1樓：匿名使用者
將前極驅動籠統的看作“驅動源”，由於功率mosfet的輸入屬於電壓驅動，必然會存在器件輸入電容，尤其在大功率，高頻率時這種輸入電容非常明顯。
為提高開關速率並降低開關損耗，可以通過改變柵極串聯電阻控制開通過程中的峰值電流，就是串聯這一電阻的意義，在執行頻率較低時，開關損耗所佔比例較小，驅動電壓的上升、下降速率可以減慢些，反之相反。
至於計算，就不用說了，根據功率，器件，頻率來計算的。這其中經驗值非常重要。不知這樣說明白沒有，呵。
2樓：機電
場效電晶體組成的h橋驅動電路
3樓：磨刀_老頭
在印象中，管子的資料引數並不是直接給出電流值，而是給出需要的柵極電荷qg值，通過一定的計算得到對驅動電路的要求。很抱歉，具體細節淡忘了，只是給一個提示，你可以再找資料看看。
4樓：
你都說了是電壓驅動器件了怎麼會有電流呢？
mosfet是這樣，vgs大於vth了，並且vds不是0，這樣d，s兩級間就會產生電流。如果vgs不到vth，或者是0，理想情況是源漏無電流，但實際情況是有亞閾值電流或叫漏電流，一般很小，當vth很小，整合度高，線度小（比如45nm技術）的時候就要考慮了，他是靜態功耗的主要**。
而理想狀態的柵極是沒有電流流向源或漏極的。但實際情況是會有柵漏電流產生，依然很小一般忽略
總之，mos和電晶體工作原理是有區別的。一個是電壓驅動，一個是電流驅動 柵級接電阻？應該還接其他位置了吧？直接串聯麼？沒見過。方便就發圖上來研究研究
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blackpink 羅捷 就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所加v...