半導體材料中的複合型別有哪些

時間 2025-04-19 02:25:43

1樓:朋秀梅貝水

新型無機非金屬材料。

高頻絕緣材料。

氧化鋁、氧化鈹、滑石、鎂橄欖石質陶瓷、石英玻璃和微晶玻璃等。

鐵電和壓電材料。

鈦酸鋇系、鋯鈦酸鉛系材料等。

磁性材料。錳-鋅、鎳-鋅、錳-鎂、鋰-錳等鐵氧體、磁記錄和磁泡材料等。

導體陶瓷。鈉、鋰、氧離子的快離子導體和碳化矽等。

半導體陶瓷。

鈦酸鋇、氧化鋅、氧化錫、氧化釩、氧化鋯等過渡金屬元素氧化物系材料等。

光學材料。釔鋁石榴石雷射材料,氧化鋁、氧化釔透明材料和石英系或多組分玻璃的光導纖維等。

高溫結構陶瓷。

高溫氧化物、碳化物、氮化物及硼化物等難熔化合物。

超硬材料。碳化鈦、人造金剛石和立方氮化硼等。

人工晶體。鈮酸鋰、鉭酸鋰、砷化鎵、氟金雲母等。

生物陶瓷。長石質齒材、氧化鋁、磷酸鹽骨材和酶的載體等。

無機複合材料。

陶瓷基、金屬基、碳素基的複合材料。

2樓:義凝佛

半導體晶體中偏離完整結構的區域稱為晶體缺陷。按其延展的尺度可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷,這4類缺陷都屬於結構缺陷。根據缺陷產生的原因可分為原生缺陷和二次缺陷。

從化學的觀點看,晶體中的雜質也是缺陷,雜質還可與上述結構缺陷相互作用形成複雜的缺陷。一般情況下,晶體缺陷是指結構缺陷。

點缺陷(零維缺陷) 主要是空位、間隙原子、反位缺陷和點缺陷複合缺陷。

線缺陷(一維缺陷) 半導體晶體中的線缺陷主要是位錯。

面缺陷(二維缺陷) 包括小角晶界、堆垛層錯、孿晶。

體缺陷(三維缺陷) 包括空洞和微沉澱,是指巨集觀上與基質晶體具有不同結構、不同密度或不同化學成分的區域。

微缺陷 除上述四類結構缺陷外,還有一類以擇優化學腐蝕後表面出現的以高密度淺底小坑或小丘為其腐蝕特徵的一類缺陷,稱為微缺陷,目前已發現的微缺陷有三類:(1)生長微缺陷;(2)熱誘生微缺陷;(3)霧缺陷。

晶體缺陷會使晶體存在缺陷電阻,對半導體晶體能階也有影響,對載流子數目存在影響。

晶體缺陷在半導體材料方面的應用:如zno , fe3o4 , 摻雜半導體 , batio3半導瓷等。

答的不全, 僅作為參考。

常用的兩種半導體材料

3樓:會哭的禮物

常用的兩種半導體材料分為元素半導體和化合物半導體。

元素半導體是由單一元素成的半導體材料。主要有矽、鍺、硒等,以矽、鍺應用最廣。化合物半導體分為二元系、三元系、多元系和有機化合物半導體。

二元系化合物半導體有ⅲ-ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、ⅱ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、ⅳ族(如硫化鉛、硒化鉛等)、ⅳ族(如碳化矽)化合物。

三元系和多元系化合物半導體主要為三元和多元固溶體,如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機化合物半導體有萘、蒽、聚丙烯腈等,還處於研究階段。此外,還有非晶態和液態半導體材料,這類半導體與晶態半導體的最大區別是不具有嚴格週期性排列的晶體結構。

半導體材料包括哪兩種

4樓:it男小何

半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和矽是最常用的元素半導體;化合物半導體包括第ⅲ和第ⅴ族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、第ⅱ和第ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由ⅲ-ⅴ族化合物和ⅱ-ⅵ族化合物組成的固溶體褲燃(鎵鋁砷、鎵砷磷等)。除上述晶態半導體外,還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。

半導體的分類,按照其製造技術可以分為:積體電路器件,分立器件、光電半導體、邏輯ic、模擬ic、儲存器等大類,一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類,雖然不常咐數用,但還是按照ic、lsi、vlsi(超大lsi)及其規模胡簡虛進行分類的方法。

此外,還有按照其所處理的訊號,可以分成模擬、數字、模擬數字混成及功能進行分類的方法。

岩石材料特性,半導體材料的特性?

半導體材料是室溫下導電性介於導電材料和絕緣材料之 間的一類功能材料。靠電子和空穴兩種載流子實現導電,室溫時電阻率一般在10 5 107歐 米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大 若摻入活性雜質或用光 射線輻照,可使其電阻率有幾個數量級的變化。此外,半導體材料的導電性對外界條件 如熱 光 電 磁等因素 的...

研究生學的半導體材料,這個就業前景怎麼樣?主要是從事於什麼

就業前景 挺不錯的 主要是從事於 本科畢業,可在多晶矽 化工能源公司 半導體 電子類公司 物理 材料類 無損檢測 探傷 壓力容器廠家 等行業就業。研究生畢業,可在材料研究所或高校就業。建議 1 教育有點和生產,社會實際脫離,造成你現在的困惑 建議利用假期實踐,社會實踐相關的單位,拜訪從事類似工作的朋...

半導體產業對社會的進步有什麼作用呢?

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