1樓：煙雨重樓繞
三者在資料儲存、體積、特點不同：
1、資料儲存不同：
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。
而dram（dynamic random access memory)每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失。
sdram有一個同步介面，在響應控制輸入前會等待一個時鐘訊號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鐘被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線(pipeline)操作。這使得sdram與沒有同步介面的非同步dram(asynchronous dram)相比，可以有一個更復雜的操作模式。
2、體積不同：
相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積。
同樣面積的矽片可以做出更大容量的dram。
sdram的體積結構已經很優化了。
3、特點不同：
sram也有它的缺點，即它的整合度較低，功耗較dram大 ，通常dram是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，簡稱sdram）是有一個同步介面的動態隨機存取記憶體（dram）。
由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所儲存的電荷數量並不足以正確的判別資料，而導致資料毀損。因此對於dram來說，週期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」儲存器。
2樓：
dram，sdram和sram的區別主要包括是否需要不斷重新整理電路、體積不同：
1.sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料，sdram儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失，dram每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能。
2.sram的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，且功耗較大。
3樓：匿名使用者
我給你總結一下吧
目前電子儲存技術的標準大概是這樣的
sram：靜態隨機存取儲存器，其特點是，跟dram同樣體積的話，比dram讀寫速度快很多很多倍，結構比dram複雜不用給電容充電但是容量小，比如cpu的
一、二、**快取就是用的sram。
dram：動態隨機存取儲存器，其特點是，同樣的體積比sram容量大很多倍，但是速度要慢很多倍。而且要不斷的給電容充電重新整理不然會丟失記憶，成本低很多。
用在電腦或者手機的ddr記憶體。
sdram：是dram的一種，這裡的s不是靜態的意思而是同步的意思。電腦ddr記憶體用的就是sdram。
flash memory（快閃記憶體）：快閃記憶體分為nand flash和nor flash，nand flash的特點是：比nor flash體積小，容量大，讀寫速度快，讀寫次數壽命沒有nor flash多，而且以區塊作為最小儲存單位，不能精確到bit位儲存，容易出錯。
一般應用在tf記憶體卡，u盤記憶體儲晶片，ssd，電視和機頂盒內安卓系統（大系統程式）程式儲存晶片。
nor flash特點是：比nand flash體積大，容量小，讀寫速度慢，讀寫次數壽命非常高，讀寫時可以精確到位bit，非常可靠，不容易出錯。一般應用在電腦主機板上的bios晶片，很多數碼產品的bios晶片。
非安卓系統（小系統程式）的電視內部。
emmc和ufs：這兩種儲存晶片其實是nand flash晶片+主控晶片的合體，ufs是升級版。對外介面跟tf卡sd卡介面匯流排通用。
4樓：
g ram so，哈嘍，aw還amd他們的區別就是，僅僅的一個高速公路。
5樓：焉建茗
兩側三個英語詞的意思應該是品牌的意思吧？
6樓：匿名使用者
dram是用pn結電容儲存0/1的，由於漏電的存在，時間長了兩級板電位差會消失也就是1會變成0，所以過一段時間需要根據裡面的內容補充電荷，這叫重新整理。重新整理過程中不能讀寫。
sdram是dram的一種，增加了同步時鐘，提高了讀寫速率。從原理來說現在的ddr3也是sdram的一種。不過約定俗成的說法是sdram只包含最早的單倍速讀寫sdram
sarm儲存資料的單元是d觸發器，這種雙穩態電路的0/1狀態都是穩定的所以不需要重新整理，只要有電就能一直存下去。
從儲存密度來說，dram/sdram每個bit需要一個電晶體，而sram最少需要4個，高速sram需要6個以上，而且由於電晶體之間的互聯sram複雜得多，佔了很大的空間，所以同製程的sram容量要小的多。
從速度來說，dram/sdram需要重新整理和回寫，極速比不上sram。所以cpu的快取是sram，主記憶體用sdram
從省電的角度來說，dram/sdram要重新整理比較費電，而省電設計的sram只要一個鈕釦電池就可以儲存數年之久（比如以前的遊戲卡）
簡述rom、sram、dram與sdram的聯絡與區別。
7樓：
1、資料儲存不同
rom只能讀出事先所存資料，通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。
dram每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失。
sdram有一個同步介面，在響應控制輸入前會等待一個時鐘訊號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步，時鐘被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線操作。
2、特點不同
rom所存資料穩定，斷電後所存資料也不會改變，其結構較簡單，讀出較方便，製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動如啟動光碟。
sram的缺點是整合度較低，功耗較dram大 ，通常dram是有一個非同步介面的，這樣它可以隨時響應控制輸入的變化。
sdram是有同步介面的動態隨機存取記憶體（dram）。
對於dram來說，週期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時重新整理的特性，因此被稱為「動態」儲存器。
擴充套件資料
根據儲存材料的效能及使用方法的不同，可分為：
1、按儲存介質分類
半導體儲存器：用半導體器件組成的儲存器。
磁表面儲存器：用磁性材料做成的儲存器。
