1樓：匿名使用者
一、電控櫃的操作 1. 開水泵、氣源 2. 開總電源 3.
開維持泵、真空計電源，真空計檔位置v1位置，等待其值小於10後，再進入下一步操作。約需5分鐘。 4.
開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到v2位置，抽到小於2為止，約需20分鐘。 5. 觀察渦輪分子泵讀數到達250以後，關予抽，開前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度後才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。
真空到達2×10-3以後才能開電子槍電源。 二、def-6b電子槍電源櫃的操作 1. 總電源 2.
同時開電子槍控制ⅰ和電子槍控制ⅱ電源：按電子槍控制ⅰ電源、延時開關，延時、電源及保護燈亮，三分鐘後延時及保護燈滅，若後門未關好或水流繼電器有故障，保護燈會常亮。 3.
開高壓，高壓會達到10kv以上，調節束流可到200ma左右，簾柵為20v/100ma，燈絲電流1.2a，偏轉電流在1~1.7之間擺動。
三、關機順序 1. 關高真空表頭、關分子泵。 2.
待分子泵顯示到50時，依次關高閥、前級、機械泵，這期間約需40分鐘。 3. 到50以下時，再關維持泵。
2樓：
我現在就在做真空鍍膜裝置，那原理比較複雜呢，你需要的話留個郵箱我發給你 ，
3樓：匿名使用者
我是做塑膠無塵uv塗裝裝置的 有配套商是做鍍膜機裝置的 你是做那個行業的啊
有人做真空鍍膜嘛？？？能不能告訴我怎麼做粉色？？？真空多少？？不知道的不要亂說？？？急急急，，，，
4樓：匿名使用者
真空鍍膜的色粉，有油色粉和水色粉。比較環保一點的是水色粉，使用方法在產品的說明書中有介紹，建議選擇《金科天馬》的真空鍍膜染色粉，有大約30種顏色供選擇。
真空鍍膜，建議電壓800v，真空度300pa，鍍層附著力度和電鍍效果會比較好一些。
5樓：
做粉色？可以做金色。太難了。
真空鍍膜原理是什麼？
6樓：___耐撕
真空鍍膜原理：
1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。
2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，藉助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上製出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有cvd和pvd兩者特點的等離子化學氣相沉積等。
7樓：張樺小錦
蒸發鍍膜
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於2023年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜裝置結構如圖1。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.
2電子伏。
編輯本段型別
蒸發源有三種型別。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖]
）電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料；②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質；③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖
]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。
通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。
編輯本段濺射鍍膜
用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面，沉積在基片上。濺射現象於2023年開始用於鍍膜技術，2023年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射裝置如圖3[ 二
極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材──靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾釐米。
系統抽至高真空後充入 10～1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏範圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。
與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射w、ta、c、mo、wc、tic等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (o、n、hs、ch等)加入ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。
基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。
等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。
編輯本段離子鍍
蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術是d.麥托克斯於2023年提出的。
離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片臺作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。
正離子被基片臺負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約佔蒸發料的95%）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高。
離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好的繞射性，可為形狀複雜的工件鍍膜。
真空鍍膜裝置原理
8樓：匿名使用者
磁控濺射原理
電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在*近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次碰撞後電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。
磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。
電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的互動作用（e x b shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。
至於靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。磁力線分佈方向不同會對成膜有很大關係。
在e x b shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已。
9樓：凱德利冷水機廠
那類真空鍍膜裝置需要做冷卻水系統!
10樓：匿名使用者
在真空中製備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也採用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
真空鍍膜裝置製冷機原理有誰知道啊？有了它幾分鐘就可以真空鍍膜了！
11樓：林凡天
利用低溫吸附水蒸氣原理·因為在我們真空鍍膜的真空度裡面水氣含量是最多的 ·所以低溫吸附水氣以後，加快抽真空的速度
12樓：朱在江湖
同意二樓滴！
水蒸汽多的原因比較多，一是未烘烤的素材都會帶些潮氣，二是真空泵對水蒸汽的抽速慢。
怎麼樣才能學到真空鍍膜技術，而不是單純的操作？
13樓：山頂小石
鍍膜方法有很多種的，電鍍法、溶膠法、濺射、電子束蒸發、熱蒸發、pecvd、mocvd、ecrcvd等等
鍍膜顏色，主要靠蒸鍍經驗，想知道為什麼會呈現不同顏色，那你就得看些鍍膜原理類的書籍。真空知識也好辦，專門講真空的書很多，多看些，然後自己多注意對照實際，學起來很容易。
14樓：匿名使用者
我做了5年的真空電鍍 一般的裝飾鍍 工具鍍都很熟悉 。你想在網路上學習這些東西的話是很困難的，又不是死記硬背的東西寫下來就知道了。總之這個方面的還是要有經驗
15樓：堅強的河邊草
我們也是做真空鍍膜方面的，不過和你們的不一樣。我們不是做電鍍。你是想學業真空鍍膜哪方面的技術？
我做了ito真空鍍膜行業有5年了,對裝置原理和工藝技術很熟悉,有沒有合適的公司在招聘
16樓：匿名使用者
具體情況請發郵件詳談[email protected]
我是一名從事真空鍍膜7年的技術員，本人從事電子槍和蒸發，希望能有一份好工資，待遇在7500元左右
17樓：匿名使用者
呵呵，那我維修鍍膜機11年還會鍍膜誰要我啊，工資要求不高在成都周圍就可以了。
18樓：匿名使用者
你是哪的人呢？我也是鍍膜的，或許可以幫你聯絡下。
光學真空鍍膜材料有哪些，真空鍍膜和光學鍍膜有什麼區別
一.光學鍍膜材料 純度 99.9 99.9999 1.氧化物 技術指標 一氧化矽，二氧化鉿，二氧化鋯，二氧化鈦，一氧化鈦，二氧化矽，三氧化二鈦 五氧化三鈦，五氧化二鉭，五氧化二鈮，三氧化二鋁，三氧化二鈧，三氧化二銦 二氧化矽，二鈦酸鐠，二氧化鈰，氧化鎂，三氧化鎢，氧化釤，氧化釹，氧化鉍 氧化鐠，氧化...
真空鍍膜問題，真空鍍膜鍍不上的原因
膜 鬼 1，冷卻水的冷卻效果降低了，可能是冷卻水堵塞或部分堵塞2，dp泵的溫控器壞了，例如實際100度的時候，它判斷為200度，所以報警了 以上可能性比較大 dp泵工作原理為，油在蒸發時粘稠的油蒸汽噴射帶走空氣，油冷卻迴流，而空氣被排走了。真空鍍膜鍍不上的原因 林凡天 那個濺射靶材一切完好，電源都是...
真空度對真空鍍膜的影響，真空度對真空鍍膜的影響？
月似當時 真空度高，則真空鍍膜質量較好。各種鍍膜技術都需要有一個蒸發源或靶子，以便把蒸發制膜的材料轉化成氣體。由於源或靶的不斷改進，大大擴大了制膜材料的選用範圍，無論是金屬 金屬合金 金屬間化合物 陶瓷或有機物質，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。以真空技術為基礎...