1樓：匿名使用者
以bjt為例 電導調製效應又稱基區寬度調製效應，屬於 半導體物理的範疇了。就是指基區的有效寬度隨集電結的反偏電壓的變化而變化的效應。當集電結反向電壓增大時，集電結的空間 電荷區加寬，這就引起基區有效寬度變窄。
因而載流子在基區複合的機會減小，所以基極電流ib隨集電極反偏電壓增大而減小，也就是基區有效電導減小，因此又叫電導調製效應.
應該修改如下：
電導調製需效應是 webster效應，是在大注入時基區電導增大的現象；而基區寬度調製效應就是early效應，是集電結電壓變化而致使基區寬度變化、並造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。這三種重要的效應是bjt的一種基本特性，要注意區分開來！
根據《電力電子技術》機械工業出版社西安交通大學王兆安黃俊主編 第4版 第12頁
當pn結上流過的正向電流較大時，注入並積累在低摻雜n區的少子空穴濃度將很大，為了維持半導體中性條件，其多子濃度也相應大幅度增加，使得其電阻率明顯下降，也就是電導率大大增加，這就是電導調製效應。
更準確的定義下： webster效應也稱為 基區電導調製效應，這是bjt在大工作電流時、基區電導發生增大的一種現象。
因為半導體內部各點總是要保持電中性，所以，在發射結正偏、向基區注入少子的同時，也必將有相同數量、相同濃度梯度的多子在基區中積累起來；當注入的少子濃度很大（ 大注入）、接近摻雜濃度時，則額外積累起來的多子濃度也就與摻雜濃度相當了，這時，基區的電導率實際上就決定於基區摻雜濃度和額外增加的多子濃度的總和（換句話說，大注入的結果就相當於增加了基區摻雜濃度），從而基區的有效電導率大大增加了（注入越大，有效電阻率降低得越多），這就是基區電導調製效應（也稱為webster效應）。
webster效應的直接影響就是bjt基區的電阻率下降（電導率增大），使得發射結的 注射效率降低，減小了 電流放大係數。
對於基區摻雜濃度分佈均勻的電晶體（例如 合金電晶體）而言，引起其在大電流下電流放大係數b下降的主要原因就是webster效應。不過，對於si平面電晶體，由於基區摻雜濃度較高一些，所以webster效應的影響往往較小（這時，引起大電流時b下降的主要原因是 kirk效應）。
總之，bjt在 大電流（ 大注入）工作時，往往容易出現
2樓：硬幣小耗
電導調製需效應是webster效應，是在大注入時基區電導增大的現象。
補充：基區寬度調製效應就是early效應，是集電結電壓變化而致使基區寬度變化、並造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。這三種重要的效應是bjt的一種基本特性。
3樓：秦凱亞
電導調製需效應是webster效應，是在大注入時基區電導增大的現象；而基區寬度調製效應就是early效應，是集電結電壓變化而致使基區寬度變化、並造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。這三種重要的效應是bjt的一種基本特性，要注意區分開來！
電力電子技術試題gto gtr mosfet igbt四種電晶體的優缺點請儘量稍微的詳細點
4樓：理科女
gto(門級可關斷閘流體)：全控型器件 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具專有電導調製效應，其屬通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
gtr（電力電晶體）耐高壓，電流大開關特性好mosfet（電力場效應電晶體）驅動電路簡單，需要驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性高於gtr但是電流容量小
igbt(絕緣柵雙極電晶體)它綜合了gtr和mosfet的優點，具有電導調製效應，其通流能力很強，但是開關速度較慢，所需驅動功率大，驅動電路複雜。
望採納~~
5樓：匿名使用者
igbt 開關速bai度高，開關損耗du小，具有耐脈衝電流衝擊的能zhi力，通態壓降較低，輸dao入阻抗高，為電版壓驅動，驅動功率小 開關權速度低於電力mosfet,電壓，電流容量不及gto
gtr 耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低 開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路複雜，存在二次擊穿問題
gto 電壓、電流容量大，適用於大功率場合，具有電導調製效應，其通流能力很強 電流關斷增益很小，關斷時門極負脈衝電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路複雜，開關頻率低
mosfet 開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題 電流容量小，耐壓低，一般只適用於功率不超過10kw的電力電子裝置
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