1樓：手機使用者
在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。但光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。
所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內通過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數，單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。
所以，你可以看到，頻率升高，單個光子能量加大，可是呢，總光強是不變的，那麼平均一下，光子的個數減少，那麼激勵出來的電子，比原來少了，電流就比原來的少了，所以結論應該是飽和電流減小，而不是增大啊，答案是不是有問題啊。
2樓：匿名使用者
光頻變化，電阻沒變的話電流是會變化的，但是有一個飽和電流，最大不超過飽和電流大小。
光的頻率決定是否產生電子逸出、以及電子逸出的量。
但這個量又受到光強的限制。即光子數量的限制。
這有點像我們學生物中膜外受體的數量限制了資訊交流速率一樣。
光電效應中當光照強度不變,增大入射光的頻率,飽和電流怎麼變化,為什麼?
3樓：殘文斷章
在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。但光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。
所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內通過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數，單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。
所以，你可以看到，頻率升高，單個光子能量加大，可是呢，總光強是不變的，那麼平均一下，光子的個數減少，那麼激勵出來的電子，比原來少了，電流就比原來的少了，所以結論應該是飽和電流減小，而不是增大啊，答案是不是有問題啊。
4樓：阿樓愛吃肉
只要光的頻率超過某一極限頻率
，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子，發生光電效應。當在金屬外面加一個閉合電路，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。不加電源也會產生電流，若加逆向電源，會減小光電流。
正向電流會增大光電流。
所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內通過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數，單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。
光電效應中在光照強度不變，當電壓增大時，為什麼光電流增大？電壓增大到某一值時，光電流不再增加
5樓：匿名使用者
1.當電壓增大時，為什麼光電流增大？這是在電壓比較低的情況下，產生的版大量電子懸浮著，權到達陽極的電子數比較少，當電壓升高，電子運動加速，單位時間到達陽極的電子數多了，表現為電流增大。
2.電壓增大到某一值時，光電流不再增加了？光照一定，單位時間產生的電子數不會無限增多，當產生的數量與到達陽極的數量相等時，就是沒有電子懸浮著不動，產生了就跑了，那麼電流就不會再升高了。
6樓：
半導體和稀土材料製造的光電元器件是非線性元件!在非線性區域內它呈現線性阻抗,超出非線性區域後就會呈現飽和恆流或截止!
7樓：匿名使用者
嘿嘿…拜託，光電效應中我們用的都是反向電壓，加正向電壓能說明個鳥問題呀？讓用hv-w0=ek算，所有的問題解釋都在這個公式中。
光電效應中，照射光達到頻率後,增加照射光的光照強度為什麼電流也變化了?
8樓：果殼中的小宇宙
理論分析如下：
光強=nhv，n是光子數。增加光強，即增加了光子數n。
一個光子能量被一個電子吸
版收後，該電
權子逸出。從而產生光電效應現象。
而逃出的光電子數n' 的多少與光子數n有統計關係，即光子數n越多，電子數n’也越多。
而電流i=n‘e/t，電流的大小與n’多少有正比關係。
所以邏輯是這樣的，因為光強大了。導致光子數n多了，而n多了，打出的光電子數n‘也多了。從而使得光電流i也大了
9樓：匿名使用者
照射達到頻率後增加光照強度時光電子也越多所以電流變大，當光照強度不是很大時，電流和光照強度近似為線性關係，但是當光照強度達到一定時，正極吸收光電子達到飽和，此時再增加光照強度後電流就基本不變化了。
10樓：匿名使用者
只要光的頻率超過某一極限頻率，受光照射的金屬表面立即就會逸出光電子回，發生光電效答應。當在金屬外面加一個閉合電路，加上正向電源，這些逸出的光電子全部到達陽極便形成所謂的光電流。 在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨之增大。
但光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。 所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內通過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數，單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。
在光電效應中，當入射光強度不變時，增加光的頻率，為什麼光電子數目減少，光電流減小？
11樓：
在入射光一定時，增大光電管兩極的正向電壓，提高光電子的動能，光電流會隨
內之增大。但容光電流不會無限增大，要受到光電子數量的約束，有一個最大值，這個值就是飽和電流。
所以，當入射光強度增大時，根據光子假設，入射光的強度（即單位時間內通過單位垂直面積的光能）決定於單位時間裡通過單位垂直面積的光子數，單位時間裡通過金屬表面的光子數也就增多，於是，光子與金屬中的電子碰撞次數也增多，因而單位時間裡從金屬表面逸出的光電子也增多，飽和電流也隨之增大。
所以，你可以看到，頻率升高，單個光子能量加大，可是呢，總光強是不變的，那麼平均一下，光子的個數減少，那麼激勵出來的電子，比原來少了，電流就比原來的少了，所以結論應該是飽和電流減小，而不是增大啊，答案是不是有問題啊。
12樓：
流密度，s=nhvc=nhv，其中n=nc，n為單位體積內的光子數（數密度），n為單位時間內通過垂直於光傳播方向上的單位面積光子數。那麼，顯而易見，光強取決於頻率ν和光子的數密度n。
我們已經知道，頻率一定情況下，飽和光電流和光強成正比。
光強不變，頻率升高，那麼光子的數密度n減少。頻率升高，單個光子能量加大，ε=hν。可是呢，光子數密度n減小，那麼激勵出來的電子，比原來少了，電流就比原來的少了，所以結論應該是飽和電流減小。
注意區分:單個光子ε=hν，那麼激勵出的單個發射光電子ek=（1/2）mv²=hν－a=|ua|變大。所以，遏止電壓增大。
同時，在反向電壓下，增大照射光頻率的光電流大。（i=nqsv，注意考慮狹義相對論，假設加速電壓不太大，使用經典力學。）
再說一下，飽和光電流產生原因，簡單點就是電場將所有逸出的光電子全部送到陽極，再增大加速電壓，光電流也不會變化。
然而，飽和光電流是單位時間內從金屬表面逸出的光電子數目與電子電荷乘積（課本概念），光電子產生的原因又是光線照射到金屬表面時，金屬內的電子吸收電磁波能量逸出來的。由於，n或者說n（s=nhvc=nhv）減少，光子與金屬中的電子碰撞次數減少，所以單位時間內逸出的光電子數減少，所以電場使得逸出的光電子到達陽極的數目減少，飽和光電流減少。
（再補充一下，i=nqsv這裡的i就是陰極產生的總電量，單位時間內，如果逸出的光電子全部到達陽極，那麼光電流就到達飽和了。單位時間內，陰極總的逸出的少，到達的少，當然光電流會減小了）
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光電效應的問題，關於光電效應的問題
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關於光電效應的問題，關於光電效應的一個問題
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