貼片場效電晶體型號，貼片場效電晶體，主要引數看什麼？

1樓：匿名使用者

型號有兩種命名方法。

第一種命名方法與雙極型三極體相同，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表材料，d是p型矽，反型層是n溝道；c是n型矽p溝道。例如,3dj6d是結型p溝道場效應三極體，3do6c是絕緣柵型n溝道場效應三極體。

第二種命名方法是cs××#，cs代表場效電晶體，××以數字代表型號的序號，#用字母代表同一型號中的不同規格。例如cs14a、cs45g等。

使用時主要關注的引數有：

1、idss—飽和漏源電流。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，柵極電壓ugs=0時的漏源電流。

2、up—夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。

3、ut—開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。

4、gm—跨導。是表示柵源電壓ugs—對漏極電流id的控制能力，即漏極電流id變化量與柵源電壓ugs變化量的比值。gm是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。

5、buds—漏源擊穿電壓。是指柵源電壓ugs一定時，場效電晶體正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項極限引數，加在場效電晶體上的工作電壓必須小於buds。

6、pdsm—最大耗散功率。也是一項極限引數，是指場效電晶體效能不變壞時所允許的最大漏源耗散功率。使用時，場效電晶體實際功耗應小於pdsm並留有一定餘量。

7、idsm—最大漏源電流。是一項極限引數，是指場效電晶體正常工作時，漏源間所允許通過的最大電流。場效電晶體的工作電流不應超過idsm。

2樓：

具體引數呢？？封裝形式？to263，to252，sot223，sot89

貼片場效電晶體，主要引數看什麼？

3樓：董事長老豆

1、封裝--首先,封裝要選得對,要是封裝不對最好的管子都沒用。

2、耐壓(最大工作電壓vdss),vdss不是越大越好,一般=工作電壓×2就夠。

3、最大工作電流(id),id一般比實際工作電流大一些為好(2倍以上)。

4、sd導通正向壓降(vsd)越小越好,大了容易發熱。。(一般耐壓越高的管子,vgd就越大)

5、柵極閾值電壓(vgs),即柵極有效控制電壓。(一般耐壓越高的管子,vgs就越高)

6、sd導通電阻(rds),rds越小越好,rds與vsd成正比。

貼片場效電晶體

4樓：大巴山裡的娃

得看你多大功復率了，是制高壓mos 還是低壓mos 。以我bai們工廠為du例 to-263的貼片低壓mos可封zhi裝120n10 （120a 100v ） 100n120（100a 120v），如果是dao

高壓mos 那就400-600v的 to-263封裝的常用到的12n、18n、20n類似產品 to-252的就是2n\ 4n \6n\系列產品，可聯絡給你一些詳細資料

5樓：匿名使用者

貼片抄場效電晶體具有輸入襲阻抗高、噪聲低、動態範圍大、交叉調製失真小等特點。貼片場效電晶體分為結型場效電晶體(jfet)和絕緣柵場效電晶體(mosfet)。jfet主要用於小訊號場合，mosfet既有用於小訊號場合的，也有用於功率放大或驅動的場合的。

可見，場效電晶體的外形結構與電晶體十分相似，應注意區分，場效電晶體g、s、d極分別相當於電晶體的b、e、c極。