1樓：搜虎哈哈
矽二極體與鍺二極體的區別主要如下：
在電流相同時，鍺管的直流電阻小於矽管的直流電阻。而矽管的交流電阻小於鍺管的交流電阻。
2.根據實驗研究，鍺二極體正向在0.2v就開始有電流了，而矽二極體要到0.5v才開始有電流，也就是說兩者達到導通的起始電壓不同
3.在反向電壓下，矽管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。開始導通後，鍺管電流增大速度較慢，矽管電流增大速度相對較快
4.矽二極體反向電流遠小於鍺二極體反向電流，鍺管為ma級，矽管為na級。這是因為在相同溫度下的ni比矽的ni高約三個數量級，因此在相同摻雜濃度下的少數矽濃度遠低於少數鈮的濃度，因此矽的反向飽和電流管非常小。
5.當正向電壓很小時，通過二極體的電流非常小，只有在正向電壓達到一定值ur後，電流才會顯著增加。電壓ur通常被稱為二極體的閾值電壓，也稱為死區電壓或閾值電壓。
6.由於矽二極體的is遠小於鍺二極體的is，因此矽二極體的閾值電壓大於鍺二極體的閾值電壓。通常，矽二極體的閾值電壓約為0.
5v~0.6v，鍺二極體的閾值電壓約為0.1v~0.
2v。拓展資料：
二極體，指的是電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（varicap diode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流（rectifying）」功能。
二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
2.早期的真空電子二極體；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個pn結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。
一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。
3.在其介面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。
4.早期的二極體包含「貓須晶體（"cat's whisker" crystals）」以及真空管(英國稱為「熱遊離閥（thermionic valves）」)。現今最普遍的二極體大多是使用半導體材料如矽或鍺。
5.由於半導體鍺二極體在氣液兩相流中具有不同的傳熱能力，因而引起其溫度發生變化，使二極體的正向輸出電壓也隨之發生變化，利用二極體的這種特性製成低溫液體液位計可達到精確測量和控制低溫工質液而變化的目的。
2樓：cy辭言
矽和鍺兩種二極體的特性曲線，兩者有以下幾點差異：
1） 矽二極體反向電流比鍺二極體反向電流小的多，鍺管為ma級，矽管為na級。這是因為在相同溫度下鍺的ni比矽的ni要高出約三個數量級，所以在相同摻雜濃度下矽的少子濃度比鍺的少子濃度低的多，故矽管的反向飽和電流is很小。
2） 在正向電壓很小時，通過二極體的電流很小，只有正向電壓達到某一數值ur後，電流才明顯增長。通常把電壓ur稱為二極體的門限電壓，也稱為死區電壓或閾值電壓。由於矽二極體的is遠小於鍺二極體的is，所以矽二極體的門限電壓大於鍺二極體的門限電壓。
一般矽二極體的門限電壓約為0.5v~0.6v, 鍺二極體的門限電壓約為0.
1v~0.2v。
拓展內容：
二極體
二極體，（英語：diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體（varicap diode）則用來當作電子式的可調電容器。
大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為「整流（rectifying）」功能。二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
早期的真空電子二極體；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極體內部有一個pn結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極體是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結介面。
在其介面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等於零時，由於p-n 結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態，這也是常態下的二極體特性。 早期的二極體包含「貓須晶體（"cat's whisker"crystals）」以及真空管(英國稱為「熱遊離閥（thermionic valves）」)。
現今最普遍的二極體大多是使用半導體材料如矽或鍺。
3樓：郭蔚六雅豔
矽二極體死區電壓約0.5伏，鍺的0.1伏，正向壓降矽0.6~0.7伏，鍺0.2~0.3伏，矽反向電流小，耐壓高，鍺相反。
4樓：陳堅道
鍺二極體比矽二極體壓降小，一般應用在無線電作為檢波(將高頻訊號轉化為音訊訊號)，矽二極體應用在整流電路。
5樓：匿名使用者
經測半控橋中的二極體的正向導通壓降為375ma--壓降怎能是ma？再就是鍺管的壓降比矽管的要小，理論上鍺管是0.3v，矽管是0.
7v，但實際中測量矽管壓降也能在0.3v左右，這是正常的，不能說測量為0.375v就判斷為鍺管的，現在的半橋全部是矽管的，沒有鍺管的，鍺管的功率不能跟矽管比。
6樓：匿名使用者
矽管結溫比較高，鍺管比較低，一般不能用於或者說很少用於整流電路里，矽管的正向壓降在0.6v以下的很少，主要是肖特基二極體類~
7樓：空湘章元瑤
由兩種二極體的特性曲線可以看出：1、鍺二極體正向在0.2v就開始有電流了，而矽二極體要到0.
5v才開始有電流，就是開始導通時的電壓不同，鍺管小，矽管大；2、開始導通後，鍺管電流增大得慢，矽管電流增大得快；
以上兩點也可以總結為，在電流相同時，鍺管的直流電阻小於矽管的直流電阻；但是矽管的交流電阻小於鍺管的交流電阻。
另外，在反向電壓下，矽管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。
矽管和鍺管區別
8樓：匿名使用者
最基本的區別是pn結正向壓降不同。
矽管為0.7v左右
鍺管為0.3v左右
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