1樓：匿名使用者
掩模的原理 ：
光刻技術的基本思想是矽片表面上象光強度由掩模上各個透光孔衍射的波的組合確定。圖形特徵尺寸、離焦量物件襯比、光強度、解析度和象質有重要的影響。圖形刻劃的主要判據是圖形的襯比。
levenson等人，提出的psm方法可使襯比改善，解析度比傳統方法改善40%一100%。其原理是使透過掩模圖形上相鄰透光孔的光束之間產生180度相位差，因而使特徵圖形週期小時，矽片表面上相鄰圖形象之間因相消干涉使暗區光強減弱，由能量守恆定律知，勢必使圖形亮區象增強；而且相鄰透光區之間的相位相反，改變了掩模圖形的空間頻譜分佈，消去了直流分量，壓窄了頻帶，換句話說，使用相同的光刻系統，psm(levenson型)可使掩模圖形的空間頻率增加一倍時光刻系統仍能分辨，即解析度提高一倍。由於反相，產生振幅通過零點，使象強度分佈襯比(度)提高，改善了解析度、邊緣陡度和**量寬容度。
光刻解析度取決於照明系統的部分相干性、掩模圖形空間頻率和襯比及成象系統的數值孔徑等。相移掩模技術的應用有可能用傳統的光刻技術和i線光刻機在最佳照明下刻劃出尺寸為傳統方法之半的圖形，而且具有更大的焦深和**量範圍。例如使用psm，在na=0.
5，λ=248nm，解析度可達0.15um；na=0.6，λ=365nm，實際解析度可達0.
2um。相移掩模方法有可能克服線/間隔圖形傳統光刻方法的侷限性。
相移掩模型別多，分類方法也不同，但基本原理都是相鄰透光圖形透過的光振幅相位相反產生相消干涉、振幅零點和(或)頻譜分佈壓窄，從而改善襯比、解析度和象質。
2樓：大的小小
掩模就是一種模具。
一般用來製作電路或者微流溝道。
將所需線路印在膠片之類的東西上，就是一個簡單的掩模，然後在要刻蝕線路的基底上塗布光刻膠，用掩模蓋在上面**，線路就轉移到塗膠的基底上了，未被掩模上不透明部分覆蓋的地方就**了，可以用特定試劑腐蝕除去，基底上就形成了所需線路或溝道。
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