2、按儲存方式分類
隨機儲存器：任何儲存單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和儲存單元的物理位置無關。
順序儲存器：只能按某種順序來存取，存取時間與儲存單元的物理位置有關。
3、按儲存器的讀寫功能分類
只讀儲存器(rom)：儲存的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體儲存器。
隨機讀寫儲存器(ram)：既能讀出又能寫入的半導體儲存器。
4、按資訊的可儲存性分類
非永久記憶的儲存器：斷電後資訊即消失的儲存器。
永久記憶性儲存器：斷電後仍能儲存資訊的儲存器。
5、按在計算機系統中的作用分類
主儲存器（記憶體）：用於存放活動的程式和資料，其速度高、容量較小、每位價位高。
輔助儲存器（外儲存器）：主要用於存放當前不活躍的程式和資料，其速度慢、容量大、每位價位低。
緩衝儲存器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩衝作用。
8樓：狗熊貝爾
rom是隻讀記憶體（read-only memory）的簡稱，是一種只能讀出事先所存資料的固態半導體儲存器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，資料並且不會因為電源關閉而消失
dram（dynamic random access memory），即動態隨機存取儲存器最為常見的系統記憶體。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以 必須隔一段時間重新整理（refresh）一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。
（關機就會丟失資料）
sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料
sram是single-transistor dram的縮寫，中文全稱是單電晶體dram。[1]
sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。而dram（dynamic random access memory)每隔一段時間，要重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主機板上sram儲存器要佔用一部分面積
sdram:synchronous dynamic random access memory，同步動態隨機儲存器，同步是指 memory工作需要同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是自由指定地址進行資料讀寫
flash儲存器ddr儲存器ram儲存器sram儲存器dram儲存器有什麼區別？各有什麼作用？
9樓：alison劉淑婷
flash儲存器：
它屬於記憶體器件的一種，是一種非易失性( non-volatile )記憶體。快閃記憶體的物理特性與常見的記憶體有根本性的差異:目前各類 ddr 、 sdram 或者 rdram 都屬於揮發性記憶體，只要停止電流**記憶體中的資料便無法保持，因此每次電腦開機都需要把資料重新載入記憶體;快閃記憶體在沒有電流**的條件下也能夠長久地保持資料，其儲存特性相當於硬碟，這項特性正是快閃記憶體得以成為各類便攜型數字裝置的儲存介質的基礎。
ddr儲存器：
ddr=double data rate雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說ddr應該叫ddr sdram，人們習慣稱為ddr，其中，sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫，即同步動態隨機存取儲存器。而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。
ddr記憶體是在sdram記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用sdram生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通sdram的裝置稍加改進，即可實現ddr記憶體的生產，可有效的降低成本。
ram儲存器：
儲存單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與儲存單元的位置無關的儲存器。這種儲存器在斷電時將丟失其儲存內容，故主要用於儲存短時間使用的程式。 按照儲存單元的工作原理，隨機儲存器又分為靜態隨機儲存器(英文:
static ram，sram)和動態隨機儲存器(英文dynamic ram，dram)。
sram儲存器：
是static random access memory的縮寫，靜態儲存器，和動態儲存器dram相對。由於sram工作原理是依靠電晶體組合來鎖住電平，並不需要進行重新整理，只要不斷電，資料就不會丟失，因此稱為靜態ram。
dram儲存器：
dram(dynamic random access memory)，即動態隨機存取儲存器，最為常見的系統記憶體。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以必須隔一段時間重新整理(refresh)一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。
(關機就會丟失資料)
靜態RAM的特點是，靜態RAM 即SRAM 的特點是 。
1 靜態ram 用觸發器作為儲存單元存放1 和0，存取速度快，只要不掉電即可持續保持內容不變。2 與動態ram相比，靜態ram的整合度較低，並且靜態ram無須考慮保持資料而設定的重新整理電路，故擴充套件電路較簡單。3 由於靜態ram是通過有源電路來保持儲存器中的資料，因此，要消耗較多功率，也較高。 ...
微機原理 用8K 8的SRAM晶片組成64K 8的儲存器
微機原理 用8k 8的sram晶片組成64k 8的儲存器，共需sram晶片 8 片，每片sra 如果用容量為1k 4的儲存晶片構成儲存器，共需要128片晶片，其中片內地址10位，晶片地址6位。如果用容量為2k 8的儲存晶片構成儲存器，共需要32片晶片，其中片內地址11位，晶片地址5位。如果用容量為8...
IN和OF的用法區別，of和for的用法和區別？
偶爾符合愛普和哈魯的用，別在於它們的區分和用法都是不同的。為了,為 目的 to run for exercise 為鍛鍊而跑步 to go for a walk 去散步屬於 的 用的 equipment for the education教育裝置 適合於 需要 或目的 a room for slee...