1樓：董事長老豆
你說的 濾波電容，應該叫耦合電容。
現假設電容沒充電時其兩端電壓為0，這時電容兩端加上7v電壓，電容開始充電(設這個電流為正向)，電容充電後其兩端電壓=7v。
這時訊號電壓從7v開始逐漸向下降至3v，電壓高的電容也逐漸向電路放電(對比充電電流而言，這個放電電流就成了反向)，直到電容兩端電壓=3v為止完成一個充放電週期。
如果在電容的充電--放電的通道上串上個電阻(這個電阻可叫負載電阻，也可以是下個放大電路的輸入電路)，這不是有正反兩個方向的電流了麼？
從這個意義上講，5v就是這個交流訊號的中軸線，5v以下是負半波，5v以上便是正半波。
2樓：輕紗瓏月
你搞錯了，不是濾波電容，濾波電容是並聯的，這是隔直流的耦合電容，是串聯在訊號通路上的，起到隔離直流，讓交流訊號傳輸到下一級的作用，經過這個電容以後輸出的就是交流訊號了。
3樓：王中哲
這個應該這樣理解：但電壓是3v時，給電容充電，上升到7v時，電容充滿，開始下降時，電容要放電，電容正極板積聚正電荷，則負極板必須積聚相應的負電荷。所以交流電通過電容在耦合過去了。
4樓：匿名使用者
1、你提出的「e極的摻雜濃度高，be間的電阻就小」。其理解錯誤在：摻雜濃度高---對應電阻小？
正確理解應當是：摻雜後，空穴（或自由電子）濃度增大，它們在同樣外電場的作用下產生更大的電流，也就是說，顯示為更小的電阻。但是，要注意，這是在反向電壓下產生的漂移電流。
也就是說：摻雜濃度越高，反向漏電阻越小。
但是在這裡，你測的是pn結的正向電壓，影響此電壓的是pn結的正向電阻，你用反向電阻的大小來代替這裡的正向電阻顯然是不對的。
正向電阻的大小受什麼影響呢？受雜質濃度大小影響：因為正向電流是擴散電流，擴散時的阻力就來自擴散時的雜質粒子的碰撞，它與雜質粒子的濃度成正比，（這一規律是任何擴散都遵守的）。
所以，雜質濃度大，正向擴散電阻大，正向電壓大。
2、摻雜濃度大，要阻止多子運動的耗盡層的電場強度大。（而不是電壓大！）
而電場強度等於電壓除以電場寬度，（公式：e=u/d）。在這裡的電場寬度就是pn結的厚度，在擴散過程中產生很大的電壓是不可能的，只要厚度小了，電場強度就能達到了。
3、在本徵半導體中，空穴與自由電子是等量的。若是加入三價雜質，則會產生多量的空穴，但是這些空穴遇到自由電子就會「複合」，空穴越多，與自由電子「複合」的機會就越多，也就是說，多子濃度越高，少子濃度就會越低。
補充：二極體的pn結是對稱pn結，這是與三極體的pn結的不同的地方。
二極體對於不同的用途，摻雜濃度是不同的：
1、整流用二極體，要求能承受的反向電壓 足夠大，摻雜濃度要小，這樣產生的內電場小，耗盡層寬，當在上面加上一個反向電壓時，此反向電壓產生的電場強度就小，於是反向擊穿電壓大；
2、穩壓二極體，要求的反向擊穿電壓由幾伏到幾十伏不等，反向擊穿電壓在6v及以下的，摻雜濃度要求較大，這時耗盡層很窄，反向加一個很小的電壓就能產生較大的電場強度，因此產生齊納擊穿（擊穿特性陡且擊穿電壓低）；
當摻雜濃度減小，反向擊穿電壓就會增大（產生雪崩擊穿）。只要控制摻雜濃度，就能控制反向擊穿電壓的大小。
5樓：
第一個問題：這裡不用電阻來理解，我個人認為不好計算，你不能只考慮體電阻，你紅接b，黑接e，c那麼結果是發射結和集電結的導通壓降，這樣就需要考慮結電阻的問題，如測試b和e吧，你要考慮基區電阻，發射區電阻，發射結電阻，同樣在測試b，c的時候一樣，所以不好用電阻來進行理解。用內場強度理解，就是勢壘電壓，e區濃度高，體積小，c區濃度低，面積大，這就很好理解了啊，發射結的話內場自然就比集電結大，所以導通時發射結電壓就就要比集電結的大。
