1樓：匿名使用者
以n溝道mos場效電晶體5n60c為例，來詳細介紹一下具體的測量方法。
1.n溝道mos場效電晶體好壞的測量方法
2.用數字萬用表二極體檔正向測量5n60c的d-s兩極。
測量5n60c好壞時，首先將萬用表量程開關調至二極體檔，將5n60c的g極懸空，用紅黑表筆分別接觸5n60c的d-s兩極，若是好的管子，萬用表顯示為「ol」，即溢位（見上圖）。
3.用數字萬用表二極體檔反向測量5n60c的d-s兩極。
然後調換紅黑表筆，再去測量d-s兩極，則萬用表顯示的讀數為一個矽二極體的正向壓降（見上圖）。
若mos場效電晶體內部d-s兩極之間的寄生二極體擊穿損壞，用二極體檔測量時，萬用表顯示的讀數接近於零。
4.用萬用表的二極體檔給5n60c柵源兩極（g-s兩極）之間的電容充電。對於n溝道mos場效電晶體充電時，紅表筆應接管子的g極，黑表筆接管子的s極。
在測量完5n60c的d-s兩極，並且確實是好的之後，然後用二極體檔給mos場效電晶體的柵源兩極之間的電容充電。
由於mos場效電晶體的輸入電阻在gω級（gω讀作吉歐，1gω＝1000mω），數字萬用表二極體檔的開路測量電壓約為2.8～3v，故用二極體檔的測量電壓給mos場效電晶體的柵源兩極之間的電容充電後，可以使mos場效電晶體d-s兩極之間的電阻變得很小，故用這個方法可以測量場效電晶體g-s兩極之間是否損壞。
5.5n60c的g-s兩極間的電容充電後，用電阻檔實測d-s兩極之間的正向電阻為155.4ω。
6.用萬用表電阻檔實測5n60c的d-s兩極之間的反向電阻為67.2ω。
上面為一個好的n溝道mos場效電晶體的測量資料。對於p溝道mos場效電晶體的測量方法與上述測量一樣，只是萬用表表筆需要調換一下極性。
2樓：技能兩分鐘
mos管導通前後有什麼區別？怎麼用萬用表檢測mos管的好壞？和三極體方法一樣嗎？
3樓：匿名使用者
測量的場管為irf610
先把三隻管腳短接，數字萬用表打到二極檔測試1.黑筆接d極，紅筆接s極，萬用表顯示數值5622.黑筆不變，紅筆接g極，萬用表顯示數值13.
黑筆不變，紅筆再接回s極，萬用表顯示數值2304.紅筆接d極，黑筆接s極，萬用表顯示數值15605.紅筆接d極，黑筆接g極，萬用表顯示數值16.
紅筆接d極，黑筆再接回s極，萬用表顯示數值1
4樓：匿名使用者
k2485 6a.900v
cd4069是六路反相器
25n120是電磁爐igbt引數為25a1200v
5樓：匿名使用者
萬用表檢測mos管好壞的簡便方法
1.用黑表筆接在d極上，紅表筆接在s極上，一般有一個500-600的阻值
2.在黑表筆不動的前提下，用紅表筆點一下g極，然後再用紅表筆測s極，就會出現導通
3.紅表筆接d極，黑表筆點一下g極後再接s極，測得的阻值和1測的是一樣的則說明mos管工作正常
6樓：匿名使用者
方法原理是：萬用表置於二極體通斷檔後，表筆間有1點幾伏電壓，紅表筆為正，黑表筆為負，當黑表筆接s，紅表筆接g時，相當於1點幾伏電壓給g-s電容充電，由於mos管g-s間阻抗非常高，相當於絕緣體，所以g-s電容儲存的電荷不會立刻消失。加上mos管的開啟電壓很低，只有零點幾伏，所以此時測量d-s間導通狀態就顯示導通了。
如果紅表筆接d，黑表筆接g，則相當於給g極施加反向電壓，d-s間就截止了。 n溝道管：數字萬用表置於二極體通斷檔，黑表筆接s極不動，紅表筆碰觸一下g極，然後再接d極，此時應該呈導通狀態；然後紅表筆接d極不動，黑表筆碰觸一下g極再返回接觸s極，此時應該不通。
p溝道管：方法跟檢測n溝道管一樣，只是紅黑表筆對調就可以了。因為n-mos管和p-mos管二者極性正好相反。
mos管用數字萬用表怎麼測其好壞及引腳？
7樓：nice青天白日
用數字萬用表測量mos管好壞及引腳的方法：以n溝道mos場效電晶體為例。
一、先確定mos管的引腳：
1、先對mos管放電，將三個腳短路即可；
1、首先找出場效電晶體的d極（漏極）。對於to-252、to-220這類封裝的帶有散熱片的場效電晶體，它們的散熱片在內部是與管子的d極相連的，故我們可用數字萬用表的二極體檔測量管子的各個引腳，哪個引腳與散熱片相連，哪個引腳就是d極。
2、找到d極後，將萬用表調至二極體檔；
3、用黑表筆接觸管子的d極，用紅表筆分別接觸管子的另外兩個引腳。若接觸到某個引腳時，萬用表顯示的讀數為一個矽二極體的正向壓降，那麼該引腳即為s極（源極），剩下的那個引腳即為g極（柵極）。
二、mos管好壞的測量：
1、當把紅表筆放在s極上，黑表筆放在d極上，可以測出來這個導通壓降，一般在0.5 v左右為正常；
2、g腳測量，需要先對g極充下電，把紅表筆放在g極，黑表筆放在s極；
3、再次把紅表筆放在s極上，黑表筆放在d極上，可以測出來這個放大壓降，一般在0.3 v左右為正常；
擴充套件資料
mos管的主要引數
1、開啟電壓vt
開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極s和漏極d之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
標準的n溝道mos管，vt約為3～6v；通過工藝上的改進，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2、 直流輸入電阻rgs
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時以流過柵極的柵流表示
mos管的rgs可以很容易地超過1010ω。
