1樓：暴走少女
等軸晶，晶粒在各方向上尺寸相差較小的晶粒叫等軸晶。如黃鐵礦，在三個垂直方向具有相同的長度。對於所有晶體來說，其立方等軸結構基本是完全對稱的。
有時候晶粒一詞也用來泛指岩石中晶質礦物的顆粒。此時又可根據其晶形發育程度分為：自形——具有該種礦物比較完整的應有的晶形特徵；半自形——僅具有該種礦物應有晶形的大致輪廊；他形——因受周圍晶粒的限制而生長成任意的不規則狀。
2樓：ws風雨兼程
等軸晶粒指的是結晶後各晶粒位向一致，滿足各向同性。例如，在鑄造時，靠近鑄造型壁處因為過冷度大，非均勻形核，向各個方向長大的驅動力相同，形成大小均勻的晶粒組織，就是等軸晶。如果你需要我可以發給你一張等軸晶粒的金相**
3樓：
是少數巨大晶粒在細晶消耗時成核長大的過程。
4樓：這個世界確實很有趣
晶粒生長與二次再結晶過程往往與燒結中、後期的傳質過程同時進行的。初次再結晶是在已發生塑性變形的基質中出現新生的無應變晶粒的成核和長大過程。這個過程的推動力是基質塑性變形所增加的能量。
二次再結晶（或稱晶粒異常生長和晶粒不連續生長）是少數巨大晶粒在細晶消耗時成核長大的過程。
一 晶粒生長
在燒結的中、後期，細晶粒要逐漸長大，而一些晶粒生長過程也是另一部分晶粒縮小或消滅的過程。其結果是平均晶粒尺寸都增長了。這種晶粒長大並不是小晶粒的相互黏結，而是晶界移動的結果。
在晶界兩邊物質的吉布斯自由能之差是使介面向曲率中心移動的驅動力。晶界移動的速率是與晶界曲率以及系統的溫度有關。溫度升高和曲率半徑越小，晶界向其曲率中心移動的速率也越快， 氣孔在晶界上是隨晶界移動還是阻止晶界移動，這與晶界曲率有關，也與氣孔直徑、數量、氣孔作為空位源向晶界擴散的速率、氣孔內氣體壓力大小、包圍氣孔的晶粒數等因素有關。
約束晶粒生長的另一個因素是有少量液相出現在晶界上。少量液相使晶界上形成兩個新的固-液介面，從而介面移動的推動力降低和擴散距離增加。因此少量液相可以起到抑制晶粒長大的作用。
根據由許多顆粒組成的多晶體介面移動情況得到以下幾條規則： 1.晶界上有介面能的作用，因此晶粒形成一個在幾何學上與肥皂泡相似的三維陣列。
2．晶粒邊界如果都具有基本上相同的表面張力，晶粒呈正六邊形。 3．在晶界上的第二類夾雜物（雜質或氣泡）,如果它們在燒結溫度下不與主晶相形成液相,則將阻礙晶界移動。 在燒結體內晶界移動有以下七種方式：
氣孔靠晶格擴散移動； 氣孔靠表面擴散移動； 氣孔靠氣相傳遞； 氣孔靠晶格擴散聚合； 氣孔靠晶界擴散聚合； 單相晶界本徵遷移； 存在雜質牽制晶界移動。
二、二次再結晶
二次再結晶的推動力是大晶粒介面與臨近高表面能和小曲率半徑的晶面相比有較低的表面能，在表面能的驅動下，大晶粒介面向曲率半徑小的晶粒中心推進，以致造成大晶粒進一步長大與小晶粒的消失。 晶粒生長與二次再結晶的區別在於前者坯體內晶粒尺寸均勻地生長，服從（9-42）公式。而二次再結晶是個別晶粒異常生長，不服從（9-42）式，晶粒生長是平均尺寸增長，不存在晶核，介面處於平衡狀態，介面上無應力。
二次再結晶的大晶粒介面上有應力存在。晶粒生長時氣孔艘維持在晶界上或晶界交匯處，二次再結晶時氣孔被包裹到晶粒內部。 從工藝控制考慮，造成二次再結晶的原因主要是原始粒度不均勻、燒結溫度偏高和燒結速率太快。
其他還有坯體成型壓力不均勻，區域性有不均勻液相等。為避免氣孔封閉在晶粒內，避免晶粒異常生長，應防止緻密化速率太快。
三、晶界再燒結中的應用
晶界在多晶體中不同晶粒之間的交介面，據估計晶界寬度約為5-60nm。晶界上原子排列疏鬆霍亂，在燒結傳質和晶粒生長過程中晶界對坯體緻密化起著十分重要的作用。由於燒結體中氣孔形狀是不規則的，晶界上氣孔的擴大、收縮或穩定與表面張力、潤溼角、包圍氣孔的晶粒數有關，還與晶界遷移率、氣孔半徑、氣孔內氣壓高低等因素有關。
在離子晶體中，晶界是陰離子快速擴散的通道。離子晶體的燒結與金屬材料不同。陰、陽離子必須同時擴散才能導致物質的傳遞與燒結。
晶界上溶質的偏聚可以延伸晶界的移動名家素坯體緻密化，為了從坯體中完全排除氣孔，獲得緻密燒結體,空位擴散必須在晶界上保持相當高的速率/只有通過抑制晶界的移動才能使氣孔在燒結的始終都保持在晶界上，避免晶粒的不連續生長。利用溶質在晶界上偏析的特徵，在坯體中新增少量溶質（燒結助劑），就能達到抑制晶界移動的目的。
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