1樓：匿名使用者
三極體放大時管子內部的工作原理
1、發射區向基區發射電子
電源ub經過電阻rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由於多數載流子濃度遠低於發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。
2、基區中電子的擴散與複合
電子進入基區後，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴複合，擴散的電子流與複合電子流之比例決定了三極體的放大能力。
3、集電區收集電子
由於集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流icn。另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。
矽光電三極體是用n型矽單晶做成n—p—n結構的。管芯基區面積做得較大，發射區面積卻做得較小，入射光線主要被基區吸收。與光電二極體一樣，入射光在基區中激發出電子與空穴。
在基區漂移場的作用下，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。由於空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當於在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當於三極體共發射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是矽光電三極體的工作原理。
2樓：匿名使用者
我告訴你個簡單的，可以理解的，就是光電三極體的基極沒有導線是因為，光電三極體的基極是光敏電阻，他本身內部就有電路在了，所以只要光敏電阻的「基極」只要有亮光照到，光電三極體就工作了。
詳細就看看 光敏電阻 這個元件是怎麼工作的，這個看懂了就想通了。
還有一種是用感應線圈的，道理是一樣的
3樓：匿名使用者
不要誤導樓主，光敏電阻與光電三極體是完全不同的。
光電三極體是由半導體pn結構成的器件，也有帶基極b引腳的，用處不大，一般是做溫度補償，調整電路工作點的。
光電三極體的基區不是很薄，是與它的工作特性相關的。光電三極體的基區材料在受到光照的時候會激發出自由載流子（電子或空穴），在基區漂移場的作用下，對於npn型管，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。由於電子和（或）空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當於在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當於三極體共發射極電路中的電流增益)的電子注入，為了保證載流子的數量和基區兩側勢壘形成所需的空間，基區不能做的太薄。
4樓：小後小
簡單的理解它和紅外發光二極體一對使用!紅外發光二極體有電時發射訊號,等於三極體基極有電,使光電三極體接收訊號放大工作!
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vcc為直流電，vi為小訊號輸入，r1，r2是電壓偏置，設定靜態工作點，r3是將ic轉變為電壓，使vout輸出，c1和c3是隔直流輸入，r4是負反饋電阻，c2是使負反饋存在而又不影響放大倍數的，就是讓小訊號交流電通過而不經過電阻。同時ube電壓基本為0.7v 多數三極體導通壓降值 時，使用那個三極體...
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你說的 濾波電容，應該叫耦合電容。現假設電容沒充電時其兩端電壓為0，這時電容兩端加上7v電壓，電容開始充電 設這個電流為正向 電容充電後其兩端電壓 7v。這時訊號電壓從7v開始逐漸向下降至3v，電壓高的電容也逐漸向電路放電 對比充電電流而言，這個放電電流就成了反向 直到電容兩端電壓 3v為止完成一個...