1樓：匿名使用者
輸出電容的選擇和你的開關頻率佔空比還有紋波的要求有關，和電感量沒有直接關係。也就說沒有所謂的搭配關係影響效率和mos發熱。
我感覺你的電感選小了，或者頻率選低了。電感選小了 電感充電迅速完成，之後管子沒有關斷導致電感成了直流電阻負載，消耗電能並導致mos發熱。如果頻率高的話可以緩解這種狀況，但是增加電感量是根本。
再有mos發熱還跟你的開關時間有關係，就是說加在mos管g極的訊號是不是很好的方波，因為mos從截至到飽和必須劃過放大區，而放大區的結功耗要大的多。所以要求換過放大區的時間越短越好，就要求訊號的上升下降沿要足夠陡峭。而mos管本g極和與ds之間是由比較的結電容的。
所以要求mos前面的電路要有一定的驅動能力。
下面是從網上看到的一個計算用例。你試一下。
已知引數：
輸入電壓：12v --- vi
輸出電壓：18v ---vo
輸出電流：1a --- io
輸出紋波：36mv --- vpp
工作頻率：100khz --- f
1：佔空比
穩定工作時，每個開關週期，導通期間電感電流的增加等於關斷期間電感電流的減少，即vi*don/(f*l)=(vo+vd-vi)*(1-don)/(f*l),整理後有
don=(vo+vd-vi)/(vo+vd),引數帶入，don=0.572
2：電感量
先求每個開關週期內電感初始電流等於輸出電流時的對應電感的電感量
其值為vi*(1-don)/(f*2*io)，引數帶入，lx=38.5uh,
deltai=vi*don/(l*f)，引數帶入，deltai=1.1a
當電感的電感量小於此值lx時，輸出紋波隨電感量的增加變化較明顯，
當電感的電感量大於此值lx時，輸出紋波隨電感量的增加幾乎不再變小，由於增加電感量可以減小磁滯損耗，另外考慮輸入波動等其他方面影響取l=60uh，
deltai=vi*don/(l*f),引數帶入，deltai=0.72a，
i1=io/(1-don)-(1/2)*deltai,i2= io/(1-don)+(1/2)*deltai，
引數帶入，i1=1.2a,i2=1.92a
3：輸出電容：
此例中輸出電容選擇位陶瓷電容，故 esr可以忽略
c=io*don/(f*vpp),引數帶入，
c=99.5uf，3個33uf/25v陶瓷電容並聯
4：磁環及線徑：
查詢磁環手冊選擇對應峰值電流i2=1.92a時磁環不飽和的適合磁環
irms^2=(1/3)*(i1^2+i2^2-i1*i2)，引數帶入，irms=1.6a
按此電流有效值及工作頻率選擇線徑
其他引數：
電感：l 佔空比：don
初始電流：i1 峰值電流：i2 線圈電流：irms
輸出電容：c 電流的變化：deltai 整流管壓降：vd
2樓：匿名使用者
dcdc效率低和運用的電路和選用的材料有關
電感和電容的運用有一定計算方式，與輸入輸出電壓的變化有關
目前，dcdc低壓的電路效率普遍能做到90%-95%甚至到97%
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