第二個問題：pn的厚度問題，你要明白pn是內場，它是什麼形成的呢，無外場時，載流子是擴散，p區空穴往n擴，空穴走了就留下了負離子吧，n一樣電子走了，留下正離子，這些+，-離子就形成了內場，就是pn結，有外場用同樣的方法理解。所以內場是+-離子形成的，濃度高的話，單位面積離子多，要是形成大小一樣的場，自然是濃度高的厚度小了啊。
第三個問題：這個問題你要是數學想推的話，麻煩了，我也沒推過，我就記住了多子濃度和少子濃度的乘積是個常數。
6樓：綰潯漓醬
你完全理解錯了。
三極體的輸出功率與耗散功率沒有任何關係。
1、三極體所有的能量都來自於電源，電源的能量去向有三個方面，（1）三極體管耗（也就是耗散功率，這部分能量消耗在三極體自身上），（2）輸出功率（這部分能量用於輸出，只要是消耗在負載上，可以根據（輸出電壓的有效值）平方／負載電阻來計算出），第三部分是消耗在電阻等耗能元件上。
這三部分能量，互相之間沒有必然聯絡。只是如果輸出功率佔總能量的比重大，我們就說這個電路效率比較高。
pcm是三極體的一個定值，實際中也就是pc的最大值，也就是當前的集電極電流與管子ce（vce）的乘積，不能超過這個pcm，否則就很容易燒燬。
三極體的輸出功率主要看輸出電壓和負載電阻rl的大小，假定輸出電壓uo（是個正弦波，所以要計算一下有效值uo(rms)，而不是峰峰值或者幅值），po=uo的平方/rl。
輸出電流也是正弦波，io(rms)=uo(rms)/rl，按標準的歐姆定理計算。
7樓：傲天異族
樓主首先要明確一點，三極體是電流控制器件。是通過基極電流來控制集電極電流的。
也就是說，本質上是電流的變化影響三極體的狀態。
其次，樓主說的沒錯，基極和發射極也就是一個二極體，那我問你一個問題，一個二極體接入一個電路，假設兩邊電壓時1v，它導通了。這時我給它兩邊的電壓提高到，它的電流是否變化？
結果是它的電流變化的非常大，樓主自己找找二極體的伏安特性曲線看看。在它導通時，微小的電壓變化可以引起很大的電流變化。
所以，三極體vbe的電壓其實是變化的，但是非常小，但是很小的電壓就可以引起較大的電流變化，從而達到控制作用。
去查查二極體的伏安特性曲線樓主就懂了，二極體兩端的電壓在導通時也是可以變化的，你說的沒有變化時理想情況。
說的有點亂，樓主湊合看吧。
8樓：匿名使用者
嗯，你的問題很有代表性。
三極體 是電流控制器件，只要 基極電流變化 就會 引起集電極電流跟隨變化。 這個是理解的關鍵啊。
雖然「就是當發射極沒有接電阻的時候直接接地，。。基極電壓的變化並非依靠入電阻就能將電流轉換為電壓 」的這個原因，不是因為接入的發射機電阻基極電壓才變化啊， 基極的電壓變化**於 訊號源- 輸入的激勵訊號變化。 你的糾結也是這裡了，基——射電壓已經是一定了的，應該基極電壓固定了。
但是你想一下，當輸入的訊號源 電壓改變時，是否會引起三極體基極電流改變呢？
結論是當然的。即使基極電壓不可以變化，基極電流是跟隨輸入訊號的大小變化的啊。
9樓：匿名使用者
不必糾結，也無法強求基極電壓與基極電流一一對應關係，工程上也無此必要、理由 ：電流增長曲線過至0.
7v後(矽與溫度有關)>>電壓增長。即隨電流(電壓)增加電阻急劇下降、故即使電流有成千上萬倍的增加be電壓始終也只在至1v左右變化。
另即使管子深度飽和電壓絕對值也不過左右。
三極體的問題
10樓：匿名使用者
當rb2短路時，三極體處於飽和狀態，其發射極輸出ue=，集電極輸出為uc=ue+0.
3v=，相當於一個輸入電壓為12v但輸出電流被限制在2μa以內的的射極跟隨器。
當re短路時，三極體處於飽和狀態，其發射極輸出ue=0v，基極電壓ub=，集電極輸出為uc=，相當於一個發射極接地的共發射極放大電路。
11樓：安全護航
rb2短路：ue= ub=12v uc= 飽和。
re短路： ue=0v ub= uc= 飽和。
注：三極體飽和導通ce壓降取。
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