1樓：
常規液態金屬主要是與低熔點金屬鎵融合，如鎵鋁合金、鎵鉍合金、鎵錫合金、鎵銦合金。鉍基合金、鉍錫合金、錫鉍合金--長沙盛特新材料****他們的熔點會根據配比的不同從而熔點也會不一樣，在高階技術的呼和攪拌下形成新型的低溫合金材料，廣泛應用於電子行業，實驗室，半導體材料以及低溫合金行業。長沙盛特的鎵銦錫合金是一種名為galinstan的專利合金，它在低溫環境下依然能夠保持液態，再加上成本較鎵銦合金低，因此也是製造最多的鎵銦錫合金。
常規鎵銦錫合金性質：
成分：ga:in:sn = 68.5%:21.5%:10% 熔點：6-12℃沸點：1300℃
密度：6.44 g/cm3 at 20℃ 汽壓：10−8 torr (at 500℃)
粘度：0.0024 pas (at 20℃) 導熱性：16.5 w /m/k
電導率：3.46x10-6 s/m(at 20℃) 表面張力：0.718 n/m(at 20℃)
產品用途：主要是用在溫度計和電子裝置的散熱器上，還有廣泛應用於半導體上。
低熔點合金，是指熔點低於232℃(sn的熔點)的易熔合金；通常由bi、sn、pb、in等低熔點金屬元素組成。低熔點合金常被廣泛地用做焊料，以及電器、蒸汽、消防、火災報警等裝置中的保險絲、熔斷器等熱敏元件，是一類頗具發展潛力的低熔點合金新型材料。
應用領域：
1）用在醫療上，主要用來做特定形狀的防輻射專用擋塊。
2）可以方便用作鑄造制模，生產特殊產品用模具、鑄造特殊用產品。
3）用於電子電氣自動控制，作熱敏元件、保險材料、火災報警裝置等。
4）在折彎金屬管時，作為填充物。
5）做金相試樣時，作為嵌鑲劑
產品特性：
1.為灰白色有光澤金屬，以鉍元素、鎵元素等為基的一類易熔合金。
2.熔點有6℃、20℃、47℃、70℃、92℃、120℃等多種選擇；低熔點合金採用水浴法或者油浴法即可熔化。
3.強度室溫下為30mpa，延伸率3％，硬度為25hbs。
2樓：
鋁鎵合金
銀鎵合金
銅鎵合金
銦鎵合金
銀鎵合金
鎵銦錫合金幹什麼用？有什麼特性？
3樓：匿名使用者
一、作用：
1、用在醫療上，主要用來做特定形狀的防輻射專用擋塊。
2、可以方便用作鑄造制模，生產特殊產品用模具、鑄造特殊用產品。
二、特點：
1、效能穩定，熔點低，流動性好，收縮性小。
2、離心鑄造效能好，韌性強，可以鑄造形狀複雜、薄壁的精密件，鑄件表面光滑。
4樓：匿名使用者
低熔點合金，可以作為熱保護觸點，熔點低，40多度也有可以熔化的合金配比
5樓：聯結零壹
它可以代替汞，製作體溫計，無毒無害
6樓：
產品簡介：
低熔點合金，是指熔點低於232℃(sn的熔點)的易熔合金；通常由bi、sn、pb、in等低熔點金屬元素組成。低熔點合金常被廣泛地用做焊料，以及電器、蒸汽、消防、火災報警等裝置中的保險絲、熔斷器等熱敏元件，是一類頗具發展潛力的低熔點合金新型材料。
應用領域：
1）用在醫療上，主要用來做特定形狀的防輻射專用擋塊。
2）可以方便用作鑄造制模，生產特殊產品用模具、鑄造特殊用產品。
3）用於電子電氣自動控制，作熱敏元件、保險材料、火災報警裝置等。
4）在折彎金屬管時，作為填充物。
5）做金相試樣時，作為嵌鑲劑
產品特性：
1.為灰白色有光澤金屬，以鉍元素、鎵元素等為基的一類易熔合金。
2.熔點有47℃、70℃、92℃、120℃等多種選擇；低熔點合金採用水浴法或者油浴法即可熔化。
3.強度室溫下為30mpa，延伸率3％，硬度為25hbs。
目前應用很廣泛低溫金屬合金有很多，主要是與低熔點金屬鎵融合，如鎵鋁合金、鎵鉍合金、鎵錫合金、鎵銦合金。他們的熔點會根據配比的不同從而熔點也會不一樣，在高階技術的呼和攪拌下形成新型的低溫合金材料，廣泛應用於電子行業，實驗室，半導體材料以及低溫合金行業。長沙盛特的鎵銦錫合金是一種名為galinstan的專利合金，它在低溫環境下依然能夠保持液態，再加上成本較鎵銦合金低，因此也是製造最多的鎵銦錫合金。
鎵銦錫合金原料選取：
由於液態鎵的表面張力較小，因此會粘附在玻璃或塑料容器壁上，造成最終投料時鎵的加入量偏小。因此，在製備時，更好是使用固態的鎵，如果熔化了，可以在冰箱裡先冷凍，使其凝固後再取出，這可以有效的避免投料量的減少。至於銦，可選用了銦粒。
選用銦粒主要是為了方便與錫混合，並在熔化後能夠較快形成熔融合金。同樣，為了方便融合，同樣選用金屬錫粒。
常規鎵銦錫合金性質：
成分：ga:in:sn = 68.5%:21.5%:10% 熔點：-19℃沸點：1300℃
密度：6.44 g/cm3 at 20℃ 汽壓：10−8 torr (at 500℃)
粘度：0.0024 pas (at 20℃) 導熱性：16.5 w /m/k
電導率：3.46x106 s/m(at 20℃) 表面張力：0.718 n/m(at 20℃)
產品用途：主要是用在溫度計和電子裝置的散熱器上，還有廣泛應用於半導體上。
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