1樓：匿名使用者
形成pn結的過程中，因多子擴散而形成內電場 ，同時加大的內電場加強了少子的漂移， 它與擴散運動相反，使空間電荷區變窄， 直到漂移運動與擴散運動相當時， pn結動態穩定下來。
當外加反偏時， 內外電場力方向相同， 在外電場作用下，多子背離pn結運動，空間電荷區變寬 ，加厚了pn結 ，加強了少子的漂移運動 流過一個很小的反向電流。
2樓：匿名使用者
先說pn結，p區為負 n區為正，形成內電場 ，阻止擴散，那麼截流子就不能進行相互的擴散形成電流。 飄逸使得pn結p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子減少，所以pn結變薄，內電場減弱，擴散變得容易，形成電流更加容易。但加反偏電壓時，更加導致pn結點中空穴 更加離開pn結點向p區（是p區而不n區），同理pn結點自由電子向n區移動。
這就造成p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子更多。pn結點加厚，其產生漂移電場加強，阻止擴散運動，如果空穴不能到n區，自由電子不能到p區 ，如此便行不成電流。所以電阻很大。
當然加正偏電壓就反過來了
3樓：匿名使用者
p區為負 n區為正，形成內電場 ，阻止擴散，那麼截流子就不能進行相互的擴散形成電流。 飄逸使得pn結p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子減少，所以pn結變薄，內電場減弱，擴散變得容易，形成電流更加容易。同理pn結點自由電子向n區移動。
這就造成p區不能移動帶負電粒子和n區不能移動帶正電粒子更多。pn結點加厚，其產生漂移電場加強，阻止擴散運動，如果空穴不能到n區，自由電子不能到p區 ，如此便行不成電流。所以電阻很大。
PN接面的應用，哪些器件中應用到PN接面？
根據pn結的材料 摻雜分佈 幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以製造多種功能的晶體二極體。如利用pn結單向導電性可以製作整流二極體 檢波二極體和開關二極體，利用擊穿特性製作穩壓二極體和雪崩二極體 利用高摻雜pn結隧道效應制作隧道二極體 利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極體。使半導體的光電...
PN接面是什麼
f12是幫助 pn結 pn junction 採用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將p型半導體與n型半導體制作在同一塊半導體 通常是矽或鍺 基片上，在它們的交介面就形成空間電荷區稱pn結。pn結具有單向導電性。p是positive的縮寫，n是negative的縮寫，表明正荷子與負荷子起作用的特點。一塊...
PN接面與PIN結的區別
pn結和pin結是兩種最基本的器件結構，也是兩種重要的二極體。從結構和導電機理上來說，它們有許多共同點，但是也存在不少的差異。l 相同點 1 都存在空間電荷區和勢壘區，則都有勢壘電容 2 都具有單向導電性和相應的整流作用，則都可用作為二極體 3 在高的反向電壓下，都有可能發生絕緣擊穿的現象，因此都存...