1樓：剛剛學
飽和壓降就是當電晶體達到飽和導通時電晶體集電結（飽和壓降就是：當電晶體達到飽和導通時電晶體集電結（ c）與發射結（e）之間的電位差。
壓降就是：兩點之間的電位差。
飽和。按照書上的解釋就是：在一定的溫度和壓力下，溶液內所含被溶解物質的量已達到最大限度，不能在溶解了。
也可以說是：事物發展到最高限度。這裡所講的飽和就是完全的意思。
飽和導通：就是完全導通。
2樓：
就是當電晶體達到飽和導通時,管子兩端的壓降
3樓：
電晶體達到飽和導通時,管子ce兩端的電位差.
4樓：匿名使用者
飽和導通（也就是開關狀態）時的管壓降
飽和管壓降是什麼？？？
5樓：不是苦瓜是什麼
集電結處於正向偏置時，電晶體工作於飽和狀態，這個飽和狀態值的是電流飽和，因為當集電結處於正向偏置時，導通，管壓降也就是他導通時的電壓降。
管壓降理解為電流通過時兩端的電壓。電流流過負載以後相對於同一參考點的電勢（電位）變化稱為電壓降，簡稱壓降。
負載兩端的電勢差（電位差）就可以認為是電壓降。電壓降是電流流動的推動力。如果沒有電壓降，也就不存在電流的流動。
例如，a點的電勢（同0電位的電勢差）是2v，b點的電勢是8v，那麼，a對b點來說，壓降就是-6v，或者站在b點說a點壓降就是6v。
在規定的正向電流下，二極體的正向電壓降，是二極體能夠導通的正向最低電壓。
小電流矽二極體的正向壓降在中等電流水平下，約0.6～0.8 v；鍺二極體約0.2～0.3 v。大功率的矽二極體的正向壓降往往達到1v。
更多的人則瞭解pn結的伏安特性，即pn結壓降與正向電流關係呈對數關係，如果說1ma時為0.6v, 10ma時為0.7v，那麼100ma， 1000ma 將可能對應0.
82v及0.95v左右。
實際上，以上關係只在小電流下成立，當電流較大時則要考慮二極體電阻分量的壓降了，二極體除了具有pn結，還具有半導體材料的體電阻，封裝繫結線的電阻及引腳的電阻；
由於電阻的分壓，隨著電流的增大二極體壓降也會增大，這些電阻分量在幾百ma至幾a的情況下，壓降是很明顯的，可以認為，在小電流時主要由伏安特性決定壓降，而大電流時則主要由體電阻決定壓降。
6樓：匿名使用者
三極體導通飽和壓降是多少？
三極體中什麼是飽和壓降
7樓：綣語
飽和壓降就是三極體當前的基級電流大於基級最大飽和電流，此時我們稱判斷電路處於飽和狀態。
具體判斷方法如下：
在實際工作中，常用ib*β=v/r作為判斷臨界飽和的條件。根據ib*β=v/r算出的ib值，只是使電晶體進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和；倍數越大，飽和程度就越深。
2.三極體的集電極電阻越大，越容易達到飽和狀態。
3.飽和區的現象分為兩種：二個pn結均正偏，ic不受ib的控制。
4.判斷飽和時應該求出基級最大飽和電流ibs，然後再根據實際的電路求出當前的基級電流。
拓展資料：
飽和狀態在電子科學技術中，飽和狀態是指電晶體的一種低電壓、大電流工作狀態（即開態）.電晶體的工作狀態（或工作模式）包括有放大狀態、截止狀態、飽和狀態和反向放大狀態四種。
8樓：孫
三極體在飽和導通時發射極與集極之間的電壓叫三極體的飽和壓降。當三極體基極與發射極之間電壓ube足夠大且基極電流ib足夠大時，三極體處於飽和導通狀態，三極體在飽和導通狀態時，發射結正偏、集電結正偏，飽和壓降一般在0.2v-0.
