1樓：贛南臍橙
一、電晶體的種類 電晶體有多種分類方法。 （一）按半導體材料和極性分類 按電晶體使用的半導體材料可分為矽材料電晶體和鍺材料電晶體管。按電晶體的極性可分為鍺npn型電晶體、鍺pnp電晶體、矽npn型電晶體和矽pnp型電晶體。
（二）按結構及製造工藝分類 電晶體按其結構及製造工藝可分為擴散型電晶體、合金型電晶體和平面型電晶體。 （三）按電流容量分類 電晶體按電流容量可分為小功率電晶體、中功率電晶體和大功率電晶體。 （四）按工作頻率分類 電晶體按工作頻率可分為低頻電晶體、高頻電晶體和超高頻電晶體等。
（五）按封裝結構分類 電晶體按封裝結構可分為金屬封裝（簡稱金封）電晶體、塑料封裝（簡稱塑封）電晶體、玻璃殼封裝（簡稱玻封）電晶體、表面封裝（片狀）電晶體和陶瓷封裝電晶體等。其封裝外形多種多樣。 （六）按功能和用途分類 電晶體按功能和用途可分為低噪聲放大電晶體、中高頻放大電晶體、低頻放大電晶體、開關電晶體、達林頓電晶體、高反壓電晶體、帶阻電晶體、帶阻尼電晶體、微波電晶體、光敏電晶體和磁敏電晶體等多種型別。
二、電晶體的主要引數 電晶體的主要引數有電流放大係數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。 （一）電流放大係數 電流放大係數也稱電流放大倍數，用來表示電晶體放大能力。 根據電晶體工作狀態的不同，電流放大係數又分為直流電流放大係數和交流電流放大係數。
1．直流電流放大係數 直流電流放大係數也稱靜態電流放大係數或直流放大倍數，是指在靜態無變化訊號輸入時，電晶體集電極電流ic與基極電流ib的比值，一般用hfe或β表示。 2．交流電流放大係數 交流電流放大係數也稱動態電流放大係數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，電晶體集電極電流變化量△ic與基極電流變化量△ib的比值，一般用hfe或β表示。 hfe或β既有區別又關係密切，兩個引數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。
（二）耗散功率 耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率pcm，是指電晶體引數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。 耗散功率與電晶體的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關係。電晶體在使用時，其實際功耗不允許超過pcm值，否則會造成電晶體因過載而損壞。
通常將耗散功率pcm小於1w的電晶體稱為小功率電晶體，pcm等於或大於1w、小於5w的電晶體被稱為中功率電晶體，將pcm等於或大於5w的電晶體稱為大功率電晶體。 （三）頻率特性 電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率ft和最高振盪頻率fm等。 1．特徵頻率ft 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。
通常將特徵頻率ft小於或等於3mhz的電晶體稱為低頻管，將ft大於或等於30mhz的電晶體稱為高頻管，將ft大於3mhz、小於30mhz的電晶體稱為中頻管。 2．最高振盪頻率fm 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率ft則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
（四）集電極最大電流icm 集電極最大電流是指電晶體集電極所允許通過的最大電流。當電晶體的集電極電流ic超過icm時，電晶體的β值等引數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 （五）最大反向電壓 最大反向電壓是指電晶體在工作時所允許施加的最高工作電壓。
它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。 1．集電極—發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用vceo或bvceo表示。 2．集電極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用vcbo或bvcbo表示。
3．發射極—基極反向擊穿電壓 該電壓是指當電晶體的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用vebo或bvebo表示。 （六）反向電流 電晶體的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流icbo和集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo。 1．集電極—基極之間的反向電流icbo icbo也稱集電結反向漏電電流，是指當電晶體的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。
icbo對溫度較敏感，該值越小，說明電晶體的溫度特性越好。 2．集電極—發射極之間的反向擊穿電流iceo iceo是指當電晶體的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明電晶體的效能越好。
2樓：白菜無聲
電晶體的電流放大係數與工作頻率有關。若電晶體超過了其工作頻率範圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。 電晶體的頻率特性引數主要包括特徵頻率ft和最高振盪頻率fm等。
1、特徵頻率ft 電晶體的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大係數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時電晶體的工作頻率。 通常將特徵頻率ft小於或等於3mhz的電晶體稱為低頻管，將ft大於或等於30mhz的電晶體稱為高頻管，將ft大於3mhz、小於30mhz的電晶體稱為中頻管。
2、最高振盪頻率fm 最高振盪頻率是指電晶體的功率增益降為1時所對應的頻率。 通常，高頻電晶體的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率ft則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ
3樓：l夏之果
電晶體能放大微弱的電子訊號；它廉價、耐久、耗能少，而且在科技高速發展的今天它幾乎能夠被製成無限小。
4樓：呼和浩特萬通汽修學校
電晶體有摻雜特性。光明星月明星。
5樓：匿名使用者
耐壓ceo/cbo、功率、β、頻率、npn/pnp/高頻、低頻...
6樓：迷糊
電晶體的主要特性是具有。
a.單向導電性
b.濾波作用
c.穩壓作用
d.電流放大作用
電晶體有哪些，電晶體有哪些特性？
日久生情 1.雙極結型電晶體 雙極結型電晶體 bipolar junction transistor bjt 又稱為半導體三極體，它是通過一定的工藝將兩個pn結結合在一起的器件，有pnp和npn兩種組合結構 外部引出三個極 集電極，發射極和基極，集電極從集電區引出，發射極從發射區引出，基極從基區引出...
CPU的電晶體怎麼作出來的，CPU中電晶體是怎麼做出來胡？
光刻蝕這是目前的cpu製造過程當中工藝非常複雜的一個步驟，為什麼這麼說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的汙點的影響。每一步刻蝕都是一個複雜而精細的...
怎麼判斷電晶體工作狀態
晶體三極體工作在放大區時，其發射結 b e極之間 為正偏，集電結 b c極之間 為反偏。對於小功率的npn型矽。呈現為 vbe 0.7v，vbc 0v 具體數值視電源電壓ec與有關元件的數值而定 對於npn型鍺管，vbe 0.2v，vbc 0v 對於 pnp型的晶體三極體，上述電壓值的符號相反，即小...