掃瞄電鏡的成像質量與哪些因素有關

時間 2025-04-22 07:41:41

1樓:網友

1.傾斜角效影響影象因素。

由於二次電子的發射是入射電子碰撞樣品的海外電子,使原子外層受激發而電離出來的電子, 且電子在逸出樣品表面之前又和樣品進行多次散射,所以只要在樣品淺層幾奈米到幾十奈米組偶偶深度區域產生的二次電子才能逸出表面,被探測器收集到。因此電子束的入射角將影響二次電子影象的反差。

2.邊緣效應。

在樣品邊緣和較短部位攝入一次電子時。由於尖端和邊緣的二次電子容易脫離樣品,所以產生二次電子數量多,影象異常明亮,稱為邊緣效應。邊緣效應造成反差不自然,降低影象質量。

若降低加速電壓,減少二次電子的發生量,或減少對比度。就可以使邊緣效應相對減輕。

3.原子序數效應。

原子序數高的元素被激發的二次電子多,原子敘述地的元素則少。因此,在同等條件下,前者影象明亮,這種現象成為原子序數效應。原子序數效應與被散射電子在樣品中的激發作用有關。

在觀察生物樣品時,在樣品表面均勻噴鍍一層原子敘述高的金屬膜,可提高影象質量。

4.充放電效應。

生物樣品大多數是高絕緣性的,入射電子不能在樣品中構成迴路倒入大地,堆積在樣品上的入射電子形成負電荷區,產生放電現象或排斥後續入射電子,使其被檢測器吸收或者轟擊樣品室其他部件,嚴重應先二次電子影象質量,如採用鍍膜,導電膠黏貼樣品等導電處理,可減少充放電效應的影響。

5.焦點深度。

所謂的焦深是指對高低不平試樣各部分聚焦的最大限度的能力。它是掃瞄電鏡中乙個重要的和可控的效能指標,是影響整幅影象各部位清晰度的乙個重要因素。隨著影象的放大倍數增加,其焦深受束斑尺寸的影響越來越顯著。

在高倍放大時,要得到較大的焦深,就要選擇大孔頸的物鏡光闌,或者縮小工作距離進行觀察。

2樓:敬憐晴蕢佩

掃瞄電鏡的成像原理。

掃瞄電鏡是由電子槍發射並經過聚焦的電子束在樣品表面掃瞄,激發樣品產生各種物理訊號,經過檢測、**放大和訊號處理,在螢光屏上獲得能反映樣品表面各種特徵的掃瞄影象。

掃瞄電鏡構造:

1.電子光學系統。

2.訊號收集和影象顯示系統、

3.和真空系統。

掃瞄電鏡的工作距離可以通過改變影象調節的哪個因素

3樓:帳號已登出

掃瞄電鏡的工作距離可以通過改變影象調節的曲線因素。

工作距離和焦距有關聯曲線,是為方便操作,這樣樣品高度差異才直觀。操作掃瞄電鏡時,需要做的第一件事就是先粗略地標定wd,方法就是在某一特定放大倍數下獲得聚焦清楚的影象,根據此時的焦長自動標定出相對準確的wd,而後,繼續調節wd的數值才是相對真實可信的。

在掃瞄電鏡中。

入射電子束在樣品上的掃瞄和映象管中電子束在螢光屏上的掃瞄是用乙個共同的掃瞄發生器控制的。這樣就保證了入射電子束的掃瞄和映象管中電子束的掃瞄完全同步,保證了樣品上的「物點」與螢光屏上的「象點」在時間兄帶遊和空間上一一對應,稱其為「同步掃瞄」。

一般掃瞄圖象是由近100萬個與物羨銷點一一對應的圖象單元構成的,正因為如此,才使得掃瞄電鏡除能顯示一般的形貌外,還能將樣品區域性範圍內的化學元素。

光、電、磁等性質的差異以二維圖象形式顯行空示。

掃瞄電鏡的成像原理與透射電鏡有何不同?

4樓:顧小蝦水瓶

1、方式不同。

掃瞄電鏡和電視掃瞄原理相同的成像方式,透射電鏡和光學顯微鏡或者照相機成像原理相同的成像方式。

5樓:網友

掃瞄電子是用二次電子和背景散射電子成像。透射電鏡是用透射電子成像。

通俗一點說,二次電子是來自樣品的電子。透射電子是來自光源電子束中的電子。

6樓:網友

乙個和電視掃瞄原理相同的成像方式,乙個和光學顯微鏡或者照相機成像原理相同的成像方式 。

如果電視機和照相機原理分不清楚,那就沒法理解掃瞄電鏡和透射電鏡差別!

掃瞄電鏡可直接利用樣品表面材料的物質效能進行微觀成像,那影響掃瞄電鏡的因素有哪些呢?

