1樓：
這個問題你要抓住本質來看。
nand flash和nor flash是做什麼用的，為什麼嵌入式系統裡要用到他們？
其實，上述兩個flash只是儲存晶片，相當於電腦的記憶體，另外還有一個dram或者sdram。
嵌入式系統裡為什麼要用到flash或者dram呢，很顯然，是用來儲存東西的，flash特點是掉電能儲存，所以，一般用來儲存程式**或者常數資料，或者是掉電必須儲存的資料。dram掉電不儲存，但是幾乎可以無限修改，所以一般用來做變數的儲存和跑程式。
那麼是不是嵌入式系統裡必須有flash和dram呢？答案是必須的，不然你的程式和變數怎麼儲存和執行呢？
那麼嵌入式系統裡必須要有nand flash和norflash嗎？答案是不是必須的。
如果你用的主mcu，晶片內部整合了大容量的flash和dram，就不必要擴充套件外部的flash，比如說mtk62系列的晶片，就是我們常說的山寨手機，就沒有外擴的dram和flash.
如果你用的主mcu，晶片內部沒有整合，或者整合的很小容量的flash，你就要自己擴充套件flash，可能是單獨的nand flash，也可以能是單獨的norflash，也可能是兩者都有。如果你的程式很大，需要儲存的資料也很大，比如說，你用三星的s3c24xx做主mcu，而跑linux系統，那麼，就兩者都需要。如果你用三星的s3c44b0，跑ucos-ii，那麼，只要其中一個就行了，一般只要norflash就行了，當然，上述的兩個還要dram。
而現在的高階手機，通常用的高階的mcu，比如cortex-a9 系列的mcu，這些mcu通常整合的flash和dram容量比較小，而跑的程式量比較大，所以，都要外擴上述兩種flash.
簡而言之，就是，一個嵌入式作業系統，到底是否需要用到nandflash和norflash，是由系統的大小和你所採用的mcu來決定的，這是一個系統規劃問題，早在進行系統開發之前，就應該規劃好的。
請問nand flash和nor flash有什麼不同？
2樓：香料魔法
1、寫入/擦除操作的時間不同
【nand flash】：擦除nand器件以8～32kb的塊進行，執行同一寫入/擦除的操作時間為4ms
【nor flash】：擦除nor器件是以64～128kb的塊進行，執行同一個寫入/擦除操作的時間為5s
2、介面不同
【nand flash】：nand flash使用較為複雜的i/o口來序列地存取資料，並且各個產品或廠商的方法可能各不相同。
【nor flash】：nor flash為sram介面，擁有足夠的地址引腳用於定址。
3、容量成本不同
【nand flash】：nand flash的單元尺寸大約為nor器件的一半，由於生產過程更為簡單，因此**較低。
【nor flash】：nor flash單元尺寸較大，生產過程也較為複雜，因此**較高。
4、耐用性不同
【nand flash】：nand快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次。
【nor flash】：nor快閃記憶體中每個塊的最大擦寫次數是十萬次。
3樓：匿名使用者
1：nor flash隨機傳輸效率比nand flash 高。
原理：norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組。nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，各個產品或廠商的方法可能各不相同 。
8個引腳用來傳送控制、地址和資料資訊。
2：nand flash比nor flash更加易於使用。
原理：可以非常直接地使用基於nor的快閃記憶體，可以像其他儲存器那樣連線，並可以在上面直 接執行**。由於需要i/o介面，nand要複雜得多。
各種nand器件的存取方法因廠家而異。在使用nand器件時，必須先寫入驅動程式，才能繼續執行其他操作。
向nand器件寫 入資訊需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞 塊寫入，這就意味著在nand器件上自始至終都必須進行虛擬對映。
3：norflash的升級較為麻煩，因為不同容量的norflash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的norflash晶片時不方便。而不同容量的nandflash的介面是固定的，所以升級簡單。
4：讀操作：nor的讀速度比nand稍快一些。
擴充套件資料
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。
但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**並且需要多次擦寫，這時nor快閃記憶體更適合一些。
而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。
4樓：小明
一、兩者區別：
1、儲存架構不一樣：
在nor快閃記憶體中，每個儲存器單元的一端連線到源極線，另一端直接連線到類似於nor門的位線；
在nand快閃記憶體中，幾個儲存器單元（通常是8個單元）串聯連線，類似於nand門；
2、儲存容量不一樣：
nor快閃記憶體的密度範圍從64mb到2gb；
nand快閃記憶體通常具有1gb至16gb的容量；
3、擦除/讀寫不一樣：
nand快閃記憶體s34ml04g2需要3.5ms才能擦除128kb塊，而nor快閃記憶體s70gl02gt則需要約520ms來擦除類似的128kb扇區。
4、能耗不一樣：nand flash在擦除，寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對較低；
5、可靠性不一樣：
