IGBT是什麼,什麼是IGBT?它的作用是什麼?

時間 2022-02-14 18:30:14

1樓:北京萬通汽車學校

igbt絕緣柵雙極型電晶體,是電力電晶體和場效電晶體複合件,兼具兩者效能。

2樓:匿名使用者

絕緣柵雙極型電晶體,是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。

3樓:華夏透視

igbt(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, igbt是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的「cpu」,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智慧電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

igbt也是高鐵的最核心的部件之一。igbt可以直接控制電流的轉換,決定了驅動系統的扭矩以及最大輸出功率,幾乎和高鐵的執行息息相關。而igbt的成本也很昂貴,一個晶片系統佔據整輛車的5%,是除了電池之外,成本最高的部件。

中車株洲的igbt晶片技術徹底打破了日本壟斷行業的局面,國產高鐵也開始進入到了自主可控,沒有了外界的壓力,以後的中車株洲還將繼續為國內的高鐵行業帶來更多技術貢獻。

什麼是igbt?它的作用是什麼?

4樓:尼多娜科普

什麼是igbt,它的工作原理又是什麼呢?今天算長見識了

5樓:匿名使用者

利用通斷時間改變續電頻率。

6樓:匿名使用者

絕緣柵雙極型電晶體,是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點.igbtz主要用於電力電子裝置上面,工業自動化裝置。

國際主流的生產廠家有德國的英飛凌,wassersun水光半導體,美國的ir,科瑞日本的三菱,東芝等品牌

igbt是什麼

7樓:匿名使用者

igbt(insulated gate bipolar transistor)

絕緣柵雙極型功率管

是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

igbt是vmos和bjt組成,vmos是v型場效電晶體,電壓驅動器件,輸入阻抗高,但是輸入電容大, igbt是voms在前,bjt在後,好處是在高壓大電流應用的時候,後級的bjt壓降小,導通電阻的,效率高

非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域

igbt器件將不斷開拓新的應用領域,為高效節能、節材,為新能源、工業自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, ups/eps, 感應加熱)提供了新的商機。

簡單點說就是大功率的開關器件

8樓:蔣道程

igbt是一個大功率大電流高耐壓電壓驅動的半導體器件,在電子電路中它就像一個開關。

igbt到底有什麼作用???

9樓:起不出好名

有一本書叫電力電子器件,詳細講述了電力電子開關的原理,我也學過很長時間了,隨便的說一下。

他就是一個開關,非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當柵源極加+12v(大於6v,一般取12v到15v)時igbt導通,柵源極不加電壓或者是加負壓時,igbt關斷,加負壓就是為了可靠關斷。

他沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。

igbt有三個端子,分別是g,d,s,在g和s兩端加上電壓後,內部的電子發生轉移(半導體材料的特點,這也是為什麼用半導體材料做電力電子開關的原因),本來是正離子和負離子一一對應,半導體材料呈中性,但是加上電壓後,電子在電壓的作用下,累積到一邊,形成了一層導電溝道,因為電子是可以導電的,變成了導體。如果撤掉加在gs兩端的電壓,這層導電的溝道就消失了,就不可以導電了,變成了絕緣體。

10樓:毛毛蟲欽

igbt(insulated gate bipolar transistor)

絕緣柵雙極型功率管

是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

igbt是vmos和bjt組成,vmos是v型場效電晶體,電壓驅動器件,輸入阻抗高,但是輸入電容大, igbt是voms在前,bjt在後,好處是在高壓大電流應用的時候,後級的bjt壓降小,導通電阻的,效率高

非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域

igbt器件將不斷開拓新的應用領域,為高效節能、節材,為新能源、工業自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, ups/eps, 感應加熱)提供了新的商機。

簡單點說就是大功率的開關器件

11樓:匿名使用者

igbt其實就是一個高效能的電能轉換開關,用於需要進行高頻率開通和關斷,耐壓耐流比較高的場合,,即強電方面。因為這些高壓的場合必然會使溫度升高,這樣一來,對開關的耐溫效能也有要求,igbt就是具備了這些性質。其他接觸器,耦合器等也具備開關功能,但是都是用在弱點場合,比如用來驅動電路板。

12樓:匿名使用者

你將他理解成繼電器是不錯的,只是他的開關頻率很高。

12v是導通電壓,-6v是保證關斷電壓,如果你懂得電子,那麼把他想象為三極體或場效電晶體應更恰當。

13樓:

igbt就是個開關,電磁加熱主要是靠igbt開關是線圈的電流發生變化產生磁場才形成的

14樓:音響帝國**

作為使用者,知道它的外特性就夠了。

什麼是igbt?

