1樓：
mos是「金屬-氧化物-半導體」的縮寫,mos電路由mosfet（場效電晶體）構成,mosfet的柵極與襯底及其他部分有絕緣層隔離,因此柵-襯間的電阻極大,而mos電路的輸入內部就是與柵極相接,所以輸入阻抗高。mos是「金屬-氧化物-半導體」的縮寫,mos電路由mosfet（場效電晶體）構成,mosfet的柵極與襯底及其他部分有絕緣層隔離,因此柵-襯間的電阻極大,而mos電路的輸入內部就是與柵極相接,所以輸入阻抗高。
2樓：匿名使用者
mos是metal oxide semiconductor即「金屬-氧化物-半導體」的縮寫,俗稱絕緣柵性場效電晶體，也是三極體的一個型別，最大特點就是輸入阻抗大！就是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化矽絕緣層，因此它的輸入阻抗高，對輸入電路的電壓，電流和輸出阻抗要求很低。
3樓：平毅然
場效電晶體是具有電場效應的電晶體，它在g極電壓所產生的電場作用下工作。它的g極和d極、s極實際上是隔離的，所以g極的輸入電流可以忽略不計，這樣就有非常高的輸入阻抗了。
4樓：
，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。mos管輸入阻抗很大
5樓：
mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。
mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。
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mos管輸入阻抗很大
6樓：
源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以'
7樓：
是有mos管的特性決定的，mos管輸入阻抗很大（柵極源極之間有一層氧化層），輸入阻抗大，對微弱訊號的捕捉能力就很強（簡單地把干擾源等效為一個理想電壓源和一個內阻的串聯，根據分壓原理可知輸入電阻越大輸入的分壓越大），所以懸空時很容易受周圍訊號的干擾。
8樓：北前
mos是「金-半,由mosfet（場效電晶體）構成,mosfet底及其他部分有絕緣層隔離,因此柵-襯間的電阻極大,而mos電路的輸入內部就是與柵極相接,所以輸入阻抗高.
為什麼mos管輸入阻抗大 消耗的電流就越小 這是從哪個方面考慮的
9樓：匿名使用者
mos管的輸入電流等於輸入電壓除以輸入電阻，所以輸入阻抗越大，輸入電流就越小，這是電學上最基本的物理定律之一——歐姆定律。
10樓：匿名使用者
mos輸入阻抗近似絕緣可這樣一試d、s加上正常電壓，用筆或其它塑料在頭髮上摩擦後即靠近g極，就知道它輸入功率有多小了
11樓：匿名使用者
正是因為輸入阻抗大 ，所以消耗的電流才小，這樣要求前級不用提供太大的電流
如題，比如mos管就是這樣，內阻小，輸入阻抗高，內阻和輸入阻抗的定義是不是一回事？請回答的儘量詳細！謝
12樓：匿名使用者
'內阻"除了可以指輸入阻抗，也可能指輸出阻抗，確切意義要看具體場合，所以內阻和輸入阻抗的定義不完全是一回事。在 你舉出的那句話——比如mos管就是這樣，內阻小，輸入阻抗高——裡，「內阻」就是指輸出阻抗。
13樓：雲天人人
這個說法比較形象,這裡的內阻就是源極合漏極之間看去的等效電阻,輸入阻抗就是柵極和源極看進去的一個等效電阻...這個說法雖然不是很對,但應該算比較好理解
14樓：匿名使用者
我好久沒涉及電子技術了，多看書。
關於mos電路 高阻抗的特點 的問題
15樓：匿名使用者
mos是「金屬-氧化物-半導體」的縮寫，mos電路由mosfet（場效電晶體）構成，mosfet的柵極與襯底及其他部分有絕緣層隔離，因此柵-襯間的電阻極大，而mos電路的輸入內部就是與柵極相接，所以輸入阻抗高。
負載電阻值小，所需的輸出電流就大，稱為負載重（或大），反之則反。mos電路的輸入就是前級電路的負載，其輸入阻抗高，故「直流負載很小，幾乎不取用前級訊號電流」。
16樓：狂躁的刺蝟
說實話··解釋起來太麻煩了··還是建議你自己找電子基礎類的書，從最基本的惡補一下吧··
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