nor flash快閃記憶體s70gl02gt提供20年的資料保留，最高可達1k程式設計/擦除週期，nand快閃記憶體s34ml04g2提供10年的典型資料保留；
6、介面為一樣：
norflash帶有sram介面，有足夠的地址引腳來定址，可以很容易地存取其內部的每 一個位元組；
nand器件使用複雜的i/o口來序列地存取資料，
二、兩者應用場景：
1、nor快閃記憶體是需要較低容量、快速隨機讀取訪問和更高資料可靠性的應用的理想選擇，例如**執行所需；
2、nand快閃記憶體則非常適用於需要更高記憶體容量和更快寫入和擦除操作的資料儲存等應用；nand-flash儲存器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用於大量資料的儲存，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、***隨身聽記憶卡、體積小巧的u盤等
擴充套件資料
nand型快閃記憶體以塊為單位進行擦除操作。快閃記憶體的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有資料，必須先擦除後寫入，因此擦除操作是快閃記憶體的基本操作。
而sram (static ram，靜態隨機儲存器) - 此類靜態ram的執行速度非常快，也非常昂貴，其體積相對來說也比較大。今天我們常說的cpu內的一級、二級快取就是使用了此sram。
英特爾的 pentium iii coppermine cpu中結合有256kb的全速二級快取，這實際上就是一種sram。非常不幸得就是 此種sram與其"夥伴"dram相比非常地昂貴，因此在cpu內只能使用少量的sram，以降低處理器的生產成本；
不過由於sram的特點---高速 度，因此對提高系統效能非常有幫助。處理器內的一級快取，其執行頻率與cpu的時鐘同步；而二級快取可以整合在cpu中，也可以位於如一些slot-1 cpu的邊上。
參考資料
5樓：匿名使用者
1、儲存架構不同
nor flash架構提供足夠的地址線來對映整個儲存器範圍。這提供了隨機訪問和短讀取時間的優勢，這使其成為**執行的理想選擇。另一個優點是100％已知的零件壽命。
缺點包括較大的單元尺寸導致每位元的較高成本和較慢的寫入和擦除速度。
與nor快閃記憶體相比，nand快閃記憶體具有更小的單元尺寸和更高的寫入和擦除速度。缺點包括較慢的讀取速度和i / o對映型別或間接介面，這更復雜並且不允許隨機訪問。值得注意的是，nand flash中的**執行是通過將內容對映到ram來實現的，這與直接從nor flash執行**不同。
2、儲存容量不同
與nor快閃記憶體相比，nand快閃記憶體的密度要高得多，主要是因為其每位元成本較低。nand快閃記憶體通常具有1gb至16gb的容量。nor快閃記憶體的密度範圍從64mb到2gb。
由於nand flash具有更高的密度，因此主要用於資料儲存應用。
3、擦除/讀寫不同
nand快閃記憶體中的擦除操作非常簡單，而在nor快閃記憶體中，每個位元組在擦除之前都需要寫入「0」。這使得nor快閃記憶體的擦除操作比nand快閃記憶體慢得多。例如，nand快閃記憶體s34ml04g2需要3.
5ms才能擦除128kb塊，而nor快閃記憶體s70gl02gt則需要約520ms來擦除類似的128kb扇區。
4、能耗不同
nor快閃記憶體在初始上電期間通常需要比nand快閃記憶體更多的電流。但是，nor flash的待機電流遠低於nand flash。兩個快閃記憶體的瞬時有功功率相當。
因此，有效功率由儲存器活動的持續時間決定。
nor flash在隨機讀取方面具有優勢，而nand flash在擦除，寫入和順序讀取操作中消耗的功率相對較低。
擴充套件資料
nor和nand是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。intel於2023年首先開發出nor flash技術，徹底改變了原先由eprom和eeprom一統天下的局面。
緊接著，2023年，東芝公司發表了nand flash結構，強調降低每位元的成本，更高的效能，並且象磁碟一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清nor和nand快閃記憶體。
像「flash儲存器」經常可以與相「nor儲存器」互換使用。許多業內人士也搞不清楚nand快閃記憶體技術相對於nor技術的優越之處，因為大多數情況下快閃記憶體只是用來儲存少量的**，這時nor快閃記憶體更適合一些。
在長春坐64到哪站下車有，在長春坐64到哪站下車有
長春乘坐64路公交車，可在西安大路 公交站 下車，延西安大路向東步行約400米到達重慶路上 西安大路 公交站 換乘362路公交車 64路西南公司 人民廣場 首末班 05 30 21 50 起步票價 1 元 途經站點 1 西南公司 2 西環城路 3 和平大街 4 春城大街 5 二 八醫院 6 西安廣場...
鉚釘槍型號規格有哪些，常用鉚釘規格型號有哪幾種
歐陽 有2.4系列 3.0系列 3.2系列 4.0系列 4.8系列 6.4系列。鉚釘槍使用方法 1 開始工作前先從進氣嘴注入少量潤滑油 保證鉚釘槍的工作效能和工作壽命。2 保持規定的進氣壓力。進氣壓力過小，會降低鉚錘的功率，不僅鉚接效率低，鉚釘頓頭也可能因錘擊次數過多而裂紋。3 衝頭頂緊鉚釘後才按壓...
汽車起動機型號怎麼表示，汽車起動機型號有哪些
關洱家 型號上開頭的qdj一般為起動機的縮寫，電動機是起動機內部的主要部件，起動機型號從左往右數第四個數字 qdj後的第一位數字 如果是1表示電壓等級為12v，2表示電壓等級為24v，後面的數字是廠家設計型號。起動機用三個部件來實現整個起動過程。直流電動機引入來自蓄電池的電流並且使起動機的驅動齒輪產...