1樓:銘瑄科技
1.ddr3與ddr4外觀上的區別:ddr4記憶體將下部設計為中間稍突出、邊緣變短的形狀,**到邊緣平滑曲線過渡。
此外,中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,當然我們沒必要去數這個,只記住ddr4記憶體金手指是彎曲的就可以了。
2.ddr3與ddr4的引數差異:ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到ddr3記憶體的8倍之多。
好比目前常見的單條8gb容量的ddr3(單顆晶片512mb,共16顆),ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方面,ddr4使用低於20nm的工藝來製造,電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.
2v,移動版so-dimmd dr4的電壓還會降得更低,因此功耗更低。
3.ddr3與ddr4的效能差異:頻率和位寬決定了記憶體頻寬,頻寬越高記憶體效能就越強。
ddr3記憶體傳輸速率最高到2800mhz(超頻的除外);而ddr4的傳輸速度從2133mhz起,最高可達4266mhz。很明顯,ddr4記憶體能夠達到的頻寬更高。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200就是51.
2gb/s,比ddr3-1866高出了超過70%。 現在ddr4的**過高,可以先考慮ddr3的記憶體。
記憶體d3和d4的區別
2樓:匿名使用者
一、頻率不同
1、d3:又稱ddr3,早期的800、1066到中期的1333、1600再到後期的1866、2133、2400。
2、d4:又稱ddr4,其頻率是2133起跳,常見的頻率是2133、2400、2666、2800、3000、3200這幾個,主流消費級的頻率集中在2133和2400這兩個頻率。
二、電壓不同
1、d3:工作電壓是1.5v。
2、d4:工作電壓是1.2v。
三、金手指不同
1、d3:是一條平直的線。
2、d4:金手指水平方向上進行了更改,不再是一條平直的線,而是略帶彎曲。中間略長、兩頭略短。
3樓:銘瑄科技
1.ddr3與ddr4外觀上的區別:ddr4記憶體將下部設計為中間稍突出、邊緣變短的形狀,**到邊緣平滑曲線過渡。
此外,中間的「缺口」位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,當然我們沒必要去數這個,只記住ddr4記憶體金手指是彎曲的就可以了。
2.ddr3與ddr4的引數差異:ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到ddr3記憶體的8倍之多。
好比目前常見的單條8gb容量的ddr3(單顆晶片512mb,共16顆),ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方面,ddr4使用低於20nm的工藝來製造,電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.
2v,移動版so-dimmd dr4的電壓還會降得更低,因此功耗更低。
3.ddr3與ddr4的效能差異:頻率和位寬決定了記憶體頻寬,頻寬越高記憶體效能就越強。
ddr3記憶體傳輸速率最高到2800mhz(超頻的除外);而ddr4的傳輸速度從2133mhz起,最高可達4266mhz。很明顯,ddr4記憶體能夠達到的頻寬更高。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200就是51.
2gb/s,比ddr3-1866高出了超過70%。 現在ddr4的**過高,可以先考慮ddr3的記憶體。
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