3v 之間．
9樓：老冬烘
我看這個問題應該有個合理的思路。
大家知道三極體的工作狀態，其ic基本上是ib的β倍。（注意這是在放大狀態）由於集電極負載rc的存在將在rc兩端產生壓降ucf，三極體集-發極之間uce的大小是電源電壓減掉rc（以及射極電阻re）的壓降。而rc,re則限定了ic最大值無法超過電源ec/（rc+re），而不再是ib（若ib繼續增大）的β倍了。
這個ic最大值（顯然三極體不再能放大）可視為三極體的飽和電流。相應的uce就可以說就是三極體的飽和壓降了。顯然rc+re選值的大小決定了ic飽和值的大小。
不同大小的飽和電流當然會產生不同的飽和壓降。
為什麼飽和壓降會低於ube?
10樓：以忘洋沙
飽和模式，兩個pn結均正向導通vbe(sat)約=vbe(on)=0.7v，vbc(on)=0.4v，兩者等效反接的恆壓源，vce(sat)約等於0.7-0.4=0.3v
11樓：
三極體中的飽和壓降:
三極體的飽和壓降指的是工作在開關狀態的三極體處於導通狀態時的發射極與集電極之間的壓降，一般在1v左右。
什麼是igbt飽和壓降?
12樓：郭歡
在bjt的輸出伏安特性曲線上，飽和狀態即是處在緊靠縱軸(電流軸)的一個小範圍內。bjt在飽和狀態工作時，總是希望該飽和範圍越小越好，即要求輸出電壓——飽和壓降越低越好。
因為飽和壓降直接關係到集電極串聯電阻，故為了降低飽和壓降，就需要提高集電區摻雜濃度。但為了提高提高擊穿電壓，又需要減小集電區摻雜濃度，這是一個矛盾。
為解決此矛盾，就發展出了外延片的技術，即是在低阻襯底上生長一層薄的較高電阻率的外延層，然後在外延層上製作bjt。總之，在積體電路晶片中採用外延層和埋層的目的，都是為了在保持較高擊穿電壓的條件下來減小集電極串聯電阻、以降低飽和壓降。
擴充套件資料
gtr飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大。mosfet驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
igbt的開關速度低於mosfet，但明顯高於gtr。igbt在關斷時不需要負柵壓來減少關斷時間，但關斷時間隨柵極和發射極並聯電阻的增加而增加。igbt的開啟電壓約3～4v，和mosfet相當。
igbt導通時的飽和壓降比mosfet低而和gtr接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。
13樓：匡攸
所謂飽和壓降，就是當igbt的g極和e極所加的正向電壓，使管子完全導通時的電壓。此時電壓再增加，ic電流也不會增大。
14樓：匿名使用者
igbt的飽和壓降就是igbt工作在開通狀態時的壓降，也就是igbt的ce極之間的電壓。這是和mos管的導通電阻rds(on)類似。
15樓：匿名使用者
能認識一下你的老爸嗎,我也是搞這行的,說簡單點就是把igbt當成開關,關上的時候開關理想狀態電阻為零,但是實際是有電阻的.這個阻值就是決定了壓降大小,阻值越小壓降越小,反之越大
16樓：丹少
igbt的vces引數值為飽和壓降，
反映igbt導通時能量損耗。
vces越低，能耗越小，則過熱可能性更低，可以認為同規格的igbt中為更佳。
反之，則可認為是效能欠佳，或者說溫升會更高，易導致igbt過熱。
17樓：
飽和壓降（vces）：在門極電壓驅動下，igbt工作於飽和區（什麼是飽和區請查閱相關資料），igbt集電極（c）與發射極（e）之間的電壓差；不同的門極電壓對應不同的飽和壓降。
飽和壓降是衡量igbt是否過流的重要指標，在門極驅動電壓存在的情況下，發生igbt過流，vce會急劇上升，一般當vce大於飽和壓降10微秒(us)左右，igbt就會損壞。
