1樓：匿名使用者
從結構上看，n溝道耗盡型mos管與n溝道增強型mos管基本相似,其區別僅在於柵－源極間電壓vgs=0時，耗盡型mos管中的漏－源極間已有導電溝道產生，而增強型mos管要在vgs≥vt時才出現導電溝道。原因是製造n溝道耗盡型mos管時，在sio2絕緣層中摻入了大量的鹼金屬正離子na+或k+(製造p溝道耗盡型mos管時摻入負離子)，如圖1(a)所示，因此即使vgs=0時，在這些正離子產生的電場作用下，漏－源極間的p型襯底表面也能感應生成n溝道(稱為初始溝道)，只要加上正向電壓vds，就有電流id。如果加上正的vgs，柵極與n溝道間的電場將在溝道中吸引來更多的電子，溝道加寬，溝道電阻變小，id增大。
反之vgs為負時，溝道中感應的電子減少，溝道變窄，溝道電阻變大，id減小。當vgs負向增加到某一數值時，導電溝道消失，id趨於零，管子截止，故稱為耗盡型。溝道消失時的柵-源電壓稱為夾斷電壓，仍用vp表示。
與n溝道結型場效電晶體相同，n溝道耗盡型mos管的夾斷電壓vp也為負值，但是，前者只能在vgs<0的情況下工作。而後者在vgs=0，vgs>0，vp 2樓：匿名使用者 憑感覺來好了！！！！ mos管怎麼測出哪個d漏極哪個s源極 3樓：匿名使用者 一、因為mos管有bai體二極體，所以：du1、如果是zhinmos，用萬用表二極dao管檔量mos管體二極體導通的兩版腳，正極是權s極，負極是d極，剩下的是g極。 2、如果是pmos，用萬用表二極體檔量mos管體二極體導通的兩腳，正極是d極，負極是s極，剩下的是g極。 二、說明： 1、下圖是用萬用表二極體檔測量二極體的導通及其壓降： 用萬用表二極體檔測量二極體 2、nmos示意圖如下，供分析參考： nmos 3、pmos示意圖如下，供分析參考： pmos mos管的引腳，g、s、d分別代表什麼？ 4樓：為江山放棄了愛 g：gate 柵極；s：source 源極；d：drain 漏極。n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。增強耗盡接法基本一樣。 電晶體有n型channel所有它稱為n-channel mos管，或nmos。p-channel mos（pmos）管也存在，是一個由輕摻雜的n型backgate和p型source和drain組成的pmos管。 擴充套件資料 mos管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。 無論n型或者p型mos管，其工作原理本質是一樣的。mos管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。mos管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷儲存效應，因此在開關應用中，mos管的開關速度應該比三極體快。
5樓：匿名使用者 g：gate 柵極 s：source 源極 d：drain 漏極 mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應電晶體。市面上常有的一般為n溝道和p溝道。n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。 6樓：獨行沒趣 mos管也叫場效電晶體，它是一種半導體器件。它分別有三個極，d-極（也叫漏極）、g-極（也叫柵極）、s-極（也叫源極）。它的特性有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。 7樓：匿名使用者 n溝道的電源一般接在d，輸出s，p溝道的電源一般接在s，輸出d。 增強耗盡接法基本一樣。 p是指p溝道,n是指n溝道。 g：gate 柵極 s：source 源極 d：drain 漏極 說得夠明白了。 怎麼判斷mos管是n溝道還是p溝道？ 8樓：綦映任慧穎 n溝道和p溝道的場管導通條件有何不同，是不是隻是電流方向的不同（d到s，s到d）。感謝各位先知！ 9樓：不端恭樂欣 指標表判斷 抄n-p溝方法(10k檔):n溝mos管:紅表筆接襲(d)，黑表bai筆接(s)，指標滿偏。 dup溝mos管:跟n溝mos管測量現象相反。數字表zhi判斷n-p溝方法(二極體 dao檔):n溝mos管:黑表筆接(d)，紅表筆接(s)，顯示500左右數字。p溝mos管:跟n溝mos管測量現象相反。備註:d就是外殼。 10樓：匿名使用者 萬用表打二極體檔，g極不管它，黑表筆接d極，紅表筆接s極能導通的話就是n溝道，反過來表筆互換能導通就是p溝道，導通電壓一般0.4-0.7v，這樣能明白了吧 在g極懸空的條件下，增強型n溝道mosfet的d極和s極之間的的電壓比較的大，是不是會導致d與s的導通呢。 11樓：折騰嗎 實際所有n溝道mos場效電晶體都有一個s極指向d極的“寄生二極體”（p溝道是不過g極禁止懸空，以免靜電擊穿！ c. 正電壓 不過g極禁止懸空， 12樓：匿名使用者 會的，當vds高到一定程度以後，會使寄生在ds之間的body diode擊穿，從而導通，導通後極有可能燒壞。 vds瞬間過高，也會導致g極上產生電壓，從而出現擎住效應，致使器件導通、燒壞。 王炸學姐 京n是北京市順義區的車牌。北京汽車車牌字母縮寫不完全代表北京的行政區域。車牌字母是按26個英文字母順序往下延伸的，從京a開始，用完當前字母裡的所有數字序號之後就起用一個新的英文字母。具體代表如下 1 a b為計程車 2 c e f g 遠郊區縣，0 1 2房山區，a k l通州區，b m門... 王炸學姐 京n是北京市順義區的車牌。北京汽車車牌字母縮寫不完全代表北京的行政區域。車牌字母是按26個英文字母順序往下延伸的，從京a開始，用完當前字母裡的所有數字序號之後就起用一個新的英文字母。具體代表如下 1 a b為計程車 2 c e f g 遠郊區縣，0 1 2房山區，a k l通州區，b m門... jiangyou李 京n是自編拍照，是城區的。補充 北京車牌知識 北京車牌不像各省一樣，每個字母代表不同的地市含義。北京車牌字母一般來說除個別字母外，大多數沒什麼特殊含義。少數有特殊含義的 如京b，表示計程車。京p n的字母，其實就是延續前面京k 京m字母的車牌，只不過車太多了，前面m的用完了，因此...京n是北京哪個區的車牌，京N是北京哪個地方的車牌號？
京N是北京哪個區的牌照，京n是北京哪個區的車牌？
“京N”是北京什麼地區，京n是北京哪個區的車牌？