1樓：123劍
溫度升高的時候，二極體的反向飽和電流是增大的。
二極體反向電流與溫度有著密切的關係，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2ap1型鍺二極體，在25℃時反向電流若為250ua，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500ua，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8ma，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2cp10型矽二極體，25℃時反向電流僅為5ua，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160ua。
故矽二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性。
二極體，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流”功能。
二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
二極體的工作原理：
晶體二極體為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其介面處兩側形成空間電荷層，並建有自建電場。當不存在外加電壓時，由於pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處於電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。
當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓範圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0。當外加的反向電壓高到一定程度時，pn結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極體的擊穿現象。pn結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
②發光二極體在汽車以及大型機械中得到廣泛應用。汽車以及大型機械裝置中的方向燈、車內照明、機械裝置儀表照明、大前燈、轉向燈、剎車燈、尾燈等都運用了發光二極體。主要是因為發光二極體的響應快、使用壽命長（一般發光二極體的壽命比汽車以及大型機械壽命長）。
③由於發光二極體較普通發光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強等特點，因此礦工燈以及井下照明等裝置使用了發光二極體。雖然還未完全普及，但在不久將得到普遍應用，發光二極體將在煤礦應用中取代普通發光器件。
④在當今繁華的商業時代，霓虹燈是城市繁華的重要標誌，但霓虹燈存在很多缺點，比如壽命不夠長等。因此，用發光二極體替代霓虹燈有著很多優勢，因為發光二極體與霓虹燈相比除了壽命長，還有節能、驅動和控制簡易、無需維護等特點。發光二極體替代霓虹燈將是照明裝置發展的必然結果。
2樓：匿名使用者
額(⊙o⊙)…，正向壓降減小好不好，教材上的原話，我就是不知道為什麼減小
3樓：
增大 溫度升高，有利於少數載流子的漂移運動。反向飽和電流會增大
4樓：匿名使用者
晶體二極體也稱半導體二極體，它是在pn結上加接觸電極、引線和管殼封裝而成的。按其結構，通常有點接觸型和麵結型兩類。常用符號如圖z0107中v、vd（本資料用d）來表示。
點接觸型適用於工作電流小、工作頻率高的場合；（如圖z0108）
面結合型適用於工作電流較大、工作頻率較低的場合；（如圖z0109）
平面型適用於工作電流大、功率大、工作頻率低的場合。（如圖z0110）
按使用的半導體材料分，有矽二極體和鍺二極體；按用途分，有普通二極體、整流二極體、檢波二極體、混頻二極體、穩壓二極體、開關二極體、光敏二極體、變容二極體、光電二極體等。
二極體是由一個pn結構成的，它的主要特性就是單向導電性，通常主要用它的伏安特性來表示。
二極體的伏安特性是指流過二極體的電流id與加於二極體兩端的電壓ud之間的關係或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用電晶體圖示儀顯示出來的u～i曲線，稱二極體的伏安特性曲線。圖z0111 是二極體的伏安特性曲線示意圖，依此為例說明其特性。
一、正向特性
由圖可以看出，當所加的正向電壓為零時，電流為零；當正向電壓較小時，由於外電場遠不足以克服pn結內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，故正向電流很小（幾乎為零），二極體呈現出較大的電阻。這段曲線稱為死區。
當正向電壓升高到一定值uγ（uth ）以後內電場被顯著減弱，正向電流才有明顯增加。uγ 被稱為門限電壓或閥電壓。uγ視二極體材料和溫度的不同而不同，常溫下，矽管一般為0.
5v左右，鍺管為0.1v左右。在實際應用中，常把正向特性較直部分延長交於橫軸的一點，定為門限電壓uγ的值，如圖中虛線與u軸的交點。
當正向電壓大於uγ以後，正向電流隨正向電壓幾乎線性增長。把正向電流隨正向電壓線性增長時所對應的正向電壓，稱為二極體的導通電壓，用uf來表示。通常，矽管的導通電壓約為0.
6～0.8v （一般取為0.7v），鍺管的導通電壓約為0.
1～0.3v （一般取為0.2v）。
二、反向特性
當二極體兩端外加反向電壓時，pn結內電場進一步增強，使擴散更難進行。這時只有少數載流子在反向電壓作用下的漂移運動形成微弱的反向電流ir。反向電流很小，且幾乎不隨反向電壓的增大而增大（在一定的範圍內），如圖z0111中所示。
但反向電流是溫度的函式，將隨溫度的變化而變化。常溫下，小功率矽管的反向電流在na數量級，鍺管的反向電流在μa數量級。
三、反向擊穿特性
當反向電壓增大到一定數值ubr時，反向電流劇增，這種現象稱為二極體的擊穿，ubr（或用vb表示）稱為擊穿電壓，ubr視不同二極體而定，普通二極體一般在幾十伏以上且矽管較鍺管為高。
擊穿特性的特點是，雖然反向電流劇增，但二極體的端電壓卻變化很小，這一特點成為製作穩壓二極體的依據。
四、二極體伏安特性的數學表示式
由理論分析可知，二極體的伏安特性可近似用下面的數學表示式來表示：
式中，id為流過二極體的電流，ud。為加在二極體兩端的電壓，vt稱為溫度的電壓當量，與熱力學溫度成正比，表示為
vt = kt／q其中t為熱力學溫度，單位是k；q是電子的電荷量，；k為玻耳茲曼常數，室溫下，可求得vt = 26mv。ir（sat）是二極體的反向飽和電流。
五、溫度對二極體伏安特性的影響
二極體是溫度的敏感器件，溫度的變化對其伏安特性的影響主要表現為：隨著溫度的升高，其正向特性曲線左移，即正向壓降減小；反向特性曲線下移，即反向電流增大。一般在室溫附近，溫度每升高1°c，其正向壓降減小2～2.
