1樓：盤默
（2）場效電晶體的好壞判斷。
把數字萬用表打到二極體檔，用兩表筆任意觸碰場效電晶體的三隻引腳，好的場效電晶體最終測量結果只有一次有讀數，並且在500左右。
如果在最終測量結果中測得只有一次有讀數，並且為「0」時，須用表筆短接場效電晶體識引腳，然後再測量一次，若又測得一組為500左右讀數時，此管也為好管。不符合以上規律的場效電晶體均為壞管。 場效電晶體的代換原則（注：
只適合主機板上場效電晶體的代換）
一般主機板上採用的場效管大多為絕緣柵型增強型n溝通最多，其次是增強型p溝道，結型管和耗盡型管一般沒有，所以在代換時，只須在大小相同的情況下，n溝道代n溝道，p溝道代p溝道即可。
2樓：匿名使用者
根據場效電晶體的pn結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效電晶體的三個電極。具體方法：將萬用表撥在r×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。
當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極d和源極s。因為對結型場效電晶體而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極g。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一隻表筆依次去接觸其餘的兩個電極，測其電阻值。
當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其餘兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是pn結的反向，即都是反向電阻，可以判定是n溝道場效電晶體，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向pn結，即是正向電阻，判定為p溝道場效電晶體，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。
請問如何判斷場效電晶體的好壞，以及n溝道，p溝道
3樓：匿名使用者
場效電晶體的檢測方法：把數字萬用表打到二極體檔，用兩表筆任意觸碰場效電晶體的三隻引腳，好的場效電晶體在量測的時候只應有一次有讀數，而且數值在300--800左右，如果在最終測量結果中測的只有一次有讀數，並且為0時須萬用表短接場效電晶體的引腳，重新測量一次，若又測得一組為300--800左右讀數時此管也為好管。
將萬用表開到二極體檔，用萬用表的兩個表筆量測d、s極和g、s極，看看兩極之間的讀數是不是很小，如果這個值在50以下，則可以判斷為這個效應管已經被擊穿場效電晶體有g、d、s，三個極，用機械錶r*10k檔測量。
場效電晶體具有如下特點：
（1）場效電晶體是電壓控制器件，它通過vgs(柵源電壓)來控制id（漏極電流）；
（2）場效電晶體的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012ω）很大。
（3）它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；
（4）它組成的放大電路的電壓放大係數要小於三極體組成放大電路的電壓放大係數。
作用1.場效電晶體可應用於放大。由於場效電晶體放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效電晶體很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效電晶體可以用作可變電阻。
4.場效電晶體可以方便地用作恆流源。
5.場效電晶體可以用作電子開關。
4樓：ae3安全第一
怎麼用萬用表檢測場效電晶體的好壞？
方法一將指標式萬用表撥至「rx1k」檔，並電調零。場效電晶體帶字的一面朝著自己，從左到右依次為：g(柵極)，d(漏極)，s(源極)。
將黑表筆接在d極，紅表筆接在s極上，此時，萬用表指標應不動；然後再對換表筆，再測，此時，萬用表指標應向右擺動。用指標萬用表測，g極，與其餘兩個極之間，無論是兩個表筆怎樣對調測，萬用表指標均應不動。
方法二將數字萬用表撥至「二極體」檔，也就是，蜂鳴器檔。黑表筆接d極，紅表筆接s極，此時，應顯示一個數值，一般情況下為400多ω到500ω多之間。然後，再對換表筆，應無顯示，為「1」。
然後，黑表筆接d極，紅表筆先去觸碰一下g極，然後紅表筆再接到s極上，此時，會發現顯示的數值與原來相比，變小了許多，一般為100多ω到幾十ω之間。這說明，此場效電晶體已被觸發導通了。在這個時候，黑表筆接s極，紅表筆接d極，會發現，有數值顯示了。
這說明，此場效電晶體是完好的。
如果所測的結果與上述兩種方法均不符，則這個場效電晶體就是壞的。一般情況下，d極和s極擊穿的比較常見。用數字萬用表的「二極體」檔測，會聽到蜂鳴器的響聲。
舉例 w20nm50， n 溝 道場效電晶體引數 vdss 500v最大耐壓值 ，id最大負載電流/20a ,rds(0n)導通阻抗少於歐姆。
用rx10k檔位測量靠譜 其它rx1k檔電池 只適合小功率半導體的場管，對於高壓大功率半導體場管就不適合了，所以需要高壓rx10k檔 裡面9v電池可以導通場管測量驗證管子的線性是否導通和關閉來證明管子好壞。
5樓：業餘電臺
場效電晶體分為兩大類：結型和絕緣柵型，你說的是結型，絕緣柵型不可用萬用表測量。結型場效電晶體的測量可按一般測量普通電晶體那樣測量柵--源和柵漏兩個pn結，再測漏源間的電阻值，一般為幾k,在使用方面：
其漏源兩極可互換使用，因此不是隻從d流向s,也可以從s流向d.