一般的igbt驅動保護模組就是通過監控vce是否大於飽和壓降，來實現igbt過流保護的。
關於飽和壓降
18樓：
你說的是不是啊 我看了半天才明白 ==我把上課的筆記拿來看看 你說的 導通 應該是放大狀態 你說的太簡單了 具體點
問題具體了那就補充一下 當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化，這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。 我筆記是這麼寫的 呵呵
什麼是低飽和壓降？
19樓：陳長涵
集電結處於正向偏置時，電晶體工作於飽和狀態，這個飽和狀態值的是電流飽和，因為當集電結處於正向偏置時，導通，管壓降也就是他導通時的電壓降
這兩個飽和壓降是怎麼算出來的
20樓：直到遇見你天蠍
飽和管壓降也就是臨界飽和電壓，理論上說是放大區與飽和區的邊界。對於小功率管bai說，大概是0.7v左右，對於大功率管子du說，可以達到2-3v。
工程中，其實飽和和放大的邊界遠沒有那麼清楚，是一個很模糊的概念，對於小功率管而言，基本上uce=1v開始，就逐步進入飽和區了，uce越小，飽和程度越深。到了uces後，就完全進入飽和狀態了，但是飽和程度還可以繼續加深，小功率管最多可以達到uce=0.3v左右，這時候可以說是深度飽和了。
uces這個數值在功率放大電路計算過程中特別有用，可以計算功率管zhi身管耗，進而計算效率。 把追問也回答好吧。 你按uces計算出dao的是放大區的最大基極電流，但對於飽和區zhuan說，這個電流還不是最大的基極電流
電晶體飽和壓降vces是什麼
21樓：
當電晶體完全、充分導通，ce之間的總有一定的電壓，不可能為0，飽和壓降就是指這個最小電壓。
22樓：
三極體一般處於放大區工作，計算的時候一般從發射結壓降入手，矽管0.7v，鍺管0.2v，去算出vce。
但三極體同樣有截止區與飽和區，當發射結與集電結都正偏的時候，三極體處於飽和區，此時vce是個常數，即飽和壓降，取0.2v～0.3v。
飽和壓降是越大約好還是越小越好?
23樓：蹇玉花襲丁
集電結處於正向偏置時，電晶體工作於飽和狀態，這個飽和狀態值的是電流飽和，因為當集電結處於正向偏置時，導通，管壓降也就是他導通時的電壓降
24樓：
要看你是用作什麼用途啊，
那我問你電壓是越高越好還是越低越好？
把提問說清楚一點．我會幫你解決的．謝謝！
誰能幫我解釋一下這句話，誰能幫我解釋一下這句話的意思
這是一句籤文。意思很清楚 1 雲開霧罩山前路，目前你的狀態，主要是前途方面，或者是你所問的問題的解決方法，很不明朗。你或許自己也不知道怎麼辦。或許你想怎麼辦，但是卻行不通。這句話很不好了。2 萬物園中月再圓，告訴你不要急。月有陰晴圓缺，人有悲歡離合 人總是有沉浮。你要等待機會。你該浮的時候，就是走運...
誰能幫我解釋一下是什麼原理，誰能幫我解釋一下這個電路的工作原理？
申屠繡 補充 0 2 0 5 5 50 250 1757 2007 1 2 2 5 7 50 350 1757 2107 2 2 4 5 9 50 450 1757 2207 3 2 6 5 11 50 550 1757 2307 4 2407 5 2507 6 2607 7 2707 總是07結尾...
能幫我解釋一下這段程式麼，誰能幫我解釋一下這段程式的意思？最好每一句特別是開頭那幾句有什麼作用？萬分感謝
樓上的寫的不錯,就是將大寫的改成小寫的,但是你要注意的一點是,即便是你輸入的不是小寫字母,比如特殊符號什麼的,是不會改變的.將處理過的字元，儲存到檔案裡 檢查輸入的字串裡面的每個字元,是否在 a z 之間,如果是,則將其ascii碼值 32,也就是將小寫轉換為大寫,然後寫入到檔案中 應該是 開啟檔案...