哥們，公尺勒平臺形成原因可否給解釋一下。。。謝謝了

1樓：蕁麻

1.彌勒效應是指mosfet的d、g的極間電容crss在開關動作期間引起的瞬態效應。

這可以看成是乙個電容負反饋，驅動前，crss上是高電壓，當驅動波形上公升。

到門檻電壓時，mosfet導通，d極電壓急劇下降，通過crss拉低g腳驅動電壓，如果驅動功率不足，將在驅動波形的上公升沿門檻電壓附近留下乙個階梯。

或者2.在mos導通的瞬間，會經過公尺勒效應區（可理解為放大區），輸入電容cgs=c1+c2,此時的c1不再是靜態的電容，而是c1=cdg(1+a),a是放大係數。

當驅動電流（ig=cgs****s/dt）給cgs充電時，由於公尺勒效應等效到輸入端的電容會放大n倍，輸入電容突然增大，所以導致了充電電壓的乙個平臺，有時甚至會有乙個下降尖峰趨勢平臺（如上圖），而這個平臺增加了mos的導通時間，造成了我們通常所說的導通損耗。

其實公尺勒效應描述的就是電子器件中輸出和輸入之間的電容反饋。

2樓：網友

mosfet開通的過程其實就是向它的極間電容充電的過程，1）剛開始的時候向ciss充電，當電壓衝到vth即開啟電壓前，vds保持不變，ids保持不變（2）當vgs在vth（一般是2v左右）和公尺勒平臺電壓之間時：vds保持不變，ids電流開始上公升，vgs逐漸上公升；

3）當vgs達到公尺勒平臺電壓時（一般為5v左右）ids電流已經達到開通時的大小，這時vds開始下降，vgs保持不變為平臺電壓，驅動電流幾乎全部通過cgd放電，vds逐漸降低，最後達到導通時候的電壓ids*rds(on)。

4）此時管子已經導通了，vgs繼續上公升至驅動電壓（一般是13，12v）；這時就是導通阻抗的變化了。

「公尺勒平臺」形成原因是什麼？

3樓：網友

mosfet開通的過程其實就是向它的極間電容充電的過程。

1）剛開始的時候向ciss充電，當電壓衝到vth即開啟電壓前，vds保持不變，ids保持不變（2）當vgs在vth（一般是2v左右）和公尺勒。

平臺電壓之間時：vds保持不派燃答變，ids電流開始上公升，vgs逐漸上公升；

3）當vgs達到公尺勒平臺電壓時（一般為5v左右）ids電流已經達到開通時的大小，這時vds開始下降，vgs保持不變為平臺電壓，驅動電流幾塵慧乎全部通段扮過cgd放電，vds逐漸降低，最後達到導通時候的電壓ids*rds(on)。

4）此時管子已經導通了，vgs繼續上公升至驅動電壓（一般是13，12v）；這時就是導通阻抗。

的變化了。