5mv；溫度每升高10°c：，反向電流大約增大1倍左右。
綜上所述，二極體的伏安特性具有以下特點：
① 二極體具有單向導電性；
② 二極體的伏安特性具有非線性；
③ 二極體的伏安特性與溫度有關。
溫度升高時，二極體的正向壓降是增大還是減小？二極體的反向飽和電流是增大還是減小?
5樓：匿名使用者
溫度升高時 二極體的正向壓降和反向電流都會增大二極體是溫度的敏感器件
溫度的變化對其伏安特性的影響主要表現為
隨著溫度的升高，其正向特性曲線左移，即正向壓降減小反向特性曲線下移，即反向電流增大。
6樓：匿名使用者
額(⊙o⊙)…，正向壓降減小好不好，教材上的原話，我就是不知道為什麼減小
當溫度升高時，二極體的反向飽和電流是增大還是減小?
7樓：匿名使用者
溫度升高的時候，二極體的反向飽和電流是增大的。
二極體反向電流與溫度有著密切的關係，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2ap1型鍺二極體，在25℃時反向電流若為250ua，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500ua，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8ma，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2cp10型矽二極體，25℃時反向電流僅為5ua，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160ua。
故矽二極體比鍺二極體在高溫下具有較好的穩定性。
二極體，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極體則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極體所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流”功能。
二極體最普遍的功能就是隻允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷 （稱為逆向偏壓）。因此，二極體可以想成電子版的逆止閥。
名詞介紹：
晶體二極體也稱半導體二極體，它是在pn結上加接觸電極、引線和管殼封裝而成的。
分類：
按其結構，通常有點接觸型和麵結型兩類。常用符號如圖z0107中v、vd（本資料用d）來表示。
1.點接觸型適用於工作電流小、工作頻率高的場合；（如圖z0108）
2.面結合型適用於工作電流較大、工作頻率較低的場合；（如圖z0109）
3.平面型適用於工作電流大、功率大、工作頻率低的場合。（如圖z0110）
按使用的半導體材料分，有矽二極體和鍺二極體；
按用途分，有普通二極體、整流二極體、檢波二極體、混頻二極體、穩壓二極體、開關二極體、光敏二極體、變容二極體、光電二極體等。
特性：
二極體是由一個pn結構成的，它的主要特性就是單向導電性，通常主要用它的伏安特性來表示。 二極體的伏安特性是指流過二極體的電流id與加於二極體兩端的電壓ud之間的關係或曲線。用逐點測量的方法測繪出來或用電晶體圖示儀顯示出來的u～i曲線，稱二極體的伏安特性曲線。
圖z0111 是二極體的伏安特性曲線示意圖，依此為例說明其特性。
一、正向特性
由圖可以看出，當所加的正向電壓為零時，電流為零；當正向電壓較小時，由於外電場遠不足以克服pn結內電場對多數載流子擴散運動所造成的阻力，故正向電流很小（幾乎為零），二極體呈現出較大的電阻。這段曲線稱為死區。
當正向電壓升高到一定值uγ（uth ）以後內電場被顯著減弱，正向電流才有明顯增加。uγ 被稱為門限電壓或閥電壓。uγ視二極體材料和溫度的不同而不同，常溫下，矽管一般為0.
5v左右，鍺管為0.1v左右。在實際應用中，常把正向特性較直部分延長交於橫軸的一點，定為門限電壓uγ的值，如圖中虛線與u軸的交點。
當正向電壓大於uγ以後，正向電流隨正向電壓幾乎線性增長。把正向電流隨正向電壓線性增長時所對應的正向電壓，稱為二極體的導通電壓，用uf來表示。通常，矽管的導通電壓約為0.
6～0.8v （一般取為0.7v），鍺管的導通電壓約為0.
1～0.3v （一般取為0.2v）。
二、反向特性
當二極體兩端外加反向電壓時，pn結內電場進一步增強，使擴散更難進行。這時只有少數載流子在反向電壓作用下的漂移運動形成微弱的反向電流ir。反向電流很小，且幾乎不隨反向電壓的增大而增大（在一定的範圍內），如圖z0111中所示。
但反向電流是溫度的函式，將隨溫度的變化而變化。常溫下，小功率矽管的反向電流在na數量級，鍺管的反向電流在μa數量級。
三、反向擊穿特性
當反向電壓增大到一定數值ubr時，反向電流劇增，這種現象稱為二極體的擊穿，ubr（或用vb表示）稱為擊穿電壓，ubr視不同二極體而定，普通二極體一般在幾十伏以上且矽管較鍺管為高。
擊穿特性的特點是，雖然反向電流劇增，但二極體的端電壓卻變化很小，這一特點成為製作穩壓二極體的依據。
二極體的反向電阻是大還是小，二極體的反向電阻是大還是小？
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