1樓：家居搬運工
ddr3記憶體是2023年開始應用的，屬於前面一代的產品，ddr4記憶體在2023年底開始應用，屬於新一代的產品。效能方面ddr4比ddr3有很大的提升。
ddr3記憶體條**
1、ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，ddr3原生是1866mhz，起始頻率有不小的提升。
2、外形有所不同。介面位置發生了改變，ddr4金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.
85mm。
3、金手指設計不同。ddr3記憶體金手指是平直的形狀。ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。
在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
ddr4記憶體條**
4、引數的不同。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
容量方面ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。
2樓：海天諾
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核，另一點是對ddr4的支援。
上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
ddr4記憶體金手指變的彎曲了，並沒有沿著直線設計，這究竟是為什麼呢？一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。
這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
ddr4與ddr3記憶體差異四：容量和電壓
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.
5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。
3樓：匿名使用者
ddr4是下一代的記憶體（相較ddr3），效能上有提升，但ddr4與以前的記憶體介面不相容，需要x99主機板才能支援。
ddr3和ddr4的記憶體條在遊戲效能上有什麼區別嗎
4樓：仁昌居士
ddr3和ddr4的記憶體條區別為：延遲度不同、每秒傳輸幀數不同、預設重新整理率不同。
一、延遲度不同
1、ddr3的記憶體條：ddr3的記憶體條的遊戲延遲度比ddr4的記憶體條的遊戲延遲度高。
2、ddr4的記憶體條：ddr4的記憶體條的遊戲延遲度比ddr3的記憶體條的遊戲延遲度低。
二、每秒傳輸幀數不同
1、ddr3的記憶體條：ddr3的記憶體條的每秒傳輸幀數比ddr4的記憶體條的每秒傳輸幀數少。
2、ddr4的記憶體條：ddr4的記憶體條的每秒傳輸幀數比ddr3的記憶體條的每秒傳輸幀數多。
三、預設重新整理率不同
1、ddr3的記憶體條：ddr3的記憶體條的預設重新整理率比ddr4的記憶體條的預設重新整理率低。
2、ddr4的記憶體條：ddr4的記憶體條的預設重新整理率比ddr3的記憶體條的預設重新整理率高
5樓：樂觀的
主要是工作電壓和針腳上有區
別，總結一句話就是做工上有區別。至於效能上那就得看具體型號了，不是說4代的就一定比3代的好。現在的主機板要麼支援ddr4的要麼支援ddr3的，兩種不能同時使用，有些主機板會同時配有ddr4和ddr3兩種插槽，但你只能使用一種。
1、介面不同，頻率不同。
2、效能上，ddr4速度更快。但是，如果拿ddr3的2400頻率和ddr4的2400頻率比較，那沒什麼大的區別。
3、能插三代記憶體的主機板不能插四代的，因為介面不同。
擴充套件資料
為了要增加記憶體的容量和頻寬，晶片會利用模組結合。例如，有關 dimms 的64位bus需要8個 8位的晶片併發處理。與常見的地址線（address lines）的多個晶片被稱為memory rank。
這個術語被引入，是要避免與晶片內部row和bank的混亂。
1、pc-1600儲存器模組指工作在 100mhz 下的ddr-200記憶體晶片，其擁有 1.600gb/s 的頻寬
2、pc-2100儲存器模組指工作在 133mhz 下的ddr-266記憶體晶片，其擁有 2.133gb/s 的頻寬
3、pc-2700儲存器模組指工作在 166mhz 下的ddr-333記憶體晶片，其擁有 2.667gb/s 的頻寬
4、pc-3200儲存器模組指工作在 200mhz 下的ddr-400記憶體晶片，其擁有 3.200gb/s 的頻寬
6樓：匿名使用者
1333和2400比才會在幀數上有一定的差別 差距很有限
7樓：匿名使用者
一個3代一個4代記憶體，配套的cpu和主機板也都不一樣。相同**購買的配置你用4代的配置玩老遊戲肯定比3代的好
ddr3和ddr4記憶體條有什麼區別？
8樓：匿名使用者
ddr4是什麼意思？
ddr，英文全稱為：dual data rate，是一種雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說，ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，其中，sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫，即同步動態隨機存取儲存器，而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
簡單來說，ddr4就是第二代記憶體的意思，目前不少智慧手機與電腦都用上了新一代ddr4記憶體，它屬於我們熟知的ddr3記憶體的下一代版本，帶來了更低的功耗與更出色的效能。
經歷了ddr1、ddr2、ddr3記憶體，新一代ddr4記憶體也逐漸開始變得流行，無論是pc還是智慧手機，如今ddr4記憶體可以說早已悄然流行。
ddr4和ddr3記憶體區別
雖然新一代電腦/智慧手機用上了ddr4記憶體，但以往的產品大多還是用的ddr3記憶體，因此ddr3依舊是主流，ddr4今後將逐漸取代ddr3，成為新的主流，下面我們再來看看ddr4和ddr3記憶體都有哪些區別。
