧。何況ddr4還需搭配新的晶片組來使用,在電腦效能夠用或者想升級硬體的情況下,不推薦升級;在資金預算允許下,新購置的電腦可以優先考慮,畢竟這是電腦硬體的發展趨勢。

ddr4記憶體條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,易於拔插並減少pcb壓力。

ddr4記憶體內部使用點對點傳輸,頻率提升明顯。

ddr4記憶體容量提升明顯,單根記憶體最高可支援到128gb。

ddr4功耗明顯降低,電壓降到1.2v、甚至更低。

7樓:第2只兔子

規格方面,ddr3記憶體起始頻率為800,最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133,量產產品最高頻率達到了3000。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,因此要比ddr3高出相當多的幅度。

相對於主流的ddr3-1866記憶體,ddr4-3200記憶體憑藉高達51.2gb/s的頻寬而擁有70%以上的效能增幅。

在記憶體效能方面,實際上ddr4記憶體擁有的效能提升幅度相當明顯,尤其是與主流的ddr3記憶體組合進行對比。以ddr3-1600記憶體作為參考基準,ddr4記憶體擁有最少147%的效能提升

ddr4比ddr3效能提升很多,是對於追求效能的使用者的絕對選擇。

ddr4與ddr3有什麼區別

8樓:匿名使用者

【概括而言,區別如下】:

1.ddr4記憶體條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀

2.ddr4記憶體頻率提升明顯,可達4266mhz

3.ddr4記憶體容量提升明顯,可達128gb

4.ddr4功耗明顯降低,電壓達到1.2v、甚至更低

【詳細區別包括以下5方面】:

一、頻率和電壓

在頻率方面,ddr4記憶體的工作頻率將從2133mhz 起跳,最高甚至可以達到4266mhz。這個頻率相比ddr3 記憶體有相當大的提升。在電壓方面,ddr3 記憶體的工作電壓為1.

5v,而ddr4記憶體的工作電壓將近一步的降低,預計最低可以做到1.2v。

二、傳輸機制

相對於ddr3,ddr4的一大改進就體現在訊號傳輸機制上。它擁有兩種規格:除了可支援single-endedsignaling訊號( 傳統se訊號)外,還引入了differentialsignaling( 差分訊號技術 )技術。

三、訪問機制

對於ddr3記憶體來說,目前資料讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在ddr4記憶體中,訪問機制已經改為了點對點技術,這是ddr4整個儲存系統的關鍵性設計。點對點相當於一條主管道只對應一個水箱(這種機制的改變其實並不會對傳輸速度產生太大的影響,因為主管道的大小並沒有改變),這樣設計的好處可以大大簡化記憶體模組的設計、更容易達到更高的頻率。

四、封裝技術

ddr4記憶體採用3ds封裝技術,3ds(3-dimensional stack,三維堆疊)技術是ddr4記憶體中最關鍵的技術之一,它用來增大單顆晶片的容量。在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。

五、外觀

ddr3記憶體金手指是240個,記憶體金手指是平直的;而ddr4記憶體金手指是284個,記憶體金手指呈彎曲狀。

DDR4與DDR3有什麼區別,記憶體條 DDR3和DDR4是什麼?有什麼不一樣?

atm半夏熒光 ddr3和ddr4的區別如下 一 外觀不一樣 一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個,而且每一個觸點間距只有0.85mm,ddr3記憶體金手指觸點是240個,因為這一改變,ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出,邊緣收矮的形狀,在 的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。...

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