1樓：匿名使用者
pn二極體即由p區和n區構成，p區多數載子為空穴（＋）n區多子為電子（－）結合在一起之後結合處空穴與電子複合形成一定寬度的耗盡區，同時p區一段距離內留下不能移動的負電荷，n區一段距離內留下不能移動的正電荷，這一段耗盡區又稱為空間電荷區，內形成電場，方向從n區指向p區。電場力量導致載流子的漂移運動，電子p－>n，空穴n－>p，而本省p和n區的載流子濃度又造成相應的擴散運動，電子n－>p，空穴p－>n，這兩種運動會達成一定的平衡。如果pn結加正向偏置電壓p（＋）n（－）就會加據擴散運動而抑制飄逸運動，當然擴散運動是多子的擴散，所以加正向電壓會形成一定的電流。
如果pn結加反向偏置電壓p（－）n（＋）就會加據飄逸運動而抑制擴散運動，因為飄逸運動是少子的飄逸，所以反向電壓如果小於一定程度電流是比較小的，可以忽略。但是若反向電壓如果到達一定程度，pn結會被擊穿，這裡有三種機制導致：1.
雪崩擊穿因為耗盡區的電場方向和外加電場方向一致，導致電場很大，電子在電場中被加速到一定的速度之後撞擊晶格形成電子－空穴對，被撞擊出來的電子又被加速撞擊其他的晶格。這樣反覆形成很多載流子在電常方向上運動從而形成電流。因為效果很象雪崩效應，所以叫雪崩擊穿。
多見於pn結濃度較低，耗盡區叫寬的pn結。2.齊納擊穿多見於pn結慘雜濃度較高的pn結。
因為耗盡區電場很大，強電場直接破壞晶格形成電子－空穴對，電子－空穴對又在電場下運動從而形成電流。3.熱電擊穿未擊穿時反向電流雖小，但是乘於反向電壓也會有一定的耗散功率產生，功耗產生熱。
如果散熱不好溫度上升，因為反向電流是隨著溫度成指數關係上升的，所以當溫度上升到一定之後，電流會很大，造成擊穿。pn結的i－v curve可知道，pn結反向擊穿後電流迅速上升但是電壓卻變化的很慢，所以所以此時的pn結可以用來做穩壓管。
2樓：匿名使用者
由於電壓啊 你就把電流想象成水 水壓高了水自然就流的快了 這樣的問題最好放到教育科學--理工科--資訊科學 那個類別裡面去 那裡面這方面高手多些。
P N結正向偏置電壓與反向偏置電壓的區別
無畏無知者 這裡，pn結就是個二極體了，當加上的偏置電壓與二極體極性相同，則這個偏置電壓就叫正向偏置電壓，反之就叫反向偏置電壓 當二極體加上正向偏置電壓足夠大時 壓差 0.6v 會使二極體導通 當二極體加上反向偏置電壓時，會使二極體保持截止 當反向偏置電壓足夠大時，會使二極體發生擊穿現象，或損壞，或...
漂移運動使PN接面變薄,但反偏時,PN接面電場加強,漂移運動加強,而PN接面變厚
形成pn結的過程中，因多子擴散而形成內電場 同時加大的內電場加強了少子的漂移，它與擴散運動相反，使空間電荷區變窄，直到漂移運動與擴散運動相當時，pn結動態穩定下來。當外加反偏時，內外電場力方向相同，在外電場作用下，多子背離pn結運動，空間電荷區變寬 加厚了pn結 加強了少子的漂移運動 流過一個很小的...
二極體兩端加正向電壓時，二極體加反向電壓時，二極體
月似當時 二極體加正向電壓時，二極體導通。加反向電壓時，二極體截止。因此，二極體的導通和截止，則相當於開關的接通與斷開。晶體二極體一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其介面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓，pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等...