你說的筆記本的8腳場效電晶體，可能是一個整合元件，具體要有內部電路圖才可以判別。
6樓：電腦維修記
分享電腦維修經驗，拓展晶片級維修知識，提升自己的全面維修技能！
7樓：音響帝國**
根劇型號查到對應的封裝，
如何分辨場效電晶體的n溝道和p溝道？怎麼辨別三極體的npn和pnp？
場效電晶體中n溝道和p溝道的工作原理
8樓：匿名使用者
原理：兩種溝道都是利用多數載流子的定向移動來導電，n溝道的多數載流子是電子，p溝道是空穴，當溝道中有電場時，就會有大量載流子，形成通路，，電場消失，溝道消失。
增強型場效電晶體是高電平導通（高電平時形成溝道），耗盡型是低電平導通。
謝謝採納。
關於n溝道場效電晶體和p溝道場效電晶體的導通截止問題？
9樓：匿名使用者
1.場效電晶體是電壓控制的元件，控制極和其他極不導通。
溝道的控制極高壓時。漏極和專源極屬導通。漏極流向源極。
溝道，一個很麻煩的元件。要負壓控制。p溝道的控制極為低壓（負電壓）。漏極和源極導通。源極流向漏極。
4.不管n還是p。負載最好接在漏極上。
n溝道增強型場效電晶體的工作原理
10樓：匿名使用者
工作原理：
1柵源電壓v(gs)的控制作用：
當v(gs)=0v時，因為漏源之間被兩個背靠背的pn結隔離，因此，即使在d、s之間加上電壓， 在ds間也不可能形成電流。當 0v(t)時，襯底中的電子進一步被吸至柵極下方的p型襯底表層，使襯底表層中的自由電子數量大於空穴數量，該薄層轉換為n型半導體，稱此為反型層。形成n源區到n漏區的n型溝道。
把開始形成反型層的v(gs)值稱為該管的開啟電壓v(t)。這時，若在漏源間加電壓v(ds)，就能產生漏極電流i(d)，即管子開啟。v(gs)值越大，溝道內自由電子越多，溝道電阻越小，在同樣v(gs) 電壓作用下，i(d)越大。
這樣，就實現了輸入電壓v(gs)對輸出電流i(d)的控制。
2漏源電壓v(gd)對溝道導電能力的影響：
當v(gd)>v(t)且固定為某值的情況下，若給漏源間加正電壓v(ds)則源區的自由電子將沿著溝道漂移到漏區，形成漏極電流i(d)，當i(d)從ds流過溝道時，沿途會產生壓降，進而導致沿著溝道長度上柵極與溝道間的電壓分佈不均勻。源極端電壓最大，為v(gs) ，由此感生的溝道最深；離開源極端，越向漏極端靠近，則柵—溝間的電壓線性下降，由它們感生的溝道越來越淺；直到漏極端，柵漏間電壓最小，其值為： v(gd)=v(gs)-v(ds) ,由此 感生的溝道也最淺。
可見，在v(ds)作用下導電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分佈。若v(ds)進一步增大，直至v(gd)=v(t)，即v(gs)-v(ds)=v(t)或v(ds)=v(gs)-v(t)時，則漏端溝道消失，出現預夾斷點。
當v(s)為0或較小時，v(gd)>v(t)，此時vds 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分佈。當vds增加到使vgd=vt時，漏極處溝道將縮減到剛剛開啟的情況，稱為預夾斷。源區的自由電子在vds電場力的作用下，仍能沿著溝道向漏端漂移，一旦到達預夾斷區的邊界處，就能被預夾斷區內的電場力掃至漏區，形成漏極電流。
當vds增加到使vgd 11樓：電子愛好者小彭 場效電晶體你內部結構，工作原理和電路中的幾種用法。 通過對實驗箱上結型場效電晶體的測試 認識n溝道j eet場效電晶體的電壓放大特性和開關特性。給mos管放大電路加輸入訊號為 正弦波 vpp 200mv 500mv,f 2khz o 測量輸入電阻時 輸入端的參考電阻r s 680k。二。實驗主要儀器。三極體 萬用表 示波器 訊號源及其他電子元件。三。... 朱哥講電子 場效電晶體作為電子開關的小實驗。 小閆的日常工作生活 想學場效電晶體的工作原理，就得用它的特性製作一些小實驗，既有趣味性，又可以加深理解，可以起到事半功百的效果 蒿飇睢菡 一般的mosfet的ugs th 大都在2 4v之間，3205也不例外。3205挺好用的，你一直燒掉，估計是電流太大... 淚海潰堤 n mosfet，p溝道的mos，電子遷移率大概只有n溝道的1 3。故而常用n溝道。開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈衝寬度調製 pwm 控制ic和mosfet構成。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在...結型場效電晶體電壓放大倍數，場效電晶體放大倍數怎樣求？
場效電晶體做開關，場效電晶體如何做開關使用，硬體如何連，微控制器如何控制？
一般用什麼溝道的場效電晶體做開關管