15樓:匿名使用者

igbt(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

16樓:匿名使用者

他就是一個開關,非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當柵源極加+12v(大於6v,一般取12v到15v)時igbt導通,柵源極不加電壓或者是加負壓時,igbt關斷,加負壓就是為了可靠關斷。

他沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。

igbt有三個端子,分別是g,d,s,在g和s兩端加上電壓後,內部的電子發生轉移(半導體材料的特點,這也是為什麼用半導體材料做電力電子開關的原因),本來是正離子和負離子一一對應,半導體材料呈中性,但是加上電壓後,電子在電壓的作用下,累積到一邊,形成了一層導電溝道,因為電子是可以導電的,變成了導體。如果撤掉加在gs兩端的電壓,這層導電的溝道就消失了,就不可以導電了,變成了絕緣體。

igbt是什麼東西?

17樓:小溪

igbt是絕緣柵電晶體的縮寫,是一種電壓控制電流型電力電子器件,其控制訊號是電壓,輸出驅動的是電流,工作電壓數百伏以上,電流數十安以上。

18樓:北京萬通汽車學校

是個電子開關,絕緣柵雙極型電晶體。

igbt的主要作用是什麼? 5

19樓:起不出好名

有一本書叫電力電子器件,詳細講述了電力電子開關的原理,我也學過很長時間了,隨便的說一下。

他就是一個開關,非通即斷,如何控制他的通還是斷,就是靠的是柵源極的電壓,當柵源極加+12v(大於6v,一般取12v到15v)時igbt導通,柵源極不加電壓或者是加負壓時,igbt關斷,加負壓就是為了可靠關斷。

他沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。

igbt有三個端子,分別是g,d,s,在g和s兩端加上電壓後,內部的電子發生轉移(半導體材料的特點,這也是為什麼用半導體材料做電力電子開關的原因),本來是正離子和負離子一一對應,半導體材料呈中性,但是加上電壓後,電子在電壓的作用下,累積到一邊,形成了一層導電溝道,因為電子是可以導電的,變成了導體。如果撤掉加在gs兩端的電壓,這層導電的溝道就消失了,就不可以導電了,變成了絕緣體。

20樓:匿名使用者

逆變,主要用於變頻器逆變和其他逆變電路.將直流電壓逆變成頻率可調的交流電.它有陰極,陽極,和控制極.

關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷

21樓:稱媛隋皓月

igbt就是一個開關,負責線路的導通和關斷

22樓:尼多娜科普

什麼是igbt,它的工作原理又是什麼呢?今天算長見識了

23樓:匿名使用者

igbt是將直流電通過spwm波 把直流直接變成正玄波交流電 這是他的主要用途 比如 逆變器 變頻器。它是個mos管和三極體複合元件 ,因為mos是恆阻 元件所以在 小功率電路里來說自身損耗比三極體有明顯優勢,在大功率由於導通損耗 p=電流的平方xr, 所以 損耗大的驚人, 而三極體是p=0.2v左右x電流,所以在大功率來說自身損耗 就比mos多的多, 比如內阻50毫歐的一個mos管 如果流過100a電流損耗是500w 三極體則是20w ,另外由於mos管是電壓方式驅動 三極體是電流方式驅動 為了應用方便 因此 igbt的驅動三極體 在其內部 加了個mos管來驅動三極體 這樣驅動的時候就變成了電壓驅動。

使得igbt驅動上非常方便。

什麼是igbt???? 20

24樓:匿名使用者

igbt(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由bjt(雙極型三極體)和mos(絕緣柵型場效電晶體)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有mosfet的高輸入阻抗和gtr的低導通壓降兩方面的優點。gtr飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;mosfet驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。igbt綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。

非常適合應用於直流電壓為600v及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

igbt逆變器工作原理是什麼,IGBT逆變器工作原理是什麼?

幽靈漫步祈求者 igbt逆變器工作原理 將太陽能電池板發的電經過igbt開關,轉換成50hz的直流成分很大的交流電,再經過電抗器和電容濾波後,濾成較為正選的交流波形,後經過變壓器升壓,併入電網。逆變器是把直流電能 電池 蓄電瓶 轉變成交流電 一般為220v,50hz正弦波 它由逆變橋 控制邏輯和濾波...

IGBT功能應用是什麼

igbt單管 分立igbt,封裝較模組小,電流通常在50a以下,常見有to247 to3p等封裝。igbt模組 即模組化封裝的igbt晶片。常見的有1in1,2in1,6in1等。pim模組 整合整流橋 制動單元 三相逆變 ipm模組 即智慧功率模組,整合門級驅動及保護功能 熱保護,過流保護等 的i...

is5變頻器中的IGBT是什麼,變頻器igbt裡面含什麼

瓜瓜魚 igbt是變頻器的核心器件,作用是將直流變為交流供電機使用。igbt電路是負責變頻器功率輸出的部分。通常包含igbt模組和igbt的觸發電路和電流反饋元件。觸發電路包含隔離變壓器 整流二極體 光耦隔離晶片,根據使用igbt模組型號,有些需使用配套的觸發驅動晶片以及保護電路。igbt igbt...