1樓：匿名使用者
濾波作用，在電源電路中，整流電路將交流變成脈動的直流，而在整流電路之後接入一個較大容量的電解電容，利用其充放電特性，使整流後的脈動直流電壓變成相對比較穩定的直流電壓。在實際中，為了防止電路各部分供電電壓因負載變化而產生變化，所以在電源的輸出端及負載的電源輸入端一般接有數十至數百微法的電解電容．由於大容量的電解電容一般具有一定的電感，對高頻及脈衝干擾訊號不能有效地濾除，故在其兩端並聯了一隻容量為0.001--0.
lpf的電容，以濾除高頻及脈衝干擾。
耦合作用：在低頻訊號的傳遞與放大過程中，為防止前後兩級電路的靜態工作點相互影響，常採用電容藕合．為了防止訊號中韻低頻分量損失過大，一般總採用容量較大的電解電容。
2樓：晴天依舊
1，自舉電容是利用電容兩端電壓不能突變的特性，當電容兩端保持有一定電壓時，提高電容負端電壓，正端電壓仍保持於負端的原始壓差，等於正端的電壓被負端舉起來了。實際就是正反饋電容,用於抬高供電電壓。自舉電容就是一個自舉電路。
2，自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極體，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。
應用例項
1.利用自舉電路提高射極跟隨器的輸入電阻。
射隨器具有輸入阻抗高、輸出阻抗低的特點，所以在電子線路中的應用是極為廣泛的。圖3是一典型射極跟隨器電路，由於基極採用的是固定偏置電路，所以無法保證工點的穩定。
2.利用自舉電路擴大電路動態範圍。
利用自舉電路可以擴大放大器的輸出動態範圍。
3.利用自舉電路提高電路益增。
4.利用自舉電路解決交、直流引數設定。
3樓：夜讀萬卷書
電容的十大作用之四，自舉電容，你學會了嗎？
4樓：匿名使用者
電容是一個通交流隔直流的電子元件,通常應用於濾波,高低頻電路等,閃光器上接電容主要是為改變閃光的頻率(快慢).
什麼是自舉電容？
5樓：匿名使用者
1，自舉電容是利用電容兩端電壓不能突變的特性，當電容兩端保持有一定電壓時，提高電容負端電壓，正端電壓仍保持於負端的原始壓差，等於正端的電壓被負端舉起來了。實際就是正反饋電容,用於抬高供電電壓。自舉電容就是一個自舉電路。
2，自舉電路也叫升壓電路，利用自舉升壓二極體，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達到數倍電源電壓。
3，原理
舉個簡單的例子：有一個12v的電路，電路中有一個場效電晶體需要15v的驅動電壓，這個電壓怎麼弄出來？就是用自舉。
通常用一個電容和一個二極體，電容儲存電荷，二極體防止電流倒灌，頻率較高的時候，自舉電路的電壓就是電路輸入的電壓加上電容上的電壓，起到升壓的作用。
自舉電路只是在實踐中定的名稱，在理論上沒有這個概念。自舉電路主要是在甲乙類單電源互補對稱電路中使用較為普遍。甲乙類單電源互補對稱電路在理論上可以使輸出電壓vo達到vcc的一半，但在實際的測試中，輸出電壓遠達不到vcc的一半。
其中重要的原因就需要一個高於vcc的電壓。所以採用自舉電路來升壓。
常用自舉電路（摘自fairchild，使用說明書an-6076《供高電壓柵極驅動器ic 使用的自舉電路的設計和使用準則》）
開關直流升壓電路
開關直流升壓電路
開關直流升壓電路(即所謂的boost或者step-up電路)原理
the boost converter,或者叫step-up converter，是一種開關直流升壓電路，它可以是輸出電壓比輸入電壓高。基本電路圖見圖1.
假定那個開關(三極體或者mos管)已經斷開了很長時間，所有的元件都處於理想狀態，電容電壓等於輸入電壓。下面要分充電和放電兩個部分來說明這個電路。
6樓：匿名使用者
將輸出的訊號反饋回輸入端，如果相位相反，稱為負反饋，起穩定工作作用；
如果相位相同，稱之為正反饋，起加大輸出作用，又稱為自舉電路
7樓：登佩波秋
自舉電容，利用電容的儲電特性或獲取較高電壓的方法，在早期的tll功放電路中才有這種方式。
8樓：匿名使用者
在自舉電路中，電控制迴路閉合時，電容被電源充電，當控制迴路斷開時，電容作為一個「電池」和電源一起為負載提供電壓，此時相當於兩個電源串在一起，負載的供電電壓要比單一的電源電壓高很多，這時就是所謂的自舉，這個電容就是自舉電容。希望我說的明白了。
9樓：匿名使用者
10樓：銳致創新
上圖為充電ic的內部框圖和外圍電路，其中cboot 10nf電容為開關電源中常提到的自舉電容，那麼究竟什麼是自舉電容呢？
充電ic中使用的為同步開關buck電路，即q3管我們使用的為nmos替換了原來非同步buck中的二極體，q2為上管，q3為下管。
q2作為開關管為nmos，必須是g極比s極高一定的電壓vth時，開關管才能導通。
當插入充電器時，vbus電壓直接通過q1和q2，此時vsw的電壓為vdc=vbus（忽略mos管的導通壓降），因為剛插入充電器時，vsw電壓較低，上圖電路中的vcore供電的驅動器drv可以直接將q2導通；
當q2導通後，在開關管導通週期內，sw電壓上升到了vbus，理論上原來g極電壓只會低於sw點的電壓，此時是無法維持q2管的導通狀態的；
然而此時我們考慮到cboot電容，vcore（ldo）會對cboot電容充電（假設充電電壓為vboot），一旦當開關管導通後，給drv驅動的電平即在sw導通週期電平vbus的基礎上增加vboot：vbus+vboot，從而達到g極電壓高於s極，維持q2管的導通狀態；
自舉升壓時，vcore供電電源串聯的二極體處於反偏狀
自舉電容在選取時需要保證不能太大，也不能太小，太小，會導致在驅動nmos時boot電容電壓下降過大，太大又會導致二極體充電時，衝擊電流過大。
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