3.、漏源擊穿電壓bvds
在vgs=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使id開始劇增時的vds稱為漏源擊穿電壓bvds
id劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿；
（2）漏源極間的穿通擊穿；
有些mos管中，其溝道長度較短，不斷增加vds會使漏區的耗盡層一直擴充套件到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的id。
4、柵源擊穿電壓bvgs
在增加柵源電壓過程中，使柵極電流ig由零開始劇增時的vgs，稱為柵源擊穿電壓bvgs。
5、低頻跨導gm
在vds為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導；
gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力，是表徵mos管放大能力的一個重要引數
一般在十分之幾至幾ma/v的範圍內
6、導通電阻ron
導通電阻ron說明了vds對id的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
在飽和區，id幾乎不隨vds改變，ron的數值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由於在數位電路中 ，mos管導通時經常工作在vds=0的狀態下，所以這時的導通電阻ron可用原點的ron來近似
·對一般的mos管而言，ron的數值在幾百歐以內
7、極間電容
三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
cgs和cgd約為1～3pf，cds約在0.1～1pf之間
8、低頻噪聲係數nf
噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有訊號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
噪聲效能的大小通常用噪聲係數nf來表示，它的單位為分貝（db）。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
低頻噪聲係數是在低頻範圍內測出的噪聲係數
場效電晶體的噪聲係數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小
8樓：技能兩分鐘
mos管導通前後有什麼區別？怎麼用萬用表檢測mos管的好壞？和三極體方法一樣嗎？
9樓：匿名使用者
檢測mos管之前先將mos管三個引腳短接放電防止測量誤差，然後將數字萬用表打到二極體檔位，紅表筆插入vω孔黑表筆插入com孔，將紅表筆接d級，黑表筆接g級正常應該為「1」然後調換表筆，將紅表筆接d級黑表筆接s級值應該也是「1」然後將黑表筆接d級紅表筆接g級應該有一組數值為300-700歐的數值。如果有的話mos管就是好的，如果測量幾組的數值都是「1」則管子開路，如果測量中有一組數值為「000」則管子短路，檢測前必須放電，如果不放電的話，測量mos管ds級是導通的，你會誤認為是短路擊穿，所以必須要先放電然後再去檢測。
放電方法，短路 dgs三個引腳。
10樓：冷白容
結型場效電晶體（jfet）可用作恆流源（只連線d-s腳，g極懸空或與d、s任一腳短接， 此時它的最大電流是恆定的，根據型號不同而不同？？）；根據其輸入阻抗遠高於三極體（bjt）的特點，可用於將微小的訊號放大，例如話筒，等。
jfet的測量，根據其d-s極在常態下呈導通狀態的特點，用數字表二極體檔測到某管的兩個腳正、反向二極值相同，即懷疑是jfet，所接的兩腳是d、s極；然後紅筆接g極，黑筆分別接d、s極，若導通即判斷為n溝道jfet；黑筆接g極，紅筆分別接d、s極，若導通即為p溝道jfet。
對於mosfet，常用的是n或p溝道增強型， 耗盡型mos管很少用？？
nmos常用作開關電源功率開關管，線性調壓管，等；pmos可用於電子開關，例如控制散熱風扇。（nmos似乎比pmos更常用，因為nmos管的導通耗散功率較小？？）
to-220封裝的nmos或pmos的中間腳是d極，左邊是g極,右邊是s極。mos管通常在d-s極之間內建一個保護二極體。如果測到s-d的二極值為500左右，即為nmos。
判斷mos管的好壞，根據只要給g極內部的電容充電，d-s極之間即雙向導通的特點來判斷。首先將mos管的三個腳短接進行放電，用數字表二極體檔，紅筆接s極，黑筆接d極，顯示數值為500左右，判斷這個管為nmos。然後，黑筆不動，紅筆移至g極，給g極內部的電容充正向電壓，然後紅筆轉回來接s極，此時d-s極應雙向導通（隨著g極內部電容的放電，d-s極間的阻值會逐漸變大）。
然後又短接管子的三個腳，調換表筆，紅筆接d極，黑筆接s極，顯示數值為無窮大；然後紅筆接g極，黑筆接s極，給g極內部的電容充正向電壓，然後可測得d-s之間雙向導通。
補充：一般nmos的開啟電壓在2-4v之間，但是注意這個電壓僅僅是導電溝道開始形成時的電壓，如果要形成比較完整的溝道（即完全導通），電壓往往要上升到10v左右才好。所以測量mos管的好壞，數字萬用表的二極體檔供電壓應為3v，或用機械萬用表的r*10k檔。
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