7樓:北京中諾新材

a. 入射電子束束虧裂斑直徑:為掃瞄電鏡分辨本領的極限。一般,熱陰極電子槍的最小束斑直徑可縮小到6nm,場發射電子槍可使束斑直徑小於3nm.

b. 入射電子束在樣品中的擴充套件效應:擴散程度取決於入射束電子能量和樣品原子序數的高低。

入射束能量越高,樣品原子序數越小,則電子束作用體積越大,產生訊號的區域隨電子束的擴散而增大,從而降低了解像度。

c. 成像方式及所用的調製訊號:當以二次電子為調製訊號時,由於其能量低(小於50 ev),平均自由程短(10~100 nm左右),只有在表層50~100 nm的深度範圍內的二次電子才能逸出樣品表面, 發生散射次數很有限,基本未向側向擴充套件,因此,二次電子像解像度約等於束斑直徑。

當以背散射電子為調製訊號時,由於背散射電子能量比較高,穿透能力強,可從樣品中較深的區域逸出(約為有效作用深度的30%左右).在此深度範圍,入射電子已有了相當寬的側向擴充套件,所以背散射電子像解像度要比二次電子像低,一般在500~2000nm左右。

如果以吸收電子、x射線、陰極螢光銷乎閉、束感生電頃孝導或電位等作為調製訊號的其他操作方式,由於訊號來自整個電子束散射區域,所得掃瞄像的解像度都比較低,一般在l000 nm或l0000nm以上不等。

掃瞄電鏡有哪些特徵?

8樓:化學秦老師

掃瞄電鏡(scanning electron microscope,sem)是一種高解像度的顯微鏡,具有以下特徵:

1.高解像度:掃瞄電鏡能夠提供非常高的空間解像度,可達到奈米的水平,可以觀察微小的表面結構和形貌。

2.大深度視場:掃瞄電鏡能夠提供非常深的視場深度,能夠觀察樣品的三維結構。

3.表面成像:掃瞄電鏡不僅能夠觀察半透明和不透明的樣品表面,還能夠實現高質量的表面成像,形成非常清晰的影象。

4.高靈敏度:掃瞄電鏡能夠檢測樣品表面的電荷變化,並對州謹其進行鍵鄭成像,從而可以觀察到很多稿跡頌電性和化學性質。

5.非破壞性:掃瞄電鏡無需對樣品進行特殊的製備處理,通常可以使用沒有損傷的樣品進行觀察。

6.樣品型別廣泛:掃瞄電鏡適用於各種樣品,包括金屬、陶瓷、生物、纖維、塑料等樣品型別,可以提供非常詳細和準確的資訊。

總之,掃瞄電鏡是一種非常強大的顯微鏡,可以提供高質量的表面成像和精確的樣品資訊,廣泛應用於材料科學、生物科學、環境科學等領域研究中。

有哪些因素決定螢光顯微鏡成像質量?

9樓:乾萊資訊諮詢

螢光光學系統的成像質量主要取決於像的襯度和像的亮度,像的襯度是由樣品中激發出的螢光與背景上觀察到的光之比決定的。

背景光包括透過截止激發光的濾色片的雜散激發光,樣品組織成分的自發螢光和光學系統的自發螢光和雜散光,在螢光顯微術中盡全力要解決的是既獲得最佳的像襯度,同時又維持像有足夠亮度,這兩者往往是矛盾的。

例如用極窄波帶濾色片激發時僅利用了極少的光能,背景暗了但螢光亮度也弱了。在應用時,只能兼顧,合理的權衡以決定取捨。

螢光顯微光學系統需要優先考慮的是:

1) 光學系統組成的材料應選用在激發光波內無螢光材料,不但指光學系統玻璃也包括膠合製造中的膠合劑、切片、蓋玻片和浸液以及密封劑。若有自發螢光,不但會增加背景光,有時還會混淆觀察螢光影象。

2) 光學系統的引數選擇中, 應將獲得最大光能作為第一考慮因素。

照明系統中集光鏡應選用最大的包容角; 採用柯勒照明並使燈絲或弧光像充滿入瞳,以期望獲得高效率的均勻照明。

請問掃瞄電鏡的成像原理是什麼?

10樓:信必鑫服務平臺

掃瞄電鏡從原理上講就是利用聚焦得非常細的高能電子束在試樣上掃瞄,激發出各種物理資訊。通過對這些資訊的接受、放大和顯示成像,獲得測試試樣表面形貌的觀察。

當一束極細的高能入射電子轟擊掃瞄樣品表面時,被激發的區域將產生二次電子、俄歇電子、特徵x射線和連續譜x射線、背散射電子、透射電子,以及在可見、紫外、紅外光區域產生的電磁輻射。同時可產生電子-空穴對、晶格振動(聲子)、電子振盪(等離子體)。

影響光學顯微鏡成像質量的因素有哪些

11樓:皎月

影響光學顯微鏡。

成像質量的因素有九個方面。

1,使用顯微鏡時,被檢物體做的較標準很重要。如:切片或塗片厚度不能太厚,蓋玻片是要符合國標等。

2,顯微鏡物鏡按檔次可分為約6-8個檔,鏡頭檔次太低,則成像質量會下降。

3.聚光鏡孔徑光欄,儘量和物鏡的數值孔徑。

相符。才能得到最佳的影象解像度。

4.調焦系統作為機械部分的重要部件,調焦精度也非常重要。

5.載物臺在觀察切片時,常做x,y的移動。如:雙層的機械移動平臺,精度和穩定性較好,能在觀察顯微影象時提供好的成像質量。

6.非球面集光鏡能提供非常均勻的照明光線,所觀察到的顯微影象襯度極佳。

7.視場光欄應根據觀察不同的被檢物體和物鏡倍率開啟到合適的位置,如開得過大或過小顯微影象的視場亮度會受到影響。 8.

照明系統如採用溫度低,色溫較高的照明裝置,觀察到的是解像度和銳利度極高的顯微影象。

9.採用柯拉照明系統,能調節光學的中心像。科研級的顯微鏡均採用此係統,為鏡檢和專業數碼顯微成像系統,提供優質的顯微**。

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