相比上一代ddr3，新一代ddr4記憶體主要有以下幾項核心改變：
1.外觀改變
ddr4記憶體條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀，這意味著，ddr4記憶體不再相容ddr3，老平臺電腦無法升級ddr4記憶體，除非將cpu和主機板都更換為新平臺。
2.ddr4記憶體頻率與頻寬提升明顯
頻率方面，ddr3記憶體起始頻率為800，最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133，量產產品最高頻率達到了3000，從記憶體頻率來看，ddr4相比ddr3提升很大。
頻寬方面，ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70%。
綜合來看，ddr4記憶體效能最大幅度可比ddr3提升高達70%，甚至更高。
3.ddr4記憶體容量提升明顯，可達128gb
上一代ddr3記憶體，最大單挑容量為64gb，實際能買到的基本是16gb/32gb，而新一代ddr4記憶體，單條容量最大可以達到128gb，媲美ssd了。
4.ddr4功耗明顯降低，電壓達到1.2v、甚至更低
上一代ddr3記憶體，採用1.5v標準電壓，而ddr4記憶體則降低為1.2v，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省電，並且可以減少記憶體的發熱。
9樓：匿名使用者
ddr4與ddr3記憶體差異一：處理器
每次記憶體升級換代時，必
須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援
2133mhz，這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8
核，另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高，並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體，所以增加了ddr4普及的門檻。
ddr4與ddr3記憶體差異二：外型
一直一來，平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後，受到的摩擦力較大，因此記憶體存在難以拔出和難
以插入的情況，為了解決這個問題，ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證
ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面，訊號傳輸確保訊號穩定的同時，讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。
介面位置同時也發生了改變，金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面，普通ddr4記憶體有284個，而ddr3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。
ddr4與ddr3記憶體差異三：引數
ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬，ddr4-3200那就是51.2gb/s，比之ddr3-1866高出了超過70％。
另外就是其它引數的改變，比如容量和電壓。
ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後，單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之
多。舉例來說，目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb（單顆晶片512mb，共16顆），而ddr4則完全可以達到64gb，甚至128gb。而電壓方
面，ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v，移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更
記憶體條是ddr4好還是ddr3好
ddr3和ddr4的區別 1 外觀 ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，每一個觸點間距只有0.85mm ddr3記憶體金手指觸點是240個，間距1mm 因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在 的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。ddr4 模組上的卡槽與 d...
怎樣檢測記憶體條是ddr3還是ddr
ddr4與ddr3記憶體差異一 處理器 每次記憶體升級換代時，必須支援的就是處理器。haswell e平臺的記憶體同ivb e snb e一樣為四通道設計，ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz，這相較ivb e的ddr3原生1866mhz，起始頻率有不小的提升。haswell e作為新的旗艦提升...
DDR4與DDR3有什麼區別，記憶體條 DDR3和DDR4是什麼？有什麼不一樣？
atm半夏熒光 ddr3和ddr4的區別如下 一 外觀不一樣 一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個，而且每一個觸點間距只有0.85mm，ddr3記憶體金手指觸點是240個，因為這一改變，ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出，邊緣收矮的形狀，在 的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。...